Tytuł artykułu
Autorzy
Treść / Zawartość
Pełne teksty:
Identyfikatory
Warianty tytułu
HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate
Języki publikacji
Abstrakty
Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków AIIIN, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.
A procedure for forming a graphical chemical composition profile in the interface region was developed for AIIIN compounds. It greatly simplifies and shortens the process of creating the model of InGaN/GaN heterostructures. The three-step-method was successfully worked out and used for modeling the InGaN/GaN structure, and finally applied to the investigation of the real structure of epitaxial systems produced at ITME by means of the MOCVD technique.
Słowa kluczowe
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
48--57
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., rys.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
- Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa, marek.wojcik@itme.edu.pl
Bibliografia
- [1] Ryan P. A., Wall J. L., Bytheway R. T., Jacques D., Matney K. M., Qu Bo: Production metrology of advanced led structures using high resolution X-ray diffraction, The 10th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffractionand Imaging United Kingdom 20th – 23rd September 2010 ABSTRACT BOOKLET (9)
- [2] Durbin S. M., Follis G. C.: Darwin theory of heterostructure diffraction, Phys. Rev., 1995, B51, 10127 – 10133
- [3] Wójcik M., Gaca J., Turos A., Strupiński W., Caban P., Borysiuk J., Pathak A.P., Sathish N.: Badanie hetero struktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie, Materiały Elektroniczne, 2008, 36, 4, 61 - 84
- [4] Caban P., Kosciewicz K., Strupinski W., Szmidt J., Pagowska K., Ratajczak R., Wójcik M., Gaca J., Turos A. : Structural characterization of GaN epitaxial layers grown on 4H-SiC substrates with different off-cut, Materials Science Forum, 2009, 615-617, 939 - 942
- [5] Caban P., Kosciewicz K., Strupinski W., Wojcik M., Gaca J., Szmidt J., Ozturk M., Ozbay E.: The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates, Journal of Crystal Growth, 2008, 310, 4876 - 4897
- [6] Gaca J., Wojcik M., Jasik A., Pierścinski K., Kosmala M., Turos A., and Abdul-Kaderd A. M.: Effects of composition grading at heterointerfaces and layer thickness variations on Bragg mirror quality, OPTO- ELECTRONICS REVIEW, 2008, 16(1), 12 – 17
- [7] Jasik A., Gaca J., Wójcik M., Muszalski J., Pierściński K. , Mazur K., Kosmala M., Bugajski M.: Characterization of (Al)GaAs/AlAs distributed Bragg mirrors grown by MBE and LP MOVPE techniques, Journal of Crystal Growth, 2008, 310, 4094 – 4101
- [8] Gaca J., Gronkowski J., Jasik A., Tokarczyk M., Wojcik M.: Determination of lateral inhomogeneity of the chemical profile of AlAs/GaAs distributed Bragg reflectors grown by MBE on GaAs 001 substrate, Synchrotron Radiation in Natural Science, 2008, 7, No. 1 – 2
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BATD-0005-0005