Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym

• Autorzy: Wójcik M. , Strupiński W. , Rudziński M. , Gaca J.

Warianty tytułu

EN

HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków A^IIIN, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.

EN

A procedure for forming a graphical chemical composition profile in the interface region was developed for A^IIIN compounds. It greatly simplifies and shortens the process of creating the model of InGaN/GaN heterostructures. The three-step-method was successfully worked out and used for modeling the InGaN/GaN structure, and finally applied to the investigation of the real structure of epitaxial systems produced at ITME by means of the MOCVD technique.

Słowa kluczowe

PL

HRXRD; heterostruktura; interfejs; GaN; InGaN

EN

HRXRD; heterostructure; interface; GaN; InGaN

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2012
• Tom: T. 40, nr 4
• Strony: 48--57
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Wójcik M.

autor

Strupiński W.

autor

Rudziński M.

autor

Gaca J.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Ryan P. A., Wall J. L., Bytheway R. T., Jacques D., Matney K. M., Qu Bo: Production metrology of advanced led structures using high resolution X-ray diffraction, The 10th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffractionand Imaging United Kingdom 20th – 23rd September 2010 ABSTRACT BOOKLET (9)
• [2] Durbin S. M., Follis G. C.: Darwin theory of heterostructure diffraction, Phys. Rev., 1995, B51, 10127 – 10133
• [3] Wójcik M., Gaca J., Turos A., Strupiński W., Caban P., Borysiuk J., Pathak A.P., Sathish N.: Badanie hetero struktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie, Materiały Elektroniczne, 2008, 36, 4, 61 - 84
• [4] Caban P., Kosciewicz K., Strupinski W., Szmidt J., Pagowska K., Ratajczak R., Wójcik M., Gaca J., Turos A. : Structural characterization of GaN epitaxial layers grown on 4H-SiC substrates with different off-cut, Materials Science Forum, 2009, 615-617, 939 - 942
• [5] Caban P., Kosciewicz K., Strupinski W., Wojcik M., Gaca J., Szmidt J., Ozturk M., Ozbay E.: The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates, Journal of Crystal Growth, 2008, 310, 4876 - 4897
• [6] Gaca J., Wojcik M., Jasik A., Pierścinski K., Kosmala M., Turos A., and Abdul-Kaderd A. M.: Effects of composition grading at heterointerfaces and layer thickness variations on Bragg mirror quality, OPTO- ELECTRONICS REVIEW, 2008, 16(1), 12 – 17
• [7] Jasik A., Gaca J., Wójcik M., Muszalski J., Pierściński K. , Mazur K., Kosmala M., Bugajski M.: Characterization of (Al)GaAs/AlAs distributed Bragg mirrors grown by MBE and LP MOVPE techniques, Journal of Crystal Growth, 2008, 310, 4094 – 4101
• [8] Gaca J., Gronkowski J., Jasik A., Tokarczyk M., Wojcik M.: Determination of lateral inhomogeneity of the chemical profile of AlAs/GaAs distributed Bragg reflectors grown by MBE on GaAs 001 substrate, Synchrotron Radiation in Natural Science, 2008, 7, No. 1 – 2