Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym

• Autorzy: Lipiński D. , Sarnecki J. , Brzozowski A. , Mazur K.

Warianty tytułu

EN

Silicon epitaxial layers deposited on porous silicon for photovoltaic applications

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.

EN

The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.

Słowa kluczowe

PL

warstwa epitaksjalna; CVD; krzem porowaty; ogniwo słoneczne

EN

epitaxial layer; CVD; porous silicon; solar cell

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2012
• Tom: T. 40, nr 3
• Strony: 28--37
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Lipiński D.

autor

Sarnecki J.

autor

Brzozowski A.

autor

Mazur K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1]. Zhao J. et al.: 24.5 % efficiency silicon PERT cells on MCZ substrates and 24,7 % efficiency PERL cells on FZ substrates, Prog. Photovoltaics Res. Appl., 1999, 7, 471-474
• [2]. Brendel R.: Thin-film crystalline silicon mini-modules using porous Si for layer transfer, Solar Energy, 2004, 77, 969-982
• [3]. Reuter M. et al.: 50 mm thin solar cells with 17.0% efficiency, Sol. Ener. Mat. and Sol. Cells, 2009, 93, 704-706
• [4]. Brendel R. et al.: Crystalline thin-film Si Cells from layer transfer using porous Si (PSI-process), 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, May 20-24, 2002, New Orleans, Paper 102
• [5]. Solanki C. S. et al.: Characterization of free-standing thin crystalline films on porous silicon for solar cells, Thin Solid Films 2004, 451-452, 649-654
• [6]. Tobail O. et al.: Novel separation process for free--standing silicon thin-films, Sol. Ener. Mat. and Sol. Cells, 2009, 93, 710-712
• [7]. Zheng G. F. et al.: 16.4 % efficient, thin active layer silicon solar cell grown by liquid phase epitaxy, Sol. Ener. Mat. and Sol. Cells, 1996, 40, 231-238
• [8]. Willeke G. P.: Thin crystallinesilicon solar cells, Sol. Ener. Mat. and Sol. Cells, 2002, 72, 191-200
• [9]. Yamamoto K. et al.: A high efficiency thin film silicon solar cell and module, Solar Energy, 2004, 77, 939-949
• [10]. Reber S., Wettling W.: High-temperature processing of crystalline silicon thin-film solar cells, Appl. Phys. A, 1999, 69, 215-220
• [11]. Reber S.et al., Crystalline silicon thin-film solar cells – recent results at Fraunhofer ISE, Solar Energy, 2004, 77, 865-875
• [12]. Schmich E. et al.: Silicon CVD deposition for low cost applicatons in photovoltaics, Surface and Coat. Techn., 2007, 201, 9325-9329
• [13]. Ott N. et al.: Evolution of the microstructure during annealing of porous silicon multilayers, J. Appl. Phys., 2004, 95, 497-503
• [14]. Bisi O. et al.: Surface Science Report, 2000, 38, 25