Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu

• Autorzy: Góra K. , Kozłowski A.

Warianty tytułu

EN

Bosch process for silicon plasma etching

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy opisano wielostopniowy proces plazmowy powszechnie znany jako proces Boscha. Składa się on z wielokrotnie powtarzanych sekwencji kroków trawienia i pasywacji. Dzięki temu można otrzymać w krzemie bardzo głębokie struktury o wysokim współczynniku kształtu. Proces zaimplementowano na urządzeniu Alcatel 601E. Końcowym efektem opracowanej procedury jest wytrawiony profil o wysokim współczynniku kształtu, pionowych ścianach i gładkiej powierzchni.

EN

This paper reports on two step time multiplexed plasma etch process, widely known as a Bosch process. The Bosch process was implemented on Alcatel 601E plasma reactor. On the basis of this patented process we created the procedure to achieve high aspect ratio submicron trenches in silicon. A deep silicon etching Bosch process in ICP reactive ion plasma reactor was based on SF6/C4F8 chemistry. Process consists of two alternating etching and deposition cycles. In thirst step, SF6 a very effective source of F* radicals is responsible for etching. In second step C4F8 gas creates polymers layer that protect side wall from lateral etching. This technique consisting of series alternating etch and deposition cycles(each lasts only a few seconds) produces high aspect ratio features. The etch rate and thickness of deposition layer are controlled by gas flow and cycle time, respectively. Created recipe can be used to etch silicon high aspect ratio features with smooth vertical walls.

Słowa kluczowe

PL

proces Boscha; ICP; trawienie plazmowe krzemu; współczynnik kształtu

EN

Bosch process; ICP; plasma etching; high aspect ratio; silicon etched profile

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2011
• Tom: T. 39, nr 2
• Strony: 31--34
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., tab., rys.

Twórcy

autor

Góra K.

autor

Kozłowski A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Larmer R, Schilp A.: Patents DE4241045, US 5501893, EP 625285
• [2] Abdolvand R., Ayazi R: An advanced reactive ion etching process for very high aspect-ratio sub-micron wide trenches in silicon, Sensors and Actuators A, (2008) 109-116
• [3] Murakami K., Wakabayashi Y., Minami K.: Cryogenic dry etching for high aspect ratio microstructures; Proceedings of IEEE MEMS Conference (1993) 65-70