Badanie mikroporowatości polerowanej powierzchni płytek krzemowych w celu dostosowania sposobu ich wytwarzania do nowych wymagań jakościowych

• Autorzy: Piątkowski B. , Szymański S.

Warianty tytułu

EN

Study of micro-roughness of the polished surface of silicon wafers aimed at fulfilling the new quality requirements

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad uzyskaniem powierzchni polerowanych płytek krzemowych (silicon polished wafers) o mikrochropowatości micro-roughness) mniejszej od 4 Å. Dla osiągnięcia odpowiedniej gładkości konieczne było wykonanie badań nad procesami polerowania na tkaninach polerskich (polishing pads) nowej generacji z zastosowaniem nowych środków polerskich (polishing slurries). Do badań wytypowano tkaniny (polishing pads) firm Rodel o symbolach regular, SPM 1300, firmy TK o symbolu poretex oraz firmy Fujimi Surfin 000. Do polerowania stosowano środki polerskie Firmy Nalco o symbolach LS, 8020 oraz 2354. W wyniku badań przeprowadzonych przy zastosowaniu nowych materiałów opracowano technologię zapewniającą odpowiednią gładkość powierzchni polerowanych płytek krzemowych.

EN

This paper presents the results of research directed toward achieving a polished surface of silicon wafers that would have micro-roughness lower than 4 Å. In order to obtain the required smoothness it was necessary to carry out research on the process of polishing on new generation polishing pads with the use of new polishing slurries. The polishing pads chosen for the research were produced by Rodel ("regular", SPM 1300), TK ("poretex") and Fujimi (Surfin 000). The polishing slurries were made by Nalco (LS, 8020 and 2354). As a result of the research, for the purpose of which the above mentioned new generation materials were used, we have worked out a technology that ensures the required surface smoothness of the polished silicon wafers.

Słowa kluczowe

PL

płytki krzemowe; mikrochropowatość powierzchni

EN

silicon wafers; surface micro-roughness

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2012
• Tom: T. 40, nr 2
• Strony: 28--33
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Piątkowski B.

autor

Szymański S.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Toquetti L. Z., Nogueira W. A. Influence of the clearing procedure on the surface roughness of silicon wafers, Bulletin of University of Sao Paulo, 1990
• [2] Teichert, Mackay J.F., Savage D.E.: Comparison of surface roughness of polished silicon wafers measured by light scattering topografy, soft - x Ray scattering, and atomic-force microscopy, Bulletin of University of Wisconsin - Madison 1995. Brohl M., Wagner P. Bulletin Wacker-chemitronic 1995
• [3] Shive L. W., and Gilmore B. L.: Impact of thermal processing on silicon wafer surface roughness. MEMC Electronic materials Inc, St peters MO USA. Journal of Electronic Society ECS Trans., 16, (8), (2008), 401
• [4] White Michael, Romine R., Jones L., Ackerman W.: The mechanism of haze and defectivity reduction in a new generation of high performance silicon final polishing slurries, Bulletin of Cabot Microelectronics CorpAurora Il USA, 1997
• [5] Annual book of ASTM Standards 2001 Volume 10.05 Electronic.