Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs

• Autorzy: Możdżonek M. , Gaca J. , Wesołowski M.

Warianty tytułu

EN

Application of the far-infrared reflectance spectroscopy to characterization of AlAs/ GaAs Bragg mirrors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Metodę spektroskopii odbiciowej w zakresie dalekiej podczerwieni zastosowano do badań zwierciadeł Bragga wykonanych z AlAs/GaAs na podłożu GaAs. Pomiary widm odbicia zwierciadeł zostały wykonane dla różnych kątów padania fali na próbkę oraz z polaryzacją fali s i p. Otrzymane z pomiarów widma analizowane były numerycznie, poprzez dopasowanie widma teoretycznego do widma zmierzonego. Klasyczną teorię dyspersji zastosowano do wyznaczenia funkcji dielektrycznych związków GaAs i AlAs . Z dopasowania widm wyznaczono grubości warstw wchodzących w skład badanej struktury oraz określono koncentracje nośników w warstwach. Wyniki pracy pokazują, że za pomocą widm odbicia z dalekiej podczerwieni można dokonać charakteryzacji zwierciadeł Bragga wykonanych z GaAs/AlAs.

EN

We present a study of GaAs/AlAs Bragg mirrors grown on GaAs substrates. Far-infrared reflectivity spectra were measured using polarized oblique-incidence Fourier transform spectroscopy. The optics of the features observed were analyzed, with respect to a given resonance mode. The far-infrared spectra were numerically modelled within a classical dispersion theory and then compared with the experimental data. The thicknesses of the layers and the free carrier concentration were determined when the best agreement between experimental and calculated spectra was reached. The results demonstrate that the oblique incidence far-infrared reflectance techniques can be applied to the characterization of GaAs/AlAs Bragg mirrors.

Słowa kluczowe

PL

zwierciadło Bragga; GaAs/AlAs; widmo odbicia; daleka podczerwień; DBR

EN

Bragg mirror; GaAs/AlAs; far-infrared; DBR

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2012
• Tom: T. 40, nr 2
• Strony: 11--16
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., wykr.

Twórcy

autor

Możdżonek M.

autor

Gaca J.

autor

Wesołowski M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Larsson A. : Advances in VCSELs for Communications and sensing , IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 17 (6), (2011), 1552-1568
• [2] Wolczko A., Lipiński M., Krehlik P., Śliwczyński Ł.: Lasery VCSEL w torach światłowodowych, Poznańskie Warsztaty Telekomunikacyjne, Poznań 11-12 grudnia 2003, http://www.siecioptyczne.pl
• [3] Fastenau J. M., Robinson G. Y.: Low-resistance visible wavelength distributed Bragg reflectors Rusing small energy band offset heterojunctions, Appl. Phys. Lett., 74, (25), (1999), 3758
• [4] Saha A. K., Islam S.: An improved model for computing the reflectivity of a AlAs/GaAs based distributed bragg reflector and vertical cavity surface emitting laser, Opt. Quant.Electron, 41, (2009), 873-882
• [5] Palmer C, Stavrinou P. N., Whitehead M., Phillips C. C.: Mid-infrared (λ∼2-6 μm) measurements of the refractive indices of GaAs and AlAs, Semicond. Sci. Technol., 17, (2002), 1189-1192
• [6] Hastings S. R., De Dood M. J. A., Kim H., Marshall W., Eisenberg H. S. Bouweester D.: Ultrafast optical response of a high-reflectivity GaAs/AlAs Bragg mirror, Appl. Phys. Lett., 86, (2005), 031109
• [7] Agranovich V., Kravtsov V. E.: Notes on crystal optics of superlattices, Solid State Commun., 55, (1985), 85
• [8] Shayesteh S., Farjami, Dumelow T., Parker T.J., Mirjalili G., Vorobjev L.E., Donetsky D.V., Kastalsky A.: Far -infrared spectra of reflectivity, transmission and hole emission in p-doped GaAs/Al0,5Ga0,5As multiple quantum wells, Semicond. Sci. Technol., 11, (1996), 323
• [9] Harbecke B., Heinz B., Grosse P.: Optical properties of thin films and the berreman effect, Appl. Phys. A, 38, (1985), 263
• [10] Berreman D.W.: Infrared absorption at longitudinal optic frequency in cubic crystal films, Phys. Rev., 130, (1963), 2193
• [11] Lockwood D. J., Yu G., Rowell N. L., Poole P. J.: Optical phonons via oblique-incidence infrared spectroscopy and their deformation potentials in In1-xGaxAs, J. Appl. Phys., 101, (2007), 113524
• [12] Shin H. K., Lockwood D. J., Lacelle C., Poole P. J.: Phonons in strained In1-xGaxAs/InP epilayers, J. Appl. Phys., 88, (11), (2000), 6423
• [13] Kim O. K., Spitzer W. G.: Infrared reflectivity spectra and Raman spectra of Ga1-xAlxAs mixed crystals, J. Appl. Phys. 50, (1979), 4362