Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm

• Autorzy: Dąbrowska E. , Nakielska M. , Teodorczyk M. , Sobczak G. , Romaniec M. , Malag A.

Warianty tytułu

EN

The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Celem pracy było zbadanie przyczyn degradacji laserów mocy i ich związku z wykonywaniem poszczególnych operacji technologicznych (processing, montaż, napylanie luster) na degradację diod na pasmo 880 nm. Dla badanych diod o długości ich życia decydowały przede wszystkim poprawność wykonania luster oraz wprowadzający naprężenia montaż. Praca posłużyła do modernizacji technologii wytwarzania diod laserowych celem zwiększenia zysku.

EN

The influence of following technology processes (such as: wafer processing, montage, mirror deposition) on degradation of laser diodes emitting at 880 nm band was studied. Those investigations helped to improve technology of laser diode production.

Słowa kluczowe

PL

dioda laserowa; heterostruktura; badania starzeniowe; niezawodność diody laserowej

EN

laser diode; heterostructure; burn-in tests; degradation

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2012
• Tom: T. 40, nr 1
• Strony: 3--13
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Dąbrowska E.

autor

Nakielska M.

autor

Teodorczyk M.

autor

Sobczak G.

autor

Romaniec M.

autor

Malag A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Häusler K., Zeimer U., Sumpf B., Erbert G., Tränkle G.: Degradation model analysis of laser diodes, J. Mater. Sci: Mater. Electron, 19:8160-8164, (2008)
• [2] Zynek L, Maląg A.: Mechanizmy degradacji półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych, sprawozdanie ITME, (1999)
• [3] Dąbrowska E., Teodorczyk M., Sobczak G., Maląg A.: Badanie naprężeń wprowadzonych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn, Materiały Elektroniczne, 4, 37, (2009)
• [4] Xia R., Larkins B.C., Harrison I., Dods S. R. A., Andrianov A., Morgan J., Landesman P.: Mounting-induced strain threshold for the degradation of high-power AlGaAs laser bars, IEEE Photonics Technology Letters, 14, 7, (2002)
• [5] Martin M., Avella M., Iňiguez M.P., Jimenez J., Oudart M., Nagle J., A physical model for the rapid degradation of semiconductor laser diodes, Applied Physics Letters, 93, 171106, (2008)
• [6] Sanayeh M. B., Jaeger A., Schmid W., Tautz S., Brick P., Streubel K., Bacher G.: Investigation of dark line defects induced by catastrophic optical damage in broad-area AlGalnP laser diodes, Applied Physics Letters, 89, 101111, (2006)
• [7] Jimenez J.: Laser diode reliability: crystal defects and degradation modes, C.R. Physique, 4, 663-673, (2003)
• [8] Ziegler M., Tomm J. W., Reeber D., Elsaesser T., Zeimer U., Larsen H. E., Petersen P. M., Andersen P. E.: Catastrophic optical mirror damage in diode lasers monitored during single-pulse operation, Applied Physics Letters, 94, 191101, (2009)
• [9] C. Chen, G. Xin, R. Qu, Z. Fang: Measurement of thermal rise-time of a laser diode based on spectrally resolved waveforms, Optics Communications, 260, 223-226, (2006)
• [10] Xia R., Larkins E. C., Harrison I., Dods S. R. A., Andrianov A., Morgan J., Landesman J.P.: Mounting-induced strain threshold for the degradation of high-power AlGaAs laser bars, IEEE Photonics Technology Letters, 14, 7, (2002)
• [11] Tomm J. W., Thamm E., Bärwolff A., Elsaesser T, Luft J., Baeumler M., Mueller S., Jantz W., Rechenberg I.: Facet degradation of high-power dioide laser arrays, Applied Physics A, Materials Science & Processing, 70, 377-381, (2000)
• [12] Martin A. M., Avella M., Iňiguez M. P., Jimenez J., Oudart M., Nagle J.: A physical model for the rapid degradation of semiconductor laser diodes, Applied Physics Letters, 93, 171106, (2008)