Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]

• Autorzy: Wójcik M. , Gaca J. , Wierzbicka E. , Turos A. , Strupiński W. , Caban P. , Sathish N. , Pągowska K.

Warianty tytułu

EN

Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar⁺⁺ w zakresie dawek od 7 ⋅ 10¹³ cm^-2 do 1 ⋅ 10¹⁵ cm^-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.

EN

In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar⁺⁺ ions in the dose range from 7 ⋅ 10¹³ cm^-2 to 1 ⋅ 10¹⁵ cm^-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.

Słowa kluczowe

PL

HRXRD; implementacja jonowa; dyfrakcja

EN

HRXRD; ion implantation; diffraction

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2011
• Tom: T. 39, nr 4
• Strony: 22--31
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Wójcik M.

autor

Gaca J.

autor

Wierzbicka E.

autor

Turos A.

autor

Strupiński W.

autor

Caban P.

autor

Sathish N.

autor

Pągowska K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Dygo A., Turos A.: Surface studies of AIIIBV compound semiconductors by ion channeling Phys. Rev. B40( 1989) 7704-7713
• [2] Nowicki L., Turos A., Ratajczak R., Stonert A., Garrido F.: Modern analysis of ion channeling data by Monte Carlo simulations, Nucl. Instr. Meth. B 240 (2005) 277
• [3] Turos A., Nowicki L., Stonert A., Pagowska K., Jagielski J., Muecklich A.: Nucl. Instr. Meth. B 268 (2010) 1718
• [4] Tan H. H., Williams J. S., Zou J., Cockayne D. J. H., Pearton S. J., Stall R.A.: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 2364
• [5] Parikh N., Suvkhanov A., Lioubtchenko M., Carlson E. P., Bremser M. D., Bray D., Hunn J., Davis R.F.: Nucl. Instr. Meth. B 127-128 (1997) 463
• [6] Strupiński W. et al.: Heterointerfaces in ąuantum wells and epitaxial growth processes, J. Appl. Lett. 59, 24, (1991), 3151-3153
• [7] P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, M. Wójcik, J. Gaca, J. Szmidt, M. Ozturk, E. Ozbay: The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates, J. Crystal Growth, 310 (2008) 4876-4897
• [8] M. Herman, D. Binberg, J. Christen: Heterointerfaces in quantum wellsand epitaxial growth processes: Ewaluation by luminescence techniąues, J. Appl. Lett., 70, 2 (1991)
• [9] M. Wójcik, J. Gaca, P. Caban, W. Strupiński, J. Borysiuk, A.P. Pathak, N. Sathish: Wyznaczanie profilu składu chemicznego heterostruktur związków AIIIN zawierających ultracienkie warstwy, Mater. Elektron., 4, 36, (2008)
• [10] J. Gaca, M. Wójcik, A. Turos, W. Strupiński, A. Jasik, J. Zynek, K. Kosiel, F. Eichhorn, F. Prokert: Mater. Elektron. 33, 1-4, (2005) 5-42
• [11] J. Gaca, M. Wójcik: Appl. Phys. Lett,, 65, 8 (1994) 977-979
• [12] M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos, W. Strupiński, P. Caban, J. Borysiuk, A. Pathak, N. Sathish: Mater. Elektron., 36, 4, (2008) 61-84
• [13] U. Piętach, V Holy, T. Baumach: High resolution X-ray scattering, Springer (2004)