Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych

• Autorzy: Dąbrowska E. , Teodorczyk M. , Sobczak G. , Malag A.

Warianty tytułu

EN

Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przeanalizowano przesuwanie się charakterystyk spektralnych w diodach laserowych (DL) z różną rezystancją termiczną (R₁), a także zmianę ich charakterystyk mocowo-prądowych na różnych etapach montażu. Mierzono wzrost temperatury złącza DL podczas przyłożonego impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Porównano przesunięcia widm DL w czasie trwania impulsu o długości l ms w pomiarach dynamicznych i przesunięcia widm w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu w zależności od wartości R₁. Wyniki te posłużyły do opracowania metody oceny jakości montażu na etapie pomiarów impulsowych.

EN

In this paper, the shift of spectral characteristics measured at a constant rate of bias pulse repetition and various pulse duration for laser diodes (LDs) with different thermal resistances has been presented. The temperature increase of the p-n junction of LDs during the current pulse has been investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using an ICCD camera. For LDs with a different thermal resistance spectral shift during a 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant rate of pulse repetition with variable pulse duration has been demonstrated.

Słowa kluczowe

PL

dioda laserowa; rezystancja termiczna; złącze p-n; pomiar termowizyjny; pomiar dynamiczny; charakterystyka spektralna

EN

laser diode; thermal resistance; p-n junction; thermovision measurement; dynamics measurement; spectral characteristic

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2011
• Tom: T. 39, nr 3
• Strony: 3--9
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz., wykr.

Twórcy

autor

Dąbrowska E.

autor

Teodorczyk M.

autor

Sobczak G.

autor

Malag A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Dąbrowska E., Malag A.: Metody pomiaru rezystancji termicznej diod laserowych, Przegląd Elektrotechniczny, 87, 4, (2001), 232-238
• [2] Dąbrowska E., Teodorczyk M., Sobczak G., Malag A.: Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn, Materiały Elektroniczne, 37, 4, (2009)