Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >

• Autorzy: Orłowski W. , Mirowska A. , Hruban A. , Strzelecka S.

Warianty tytułu

EN

Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in < 100 > or < 111 > direction

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opracowano warunki otrzymywania monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Skonstruowano układy termiczne dla urządzenia MarkIV, w których można otrzymywać metodą Czochralskiego z herme-tyzacją cieczową (LEC - Liąuid Encapsulated Czochralski) duże monokryształy GaP. Zbadano termiczne warunki wzrostu kryształów. Doświadczalnie określono wpływ niektórych elementów układu termicznego na kształt pola temperatur w obszarze wzrostu kryształów. Otrzymano monokryształy GaP o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Zbadano ich własności elektryczne i strukturalne.

EN

Technological parameters for growing 4"(GaP) single crystals in < 100 > and < 111 > direction were investigated. Thermal systems were constructed for MarklV puller, which allow growing GaP single crystals with big diameter by Liquid Encapsulated Czochralski method. The influence of some of the thermal system elements on the temperature field near the growing crystal was experimentally assessed. GaP crystals of 4" in diameter were obtained in < 100 > and < 111 > direction. Electrical and structural parameters were assessed.

Słowa kluczowe

PL

GaP; monokrystalizacja; metoda LEC

EN

GaP; crystal growth; LEG method

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2010
• Tom: T. 38, nr 2
• Strony: 9--19
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Orłowski W.

autor

Mirowska A.

autor

Hruban A.

autor

Strzelecka S.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Staniszewski B.: Wymiana ciepła, podstawy teoretyczne, PWN, Warszawa, 1963
• [2] Marshall H. D.: Increased single crystal length in low-pressure, LEC gallium arsenide, J. Cryst. Growth, 109, (1991), 218-223
• [3] Shibata M., Suzuki T., Kuma S., Inada T.: LEC growth of large GaAs single crystals, J. Cryst. Growth, 128, (1993), 439-443
• [4] Technologia syntezy fosforku galu metodą injekcyjną, ITME, Warszawa, 2004
• [5] Dalecki W., Orłowski W., Gładysz M., Strzelecka S., Hruban A.: Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC, Mater. Elektron., 4, (1997), 23-33