Tytuł artykułu
Autorzy
Treść / Zawartość
Pełne teksty:
Identyfikatory
Warianty tytułu
Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in < 100 > or < 111 > direction
Języki publikacji
Abstrakty
Opracowano warunki otrzymywania monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Skonstruowano układy termiczne dla urządzenia MarkIV, w których można otrzymywać metodą Czochralskiego z herme-tyzacją cieczową (LEC - Liąuid Encapsulated Czochralski) duże monokryształy GaP. Zbadano termiczne warunki wzrostu kryształów. Doświadczalnie określono wpływ niektórych elementów układu termicznego na kształt pola temperatur w obszarze wzrostu kryształów. Otrzymano monokryształy GaP o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Zbadano ich własności elektryczne i strukturalne.
Technological parameters for growing 4"(GaP) single crystals in < 100 > and < 111 > direction were investigated. Thermal systems were constructed for MarklV puller, which allow growing GaP single crystals with big diameter by Liquid Encapsulated Czochralski method. The influence of some of the thermal system elements on the temperature field near the growing crystal was experimentally assessed. GaP crystals of 4" in diameter were obtained in < 100 > and < 111 > direction. Electrical and structural parameters were assessed.
Słowa kluczowe
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
9--19
Opis fizyczny
Bibliogr. 5 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
- Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa, waclaw.orlowski@itme.edu.pl
Bibliografia
- [1] Staniszewski B.: Wymiana ciepła, podstawy teoretyczne, PWN, Warszawa, 1963
- [2] Marshall H. D.: Increased single crystal length in low-pressure, LEC gallium arsenide, J. Cryst. Growth, 109, (1991), 218-223
- [3] Shibata M., Suzuki T., Kuma S., Inada T.: LEC growth of large GaAs single crystals, J. Cryst. Growth, 128, (1993), 439-443
- [4] Technologia syntezy fosforku galu metodą injekcyjną, ITME, Warszawa, 2004
- [5] Dalecki W., Orłowski W., Gładysz M., Strzelecka S., Hruban A.: Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC, Mater. Elektron., 4, (1997), 23-33
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BAT5-0056-0012