Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni

• Autorzy: Strzelecka S. , Hruban A. , Jurkiewicz-Wegner E. , Piersa M. , Orłowski W. , Mirowska A.

Warianty tytułu

EN

Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Niedomieszkowane monokryształy GaP o niskiej koncentracji nośników n ≤ 2 × 10^16cm-³ stosowane są głównie na elementy optyczne pracujące w bliskiej podczerwieni w zakresie widmowym (1-8) μm oraz w dalekiej podczerwieni (100 - 200) μm. Elementy te mogą posiadać duże rozmiary Φ (2”-3”). Jednym z podstawowych wymagań dla monokryształów stosowanych na elementy optyczne jest duża jednorodność własności, których miernikiem może być transmitancja. Na wartość i jednorodność transmitancji mogą mieć wpływ takie czynniki jak poziom i rozkład koncentracji nośników prądu, gęstości dyslokacji i koncentracji centrów defektowych. W ramach obecnej pracy badano wpływ tych czynników. Stwierdzono, że istnieje jednoznaczna zależność transmitancji tylko od koncentracji nośników prądu. Empirycznie wyznaczono tę zależność dla zakresu koncentracji nośników n = 10^15 - 5× 10^16cm-³ przy długości fali λ = 3100 nm.

EN

Undoped GaP crystals with low carrier concentration n ≤ 2 × 10^16cm-³ are mainly used on optic elements working in near infrared (1-8) um and far infrared (100 - 200) um wave range. These elements can be large Φ = (2”-3”). High homogeneity of the properties responsible for transmittance value is one of the fundamental requirement for GaP crystals used on optical elements. Value and distribution of carrier concentration, etch pits density and concentration defect centers can influence on value and homogeneity of transmittance. In the present work these factors were investigated. Distinct transmittance dependence on carrier concentration was only confirmed. This dependence was empirically determined in concentration range n = 10^15 - 5x10^16cm-³ at wavelength λ = 3100nm.

Słowa kluczowe

PL

GaP; własności elektryczne; własności optyczne

EN

GaP; optical properties; electrical properties

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2009
• Tom: T. 37, nr 2
• Strony: 22--27
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Strzelecka S.

autor

Hruban A.

autor

Jurkiewicz-Wegner E.

autor

Piersa M.

autor

Orłowski W.

autor

Mirowska A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Handbook wyd. Springer - Yerlag
• [2] Yu T.J., Tanno T., Suto K., Nishizawa J.: Controlled vapor-pressure heat-treatment effect on deep levels in liquid - Encapsulated Czochralski - grown GaP crystals, J. Electr. Mater., 31, 6, (2002)
• [3] Kühnel G., Siegel W., Ziegler E.: Electrical and photoelectrical properties of semi-insulating GaP, Phys. Status. Soi. (a), 80, 159, (1983)
• [4] Skazochkin A.V., Krutogolov Yu K., Kunakin Yu L: Nature of some electron traps in GaP, Semicond. Sci. Technol, 10, (1995), 634-638
• [5] Strzelecka S., Hruban A., Orłowski W., Jurkiewicz-Wegner E., Piersa M., Dolecka H., Pawłowska M., Mirowska A., Budnik J., Rosołowska E., Roman G., Dalecki W.: Badanie niejednorodności rozkładu własności elektrycznych i strukturalnych niedomieszkowanych kryształów GaP - Sprawozdanie ITME, 2008