Wpływ cząsteczek wody w B2O3 na właściwości niedomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego

• Autorzy: Orłowski W. , Hruban A. , Mirowska A. , Strzelecka S.

Warianty tytułu

EN

The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single crystals

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opracowano warunki otrzymywania metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową (Liquid Encapsulated Czochralski - LEC) bardzo czystych niedomieszkowanych monokryształów InAs typu n o ruchliwości elektronów μ > 22000 cm ² / Vs i koncentracji elektronów n < 3 x10^16 cm -³ w 300 K. Zbadano wpływ zawartości cząsteczek wody w topniku (B2O3) stosowanym do hermetyzacji stopionego wsadu na parametry elektryczne kryształów oraz na zawartość w nich domieszek resztkowych. Zbadano również wpływ czasu wygrzewania stopionego wsadu przed procesem krystalizacji na własności otrzymanych kryształów.

EN

The aim of this work was to find out technological conditions that allow obtaining high purity undoped InAs single crystals with carrier concentration below 3xl0^16 cm -³ and carrier mobility over 22000 cm ² / Vs. Synthesis by injection method and Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) crystal growth were applied. The influence of water content in B2O3 encapsulant (applied during injection synthesis and LEC growth) on electrical properties of InAs crystals and especially on dopants concentration was investigated. The influence of charge annealing duration before crystallization process on InAs crystals properties was also investigated.

Słowa kluczowe

PL

InAs; LEC; B2O3; własności elektryczne

EN

InAs; LEC; B2O3; electrical properties

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2009
• Tom: T. 37, nr 2
• Strony: 15--21
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys.

Twórcy

autor

Orłowski W.

autor

Hruban A.

autor

Mirowska A.

autor

Strzelecka S.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919, Warszawa,

Bibliografia

• [1] Orłowski W., Hruban A., Mirowska A., Juszt S., Wolszczak M., Strzelecka S., Gładki A., Materna A., Gola H.: Opracowanie metody otrzymywania monokryształów InAs typu n i p o średnicy 2”, Sprawozdanie z pracy statutowej ITME, 1995
• [2] Orłowski W., Hruban A., Mirowska A., Materna A., Strzelecka S., Gładki A.: Badanie przyczyn bliźniakowania monokryształów InAs, sprawozdanie z pracy statutowej ITME, 2000
• [3] W.Orłowski, A.Hruban, A.Mirowska, A.Materna, S.Strzelecka, W.Brzozowski, VI Konferencja Naukowa ELTE - 1997, Krynica
• [4] Orłowski W., Strzelecka S., Hruban A., Mirowska A., Piersa M., Materna A., Wegner E., Gładysz M., Budnik J., Dalecki W.: Badanie wpływu wilgotności topnika na własności monokryształów InP, sprawozdanie z pracy statutowej ITME, 1999
• [5] W.Orłowski, A.Hruban, A.Mirowska, S.Lendzion, W.Dalecki, S.Strzelecka, E.Wegner, M.Piersa, J.Budnik, L.Wójcik, Z.Gołębiowski, A.Konarski, D.Pudło, E.Rosołowska - Opracowanie warunków otrzymywania monokryształów GaP o wysokim stopniu czystości, sprawozdanie z pracy statutowej ITME, 2006
• [6] J.Korb, T.Flade, M.Jurisch, A.Köhler, T.Reinhold, B.Weinert , Carbon, oxygen, boron, hydrogen and nitrogen in LEC growth of SI GaAs: a thermochemical approach, Journal of Crystal Growth 198/199 (1999) 343-348
• [7] J.Nishio, H.Fujita , Ambient gas constituents and segregation of carbon and boron in LEC GaAs single crystals: the role of water in boric oxide encapsulants, Journal of Crystal Growth 134 (1993) 97-104
• [8] S.Eichler, A.Seidl, F.Borner, U.Kretzer, B.Weinert, A combined carbon and oxygen segregation model for the LEC growth of SI-GaAs, Journal of Crystal Growth 247 (2003) 69-76
• [9] W.Dalecki, W.Orłowski, M.Gładysz, S.Strzelecka, A.Hruban, Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC, Materiały Elektroniczne T. 25 nr 4 (1997) 23-33