Identyfikatory
Warianty tytułu
Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds
Języki publikacji
Abstrakty
W pracy omówiono metody identyfikacji kierunków krystalograficznych w celu wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów grupy materiałowej AIIIBV. Przedstawiono porównawcze wyniki otrzymane z wykorzystaniem różnych metod selektywnego trawienia. Określono przydatność poszczególnych metod do wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów bezdyslokacyjnych. Dla monokrystalicznych płytek InAs opracowano technikę określania kierunków krystalograficznych z zastosowaniem masek tlenkowych.
The methods used for determination of the crystallographic orientation in order to make flats on wafers of III-V compounds are presented. The results of selective etching obtained by using various chemical solutions are compared. For dislocation - free InAs wafers, the technique based on using oxide masks have been implemented.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
63--75
Opis fizyczny
Bibliogr. 5 poz., rys.
Twórcy
autor
autor
- Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa, Joanna.Pawlowska@itme.edu.pl
Bibliografia
- [1] Norma DIN 50 454, Deutches Institut für Normung, 2006.
- [2] Norma SEMI M23 - 93; American National Standards Institute, 1993.
- [3] Norma SEMI M9 - 0999; American National Standards Institute, 1999.
- [4] Favaretto M., Guadalupi G.M., Meregalli L., Molinas B., Tolomio G.: On the determination and control of flats location in liquid - encapsulated Czochralski grown InP wafers, Materials Science and Engineering, B28 (1994), 80-83
- [5] Pawłowska J., Gładki A., Ostapska A., Pawłowska M., Konarski A., Powojska E., Rosołowska E.: Sprawozdanie Identyfikacja ścięć bazowych dla standardów (SEMI i EJ) w nisko lub całkowicie bezdyslokacyjnych monokryształach grupy materiałowej AIIIBV. Warszawa, ITME 2007
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BAT5-0033-0009