Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) związków półprzewodnikowych typu AIIIBV

• Autorzy: Pawłowska J. , Bańkowska A.

Warianty tytułu

EN

Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono metody identyfikacji kierunków krystalograficznych w celu wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów grupy materiałowej AIIIBV. Przedstawiono porównawcze wyniki otrzymane z wykorzystaniem różnych metod selektywnego trawienia. Określono przydatność poszczególnych metod do wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów bezdyslokacyjnych. Dla monokrystalicznych płytek InAs opracowano technikę określania kierunków krystalograficznych z zastosowaniem masek tlenkowych.

EN

The methods used for determination of the crystallographic orientation in order to make flats on wafers of III-V compounds are presented. The results of selective etching obtained by using various chemical solutions are compared. For dislocation - free InAs wafers, the technique based on using oxide masks have been implemented.

Słowa kluczowe

PL

ścięcie bazowe; trawienie chemiczne AIIIBV

EN

flats; chemical etching AIIIBV materials

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2008
• Tom: T. 36, nr 3
• Strony: 63--75
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys.

Twórcy

autor

Pawłowska J.

autor

Bańkowska A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Norma DIN 50 454, Deutches Institut für Normung, 2006.
• [2] Norma SEMI M23 - 93; American National Standards Institute, 1993.
• [3] Norma SEMI M9 - 0999; American National Standards Institute, 1999.
• [4] Favaretto M., Guadalupi G.M., Meregalli L., Molinas B., Tolomio G.: On the determination and control of flats location in liquid - encapsulated Czochralski grown InP wafers, Materials Science and Engineering, B28 (1994), 80-83
• [5] Pawłowska J., Gładki A., Ostapska A., Pawłowska M., Konarski A., Powojska E., Rosołowska E.: Sprawozdanie Identyfikacja ścięć bazowych dla standardów (SEMI i EJ) w nisko lub całkowicie bezdyslokacyjnych monokryształach grupy materiałowej AIIIBV. Warszawa, ITME 2007