Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR

• Autorzy: Mazur K. , Sass J. , Surma B. , Piątkowski B. , Wnuk A. , Gładki A. , Turos A.

Warianty tytułu

EN

Measurement of long range surface flatness deviation of Si wafers by means of HR XRR method

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opracowano metodę oszacowania stopnia długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni za pomocą rentgenowskiej metody reflektometrycznej XRR w układzie niezwierciadlanym (non - specular). Otrzymane wyniki dla ośmiu płytek krzemowych o zróżnicowanej grubości porównano z wynikami uzyskanymi za pomocą innych metod: (1) optycznej (w przypadku próbek grubości < 200 μm), (2) z wykorzystaniem stykowego miernika grubości (TSK) (dla próbek o grubości > 200 μm). Pomimo różnych założeń dla porównywanych metod uzyskano wystarczająco dobrą zgodność wyników co świadczy o użyteczności opracowanej metody.

EN

The adaptation of the non-specular X-ray reflectivity method to control the long range random deviation of the surface flatness were done. The results obtained for eight Si samples were compared with the ones obtained (1) by optical method (for the samples < 200 μm in thickness), (2) by contact thickness gage (TSK) measurements, (for samples > 200 m in thickness). Despite of the rather rough assumptions made for compared methods, a sufficiently good conformity has been obtained. This is important conclusion confirms the usefulness of the proposed X-ray method

Słowa kluczowe

PL

płytka Si; reflektrometria rentgenowska

EN

Si wafers; X-Ray reflectrometry

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2008
• Tom: T. 36, nr 3
• Strony: 5--22
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Mazur K.

autor

Sass J.

autor

Surma B.

autor

Piątkowski B.

autor

Wnuk A.

autor

Gładki A.

autor

Turos A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Holy V., Pietsch U., Baumbach T.: High resolution X-ray scattering, Springer-Verlag, New York, LLC 2004
• [2] Sass J., Mazur K., Surma B., Eichhorn R, Litwin D., Galas J., Sitarek S.: X-ray studies of ultra-thin Si wafers for mirror application, Proceedings of the E-MRS IUMRS ICM 2006 Spring Meeting, Nice, France, 2006
• [3] Litwin D., Galas J., Kozłowski T., Sitarek S.: Proc. SPIE 5948, 59480K (2005), In: Photonics Applications In Industry and Research IV, October 2005 - R.S.Romaniuk, S. Simrock, V. M. Lutkowski (Eds)
• [4] Galas J., Litwin D., Sitarek S., Surma B., Piątkowski B., Miros A.: Interferometric and confocal techniques testing of silicon wafers, Proc. SPIE 61880 C(2006); Optical micro- and nanometrology in microsystems technology, 2006-Ch.Gorecki,A.K. Asundi, W. Osten (Eds)