Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

• Autorzy: Pawłowski M.

Warianty tytułu

EN

Application of electron spin resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono widma elektronowego rezonansu spinowego (ESR) dla atomów azotu występujących w różnych politypach monokryształów SiC. Określono wartości czynnika rozszczepienia spektroskopowego g oraz wartości parametru A, charakteryzującego wielkość rozszczepienia wywołanego oddziaływaniem nadsubtelnym. Przeprowadzono identyfikację politypu oraz oszacowano zawartość azotu. Stwierdzono możliwość określania politypu monokryształów SiC na podstawie pomiaru linii ESR dla atomów azotu.

EN

This work presents ESR spectra for nitrogen atoms in various polytypes of SiC crystals. The values of the spectroscopy splitting factor g, as well as of the parameter A describing the amount of splitting induced by hyperfine interaction were determined. The polytype identification was done and nitrogen content was estimated. The possibility of the SiC polytype identification on the grounds of nitrogen related ESR lines measurement was shown.

Słowa kluczowe

PL

elektronowy rezonans spinowy; polityp kryształów SiC; określanie politypu kryształów; kryształ SiC

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2008
• Tom: T. 36, nr 1
• Strony: 70--86
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., wykr.

Twórcy

autor

Pawłowski M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, 01-919 Warszwa, ul. Wólczyńska 133,

Bibliografia

• [1] Willander M., Friesel M., Wahab Q., Straumal B.: Silicon carbide and diamond for high temperature device applications, J.Mat.Sci. - Mat. Elect. 17 (2006), 1-25
• [2] Morkoc H., Strite S., Gao G.B., Lin M.E., Sverdlov B., Burns M.: Large-band-gap SiC, III-V nitride, and ZnSe-based semiconductor device technologies, J.Appl.Phys. 76 (1994), 1363-1396
• [3] Iwata H.P., Lindefelt U., Oberg S., Briddon P.R.: Stacking faults in silicon carbide, Phys. B, 340-342 (2003), 165-170
• [4] Abragam A., Bleaney B.: Electron paramagnetic resonance of transition ions, Clarendon Press - Oxford 1970.
• [5] Greulich-Weber S.: EPR and ENDOR investigations of shallow impurities in SiC polytypes, Phys.Stat.Sol. (a) 162 (1997), 95-151
• [6] Patrick L., Hamilton D.R., Choyke W.J.: Optical properties of 15R SiC: Luminescence of nitrogen-exciton complexes, and interband absorption, Phys. Rev 132 (1963), 2023-2031
• [7] Kalabukhova E.N., Kabdin N.N., Lukin S.N., Mohov E.N., Shanina B.D.: Spektry EPR nieekwiwalentnych pozicij azota w 15R SiC, Solid State Physics 31 (1989), 50-59
• [8] Kalabukhova E.N., Lukin S.N., Shanina B.D., Artamonov L.W., Mohov E.N.: Effekty pryzkowoj prowodimosti w spektrach EPR 4HSiC, silno legirowannych azotom, Solid State Physics 32 (1990), 818-825
• [9] Maier K., Doctoral Thesis, Freiburg 1991
• [10] Veinger A.O.: Soviet Phys. - Semicond. 1 (1967), 14
• [11] Colwell P.J., Klein M.V.: Phys. Rev. B 6 (1972), 498
• [12] Feher G.: Phys. Rev. 114, (1959) 1219
• [13] Kalabukhova E.N., Kabdin N.N., Lukin S.N.: Nowoje predstawlienie o donornych sostojaniach azota w 6HSiC, Solid State Physics, 29 (1987), 2532-2534
• [14] Greulich-Weber S., Feege M., Spaeth J.M., Kalabukova E.N., Lukin S.N., Mokhov E.N.: On the microscopic structures of shallow donors in 6H SiC: Studies with EPR and ENDOR, Solid State Commun. 93 (1995), 393-397
• [15] Choyke W.J., Patrick L.: Phys. Rev. 127 (1962), 1868