Nowa generacja past rezystywnych nie zawierających ołowiu i kadmu spełniających dyrektywę RoHS

• Autorzy: Młożniak A. , Jakubowska M. , Kiełbasiński K. , Zwierkowska E.

Warianty tytułu

EN

The new generation of lead-free and cadmium- free resistive pastes in acordance with RoHS directive

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wyniki badań prowadzące do opracowania technologii rodziny past rezystywnych nie zawierających ołowiu i kadmu oraz spełniających wymogi Unii Europejskiej WEEE i uchwały RoHS. Pokazano wpływ kompozycji pasty na główne właściwości rezystów właściwych, przede wszystkim mikrostrukturę, rezystancję i temperaturowy współczynnik rezystancji (TWR).

EN

The paper presents the results of author's investigations to elaborate lead-free/ cadmium-free resistive paste series in accordance with European Union WEEE and RoHS Directive. Influence of paste composition on the electrical properties of thick film resistors, like microstructure, sheet resistance and temperature coefficient of resistance (TCR) are demonstrated.

Słowa kluczowe

PL

nowa generacja past rezystywnych; dyrektywa RoHS; technologia rodziny past rezystywnych

EN

new generation of lead-free and cadmium- free resistive pastes; RoHS directive

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2006
• Tom: T. 34, nr 3-4
• Strony: 5--18
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Młożniak A.

autor

Jakubowska M.

autor

Kiełbasiński K.

autor

Zwierkowska E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Hormadaly J.: New lead-free thick film resistors. Proceedings of SPIEE-The International Society for Optical Engineering, 4931, 2002, 543-547
• [2] Prudenziati M., Zanardi R, Morten B.,Gualteri A.F.: Lead-free thick film resistors: an explorative investigation. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, January 2002, 13(1), 31-37
• [3] Hormadaly J.: Thick film resistor compositions. U.S. Patent 4,362,656, December 7, 1982
• [4] Hormadaly J.: Thick film resistor compositions. U.S. Patent 4,539,223, September 3, 1985
• [5] Hormadaly J.: Cadmium-free and lead-free thick film paste composition. U.S. Patent 5, 491,118 February 13, 1996
• [6] Jiang J. C., Crosbie G. M., Tian W., Cameron K. K., Pan X. Q.: Transmission electron microscopy structure and platinum-like temperature coefficient of resistance in a ruthe-nate-based thick film resistor with copper oxide. Journal of Applied Physics, 88, 2, 2000, 1124-1128
• [7] Shen-Li Fu,Chi-Schiung Hsi, Chun-Yueh Kang, Wei-Hao Chin: Influences of additives on the electrical properties of lead-free thick film resistors. Proc. of 29th International Conference of IMAPS Poland Chapter, Koszalin-Darłówko, 19-21 Sept. 2005, 19-24
• [8] Warunki techniczne Mennicy Państwowej R-40 na dwutlenek rutenu RuO2
• [9] Warunki techniczne TWT-91/ITME/F-154 dla serii past rezystywnych R-340