Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Autorzy
Treść / Zawartość
Pełne teksty:
Identyfikatory
Warianty tytułu
GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range
Języki publikacji
Abstrakty
Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
78--103
Opis fizyczny
Bibliogr. 7 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
- Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa, Stanislawa.Strzelecka@itme.edu.pl
Bibliografia
- [1] Umicore - informacja prywatna
- [2] Harris D. C.: Durable 3-5 urn transmitting infrared window materials. Infrared Phys. & Technol. 39, 1998, 185-201
- [3] Gladys/ M., Strzelecka S., Piersa M, Wegner E., Orłowski W., Dolecka H.: Sprawozdanie z pracy naukowo-badawczej ,”Identyfikacja centrów defektowych w SI GaAs wykorzystując zjawisko foto-Halla” ITME Warszawa 2000
- [4] Siegel W., Schulte S., Reichel C., Kühnel G.: Anomalous temperature dependence of the Hall mobility in undoped bulk GaAs, J. Appl. Phys., 82 (8), 1997, 3832-3835
- [5] Strzelecka S., A. Hruban, Wegner E., Piersa M., Orłowski W., Mirowska A., Dolecka H.: Sprawozdanie z pracy naukowo-badawczej ,,Badanie wpływu obróbki termicznej na własności monokryształów InP:Fe” ITME, Warszawa 2002
- [6] Peng L.H., Broekaert T, Choi W. Y , Fonstad C., Jones V.: Defect activated infrared multiphonon excitation in iron-doped semi-insulating indium phosphide, Appl. Phys. Lett. 59 (5), 1991, 564-566,
- [7] Zdansky K., Pekarek L., Hlidek P.: Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures, Semicond. Sci. Technol. 18, 2003, 938-944
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BAT5-0011-0073