Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

• Autorzy: Strzelecka S. , Hruban A. , Wegner R. , Piersa N. , Surma B. , Orłowski W. , Mirowska A. , Materna A. , Gładki A.

Warianty tytułu

EN

GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.

EN

In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.

Słowa kluczowe

PL

optyka w podczerwieni; monokryształ; transmitancja monokryształów; zastosowanie materiałów półprzewodnikowych

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2006
• Tom: T. 34, nr 1-2
• Strony: 78--103
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Strzelecka S.

autor

Hruban A.

autor

Wegner R.

autor

Piersa N.

autor

Surma B.

autor

Orłowski W.

autor

Mirowska A.

autor

Materna A.

autor

Gładki A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Umicore - informacja prywatna
• [2] Harris D. C.: Durable 3-5 urn transmitting infrared window materials. Infrared Phys. & Technol. 39, 1998, 185-201
• [3] Gladys/ M., Strzelecka S., Piersa M, Wegner E., Orłowski W., Dolecka H.: Sprawozdanie z pracy naukowo-badawczej ,”Identyfikacja centrów defektowych w SI GaAs wykorzystując zjawisko foto-Halla” ITME Warszawa 2000
• [4] Siegel W., Schulte S., Reichel C., Kühnel G.: Anomalous temperature dependence of the Hall mobility in undoped bulk GaAs, J. Appl. Phys., 82 (8), 1997, 3832-3835
• [5] Strzelecka S., A. Hruban, Wegner E., Piersa M., Orłowski W., Mirowska A., Dolecka H.: Sprawozdanie z pracy naukowo-badawczej ,,Badanie wpływu obróbki termicznej na własności monokryształów InP:Fe” ITME, Warszawa 2002
• [6] Peng L.H., Broekaert T, Choi W. Y , Fonstad C., Jones V.: Defect activated infrared multiphonon excitation in iron-doped semi-insulating indium phosphide, Appl. Phys. Lett. 59 (5), 1991, 564-566,
• [7] Zdansky K., Pekarek L., Hlidek P.: Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures, Semicond. Sci. Technol. 18, 2003, 938-944