Pola quasi-elektryczne i przesunięcia pasmowe, czyli jak nauczyć elektrony nowych sztuczek

Kroemer, H.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Pola quasi-elektryczne i przesunięcia pasmowe, czyli jak nauczyć elektrony nowych sztuczek

Autorzy

Kroemer H.

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma

https://www.ptf.net.pl/PF/archiwum

Identyfikatory

Warianty tytułu

Quasielectric fields and band offsets : teaching electrons new tricks

Języki publikacji

Abstrakty

Słowa kluczowe

dopasowanie sieciowe dopasowanie walencyjne emiter z szeroką przerwą epitaksja z wiązek molekularnych heterostruktura skokowa laser z podwójną heterostrukturą przesunięcie pasmowe siła quasi-elektryczna tranzystor bipolarny z heterostruktur

Wydawca

Polskie Towarzystwo Fizyczne

Czasopismo

Postępy Fizyki

Rocznik

2002

Tom

T. 53, z. 1

Strony

1--15

Opis fizyczny

Bibliogr. 48 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Kroemer H.

University of California, Santa Barbara, USA

Bibliografia

[1] H. Kroemer,RCA Review 18, 332 (1957) (przedruk z Proceedings oE the Symposium \"The Role of Solid State Phenomena in Electric Circuits\", Polytechnic Institute of Brooklyn, kwiecień 1957 r., s. 143).
[2] W. Shockley, patent USA nr 2569347 (1951 r., zgłoszony 26 czerwca 1948 r.).
[3] H. Kromer, Naturwissenschaften 40, 578 (1953).
[4] H. Kromer, Arch. Elektr. Ubertrag. 8, 499 (1954).
[5] H. Kroemer, Proc. IRE 45, 1535 (1957).
[6] H. Kroemer, Proc. IEEE 70, 13 (1982).
[7] H. Kroemer. J. Vac. Sci. Technol.B 1,126(1983).
[8] H. Kroemer, Physica Scripta T68. 10(1996).
[9] H. Kroemer, nieopublikowane (1957).
[10] H. Diedrich, K. Jotten, w: Colloque international sur les dispositifs li semiconducteurs, Paris (Editions Chiron, Paris 1961), s. 330.
[11] H. Kroemer, Proc. IEEE 51, 1782 (1963).
[12] H. Kroemer, patent USA nr 3309553 (1967, zgłoszony 16 sierpnia 1963 r.).
[13] Ż.I. Ałfiorow, W.M. Andrejew, D.Z. Garbuzow, J.W. Żyliajew, E.P. Morozow, E.L. Portnoj, W.G. Trofim. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 4, 1826(1970) [Sov. Phys. - Semicond. 4, 1573 (1971)].
[14] I. Hayashi, M.B. Panish, P.W. Foyt, S. Sumski, Appl. Phys. Lett. 17, 109(1970).
[15] Zh.I. Alferov, Rev. Mod. Phys. 73, 767 (2001)(wykład noblowski; polski przekład ukaże się w jednym z najbliższych zeszytów Postępów - Red.).
[16] Zh.I. Alferov, Pbys. Ser. T68, 32 (1996).
[17] C.Casey, M. Panish, Heterostructure Lasers - Part A: Fundamental Principles (Academic Press, New York 1978), p. 1.2.
[18] H. Kroemer, w: Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Future Trends in Microelectronics, Ile de Bendor, France, red. S. Luryi i in., NATO ASI Series E, t. 323 (Kluwer, Dordrecht 1995), s. 1.
[19] D. Mermin, Phys. Today 52(8), 11 (1999).
[20] G. Abstreiter, Phys. Ser. T68, 68 (1996).
[21] U. Konig, Phys. Ser. T68, 90 (1996).
[22] R.L. Anderson, IBM J. Res. Dev. 4, 283(1960).
[23] W.A. Harrison, E.A. Kraut, J.R. Waldrop, R.W. Grant, Phys. Rev. B 18, 4402 (1978).
[24] H. Kroemer, J. Gryst. Growth 81, 193 (1987).
[25] S.L. Wright, M. Inada, H. Kroemer, J. Vac. Sci. Technol. 21, 534 (1982).
[26] S.L. Wright, H. Kroemer, M. Inada, J. Appl. Phys. 55, 2916 (1984).
[27] H. Kroemer, Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 20-1, 9 (1981).
[28] L. Esaki, R. Tsu, IBM J. Res.Dev. 14, 61 (1970).
[29] R. Dingle, H.L. Stӧrmer, A.C. Gossard, W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
[30] T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, K. Nanbu, Jpn. J. Appl. Phys. 19, Part 2, L225 (1980).
[31] D. Delagebeaudeuf, P. Delescluse, P. Etienne, M. Laviron, J. Chaplart, N.T. Linh, Electron. Lett. 16,667 (1980).
[32] D.C. Tsui, H.L. Stӧrmer, A.C. Gossard,Phys. Rev. Lett. 48, 1559 (1982).
[33] H.L.Stormer, Rev. Mod. Phys. 71, 875 (1999)(wykład noblowski; polski przekład: Postępy Fizyki 51, 113 (2000) - Red.).
[34] R.B. Laughlin, Rev. Mod. Phys. 71, 863 (1999) (wykład noblowski; polski przekład: Postępy Fizyki 51, 68 (2000) - Red.).
[35] H. Kroemer, G. Griffiths, IEEE Electron Device Lett. 4, 20 (1983).
[36] E.J. Caine, S. Subbanna, H. Kroemer, J.L. Merz, A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 45, 1123(1984).
[37] A. Nakagawa, H. Kroemer, J.H. English, Appl. Phys. Lett. 54, 1893 (1989).
[38] E.R. Brown, J.R. Sӧderstrӧm, C.D. Parker, L.J.Mahoney, K.M. Molvar, T.C. McGill, Appl. Phys. Lett. 58, 2291 (1991).
[39] H. Kroemer, C. Nguyen, E.L. Hu, E.L. Yuh, M. Thomas, K.C. Wong, Physica B 203, 298 (1994).
[40] H. Sakaki, L.L. Chang, R. Ludeke, C.A. Chang, G.A. Sai-Halasz, L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 31, 211 (1977).
[41] H. Kroemer, GRG Grit. Rev. SolidState Sci.5, 555 (1975).
[42] W.A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1016 (1977).
[43] W.R. Frensley, H. Kroemer, J. Vac. Sci. Technol.13, 810(1976).
[44] W.R. Frensley, H. Kroemer, Phys. Rev. B 16, 2642 (1977).
[45] N.E. Christensen, Phys. Rev. B 38, \0372687 (1988).
[46] H. Kroemer, W.-Y. Chien, J.S. Harris, D.D. Edwall, Appl. Phys. Lett. 36, 295 (1980).
[47] H. Kroemer, W.-Y. Chien, Solid-State Electron. 24, 655 (1981).
[48] H. Kroemer, Appl. Phys. Lett. 46, 494 (1985).

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BAT2-0001-1323