Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
The double heterostructure concept and its applications in physics, electronics and technology
Języki publikacji
Abstrakty
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
113--130
Opis fizyczny
Bibliogr. 115 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
Bibliografia
- [1] Ya.I. Frenkel, A. Ioffe, Phys. Z. Sowjetunion l, 60 (1932).
- [2] W.P. Żuze, I. W. Kurczatow, ŻETF 2, 309 (1932).
- [3] V.P. Zhuze, LV. Kurchatov, Phys. Z. Sowjetunion 2. 453 (1932).
- [4] Ya.I. Frenkel, Phys. Rev. 37, 17, 1276 (1931).
- [5] J.I. Frenkel, ŻETF 6, 647 (1936).
- [6] E.F. Gross, N.A. Karryjew, DokI. Akad. Nauk SSSR 84, 261 (1952).
- [7] E.F. Gross, N.A. Karryjew, DokI. Akad. Nauk SSSR 84, 471 (1952).
- [8] B.I. Dawidow, ŻETF 9, 451 (1939).
- [9] N.A. Goriunowa, "Sieroje ołowo", praca doktorska, Uniwersytet Leningradzki, Instytut Fizyko- Techniczny (1951).
- [10] AJ. Blum, N.P. Mokrowski, A.R. Regel, Izw. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz. 16, 139 (1952).
- [11] N.H. Welker, Z. Naturforsch. A 7a, 744 (1939); Z. Naturforsch. A 8a, 248 (1953).
- [12] W. Shockley, "Circuit element utilizing semiconductor material" , U.S. Patent 2269347, September 25, 1951.
- [13] AJ. Gubanow, Ż. Tiech. Fiz. 20, 1287 (1950).
- [14] AJ. Gubanow, Ż. Tiech. Fiz. 21, 304 (1951).
- [15] H. Kroemer, Proc. IRE 45, 1535 (1957).
- [16] H. Kroemer, RCA Rev. 28, 332 (1957).
- [17] N.G. Basow, O.N. Krochin, J.M. Popow, ŻETF 39, 1486 (1960).
- [18] D.N. Nasledow i in., Fiz. Twiord. TieIa 4, 1062 (1962) .
- [19] R.H. Hall i in., Phys. Rev. Lett. 9, 366 (1962).
- [20] N. Holonyak Jr., S.F. Bevacgua, Appl. Phys. Lett. 1, 83 (1962).
- [21] M.I. Nathan i in., Appl. Phys. Lett. 1, 62 (1962).
- [22] Ż.I. Ałfiorow, R.F. Kazarinow, "Laser półprzewodnikowy z pompowaniem elektrycznym", zgłoszenie patentowe nr 181737 [ZSRR], wniosek nr 950840, 30 marca 1963 r.
- [23] H. Kroemer, Proc. IEEE 51, 1782 (1963).
- [24] Ż.I. A łfiorow , W.B. Chałfin, R.F. Kazarinow, Fiz. Twiord. Tiela 8, 3120 1966).
- [25] Ż.I. Ałfiorow, Fiz. Tiech. Poluprowodn. 1,436 (1966).
- [26] R.L. Anderson, IBM J. Res. Dev. 4, 283 (1960).
- [27] R.L. Anderson, Solid-State Electron. 5, 341 (1962).
- [28] G. N atta, L. Passerini, Gazz. Chim. Ital. 58, 458 (1928) .
- [29] V.M. Goldschmidt, Trans. Faraday Soc. 25, 253 (1929).
- [30] ŻJ. Ałfiorow i in., Fiz. Twiord. TieIa 9, 279 (1967).
- [31] ŻJ. Ałfiorow, J.W. Żylajew, J.W. Szmarcow, Fiz. Tiech. Poluprowodn. 5, 196 (1971).
- [32] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 1, 1579 (1967).
- [33] H.S. Rupprecht, J .M. Woodall, G.D. Pettit, Appl. Phys. Lett. 11, 81 (1967).
- [34] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 2, 1016 (1968).
- [35] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 2, 1545 (1968).
- [36] Ż.I. Ałfiorow i in., w: Proceedings of the Ninth International Conference on Semiconductor Structures, Moscow, July 23-29, 1968 (Nauka, Leningrad 1969), t. 1, s. 534.
- [37] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 3, 541 (1969).
- [38] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 3, 1054 (1969).
- [39] ZhJ. Alferov, J. Lumin. 1, 869 (1970).
- [40] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 3, 1328 (1969).
- [41] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 3, 930 (1969).
- [42] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 4, 2378 (1970).
- [43] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 7, 1159 (1973).
- [44] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 4, 578 (1970).
- [45] I. Hayashi, IEEE Trans. Electron Dev. ED-31, 1630 (1984).
- [46] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 4, 1826 (1970).
- [47] I. Hayashi i in., Appl. Phys. Lett. 17., 109 (1970).
- [48] ŻJ. Ałfiorow i in., w: Proceedings of the International Conference on Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures, Budapest, October 1970, red. G. Szigeti (Academiai Kiado, Budapest 1971), t. 1, s. 93.
- [49] G.A. Antipas i in., Inst. Phys. Conf.. Ser. 17, 48 (1973).
- [50] L. James i in., Appl. Phys. Lett. 22, 270 (1973).
- [51] A.P. Bogatow i in., Kwant. Elektron. 1, 2294 (1974).
- [52] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 1, 305 (1975).
- [53] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 1, 406 (1975).
- [54] W.R. Hitchens i in., Appl. Phys. Lett. 27,245 (1975).
- [55] Ż.I. Ałfiorow i in. "Półprzewodnikowy kwantowy generator optyczny", zgłoszenie patentowe nr 392875 [ZSRR], wniosek nr 1677436, 19 lipca 1971 r.
- [56] H. Kogelnik, C.V. Shank, Appl. Phys. Lett. 18, 152 (1971).
- [57] R.F. Kazarinow, R.A. Suris, Fiz. Tiech. Poluprowodno 6, 1359 (1972).
- [58] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 8, 832 (1974).
- [59] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 1,645 (1975).
- [60] M. Nakamura i in., Appl. Phys. Lett. 22, 315 (1973).
- [61] D.R. Scifres, R.D. Burnham, W. Streifer, Appl. Phys. Lett. 25, 203 (1974).
- [62] H. Kroemer, G. G riffi.ths, IEEE Electron Dev. Lett. EDL-4, 1, 20 (1983).
- [63] A.N. Baranow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 20, 2217 (1986).
- [64] A.Y. Cho, J. Vac. SCl. Technol. 8, 31 (1971).
- [65] A.Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 19, 467 (1971).
- [66] H.M. Manasevit, Appl. Phys. Lett. 12, 156 (1968).
- [67] R.D. Dupuis, P.D. Dapkus, Appl. Phys. Lett. 31, 466 (1977).
- [68] R. Dingle, W. Wiegmann, C.H. Henry, Phys. Rev. Lett. 33, 827 (1974).
- [69] L. Esaki, R. Tsu, IBM J. Res. Dev. 14, 61 (1970).
- [70] L.W. Kiełdysz, Fiz. Twiord. Tiela 4, 2265 (1962).
- [71] R.F. Kazarinow, R.A. Suris, Fiz. Tiech. Poluprowodno 5, 797 (1971).
- [72] R.F. Kazarinow, R.A. Suris, Fiz. Tiech. Poluprowodn. 6, 148 (1972).
- [73] R.F. Kazarinow, R.A. Suris, Fiz. Tiech. Poluprowodn. 7, 488 (1973).
- [74] R. Tsu, L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 22, 562 (1973).
- [75] G. Osbourn, J. Appl. Phys. 53, 1586 (1982).
- [76] M. Ludowise i in., Appl. Phys. Lett. 42, 487 (1983).
- [77] L.L. Chang i in., J. Vac. Sci. Technol. 10, 11 (1973).
- [78] L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 24, 593 (1974).
- [79] L. Esaki, L.L. Chang, Phys. Rev. Lett. 33,686 (1974).
- [80] J .R. Schrieffer, w: Proceedings of the Conference on the Physics of Semiconductor Surfaces, Philadelphia, June 1956, red. R.H. Kingston (University of Pennsylvania, Philadelphia 1957), s. 68.
- [81] A.B. Fowler i in., Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966).
- [82] V.N. Lutskii, Phys. Status Solidi A 1, 199 (1970).
- [83] R. Dingle i in., Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
- [84] D. Delagebeaudeuf i in., Electron. Lett. 16, 667 (1980).
- [85] T. Mimura i in., Jpn. J. Appl. Phys. 19, L225 (1980).
- [86] J .P. van der Ziel i in., Appl. Phys. Lett. 26, 463 (1975) .
- [87] R.D. Dupuis i in., Appl. Phys. Lett. 32, 295 (1978).
- [88] W.T. Tsang, Appl. Phys. Lett. 40, 217 (1982).
- [89] E. Rezek i in., Appl. Phys. Lett. 31, 534 (1977).
- [90] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 19, 1108 (1985) .
- [91] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 12, 1089 (1986) .
- [92] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 12,210 (1986).
- [93] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 21, 824 (1987).
- [94] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 22, 1031 (1988).
- [95] D.Z. Garbuzov i in., Technical Digest CLE O 1988, paper THU44, s. 396.
- [96] D.Z. Garbuzov i in., Conference Digest 12th International Semiconductor Laser Conference, Davos, Switzerland, 1990, paper L-33, s. 238.
- [97] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 14, 1803 (1988).
- [98] J. Faist i in., Science 264, 553 (1994).
- [99] K. von Klitzing, G. Dorda, M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 45, 494 (1980).
- [100] D.C. Tsui, H.L. Stormer, A.C. Gossard, Phys. Rev. Lett. 48, 1559 (1982).
- [101] Y. Arakawa, H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982) .
- [102] AJ. Ekimov, A.A. Onushchenko, JETP Lett. 34, 345 (1981).
- [103] L. Goldstein i in., Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985).
- [104] N.N. Ledentsov i in.-, w: Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada, 1994, red. D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore 1995), t. 3, s. 1855.
- [105] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 30, 357 (1996).
- [106] V.A. Shchukin i in., Phys. Rev. Lett. 75, 2968 (1995).
- [107] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 30, 351 (1996) .
- [108] N. Kirstaedter i in., Electron. Lett. 30, 1416 (1994).
- [109] G. Park i in., IEEE Photonics Technol. Lett. 33, 230 (2000).
- [110] A.E. Zhukov i in., Electron. Lett. 35, 1845 (1999).
- [111] L.V. Asryan, R.A. Suris, Semicond. Sci. Technol. 11, 554 (1996).
- [112] A.E. Zhukov i in., Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4216 (1997).
- [113] G. Park i in., Appl. Phys. Lett. 75, 3267 (1999).
- [114] J.A. Lott i in., Electron. Lett. 33, 1150 (1997).
- [115] J.A. Lott i in., Electron. Lett. 36, 1384 (2000).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BAT2-0001-1317