PL
 |
EN

PL EN

Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Podwójne heterostruktury oraz ich zastosowanie w fizyce, elektronice i technice

Autorzy
Alferov Z.
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
The double heterostructure concept and its applications in physics, electronics and technology
Języki publikacji
PL
Abstrakty
Słowa kluczowe
PL
Wydawca
Polskie Towarzystwo Fizyczne
Czasopismo
Postępy Fizyki
Rocznik
2002
Tom
T. 53, z. 3
Strony
113--130
Opis fizyczny
Bibliogr. 115 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
Alferov Z.
Bibliografia
  • [1] Ya.I. Frenkel, A. Ioffe, Phys. Z. Sowjetunion l, 60 (1932).
  • [2] W.P. Żuze, I. W. Kurczatow, ŻETF 2, 309 (1932).
  • [3] V.P. Zhuze, LV. Kurchatov, Phys. Z. Sowjetunion 2. 453 (1932).
  • [4] Ya.I. Frenkel, Phys. Rev. 37, 17, 1276 (1931).
  • [5] J.I. Frenkel, ŻETF 6, 647 (1936).
  • [6] E.F. Gross, N.A. Karryjew, DokI. Akad. Nauk SSSR 84, 261 (1952).
  • [7] E.F. Gross, N.A. Karryjew, DokI. Akad. Nauk SSSR 84, 471 (1952).
  • [8] B.I. Dawidow, ŻETF 9, 451 (1939).
  • [9] N.A. Goriunowa, "Sieroje ołowo", praca doktorska, Uniwersytet Leningradzki, Instytut Fizyko- Techniczny (1951).
  • [10] AJ. Blum, N.P. Mokrowski, A.R. Regel, Izw. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz. 16, 139 (1952).
  • [11] N.H. Welker, Z. Naturforsch. A 7a, 744 (1939); Z. Naturforsch. A 8a, 248 (1953).
  • [12] W. Shockley, "Circuit element utilizing semiconductor material" , U.S. Patent 2269347, September 25, 1951.
  • [13] AJ. Gubanow, Ż. Tiech. Fiz. 20, 1287 (1950).
  • [14] AJ. Gubanow, Ż. Tiech. Fiz. 21, 304 (1951).
  • [15] H. Kroemer, Proc. IRE 45, 1535 (1957).
  • [16] H. Kroemer, RCA Rev. 28, 332 (1957).
  • [17] N.G. Basow, O.N. Krochin, J.M. Popow, ŻETF 39, 1486 (1960).
  • [18] D.N. Nasledow i in., Fiz. Twiord. TieIa 4, 1062 (1962) .
  • [19] R.H. Hall i in., Phys. Rev. Lett. 9, 366 (1962).
  • [20] N. Holonyak Jr., S.F. Bevacgua, Appl. Phys. Lett. 1, 83 (1962).
  • [21] M.I. Nathan i in., Appl. Phys. Lett. 1, 62 (1962).
  • [22] Ż.I. Ałfiorow, R.F. Kazarinow, "Laser półprzewodnikowy z pompowaniem elektrycznym", zgłoszenie patentowe nr 181737 [ZSRR], wniosek nr 950840, 30 marca 1963 r.
  • [23] H. Kroemer, Proc. IEEE 51, 1782 (1963).
  • [24] Ż.I. A łfiorow , W.B. Chałfin, R.F. Kazarinow, Fiz. Twiord. Tiela 8, 3120 1966).
  • [25] Ż.I. Ałfiorow, Fiz. Tiech. Poluprowodn. 1,436 (1966).
  • [26] R.L. Anderson, IBM J. Res. Dev. 4, 283 (1960).
  • [27] R.L. Anderson, Solid-State Electron. 5, 341 (1962).
  • [28] G. N atta, L. Passerini, Gazz. Chim. Ital. 58, 458 (1928) .
  • [29] V.M. Goldschmidt, Trans. Faraday Soc. 25, 253 (1929).
  • [30] ŻJ. Ałfiorow i in., Fiz. Twiord. TieIa 9, 279 (1967).
  • [31] ŻJ. Ałfiorow, J.W. Żylajew, J.W. Szmarcow, Fiz. Tiech. Poluprowodn. 5, 196 (1971).
  • [32] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 1, 1579 (1967).
  • [33] H.S. Rupprecht, J .M. Woodall, G.D. Pettit, Appl. Phys. Lett. 11, 81 (1967).
  • [34] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 2, 1016 (1968).
  • [35] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 2, 1545 (1968).
  • [36] Ż.I. Ałfiorow i in., w: Proceedings of the Ninth International Conference on Semiconductor Structures, Moscow, July 23-29, 1968 (Nauka, Leningrad 1969), t. 1, s. 534.
  • [37] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 3, 541 (1969).
  • [38] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 3, 1054 (1969).
  • [39] ZhJ. Alferov, J. Lumin. 1, 869 (1970).
  • [40] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 3, 1328 (1969).
  • [41] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 3, 930 (1969).
  • [42] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 4, 2378 (1970).
  • [43] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 7, 1159 (1973).
  • [44] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 4, 578 (1970).
  • [45] I. Hayashi, IEEE Trans. Electron Dev. ED-31, 1630 (1984).
  • [46] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 4, 1826 (1970).
  • [47] I. Hayashi i in., Appl. Phys. Lett. 17., 109 (1970).
  • [48] ŻJ. Ałfiorow i in., w: Proceedings of the International Conference on Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures, Budapest, October 1970, red. G. Szigeti (Academiai Kiado, Budapest 1971), t. 1, s. 93.
  • [49] G.A. Antipas i in., Inst. Phys. Conf.. Ser. 17, 48 (1973).
  • [50] L. James i in., Appl. Phys. Lett. 22, 270 (1973).
  • [51] A.P. Bogatow i in., Kwant. Elektron. 1, 2294 (1974).
  • [52] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 1, 305 (1975).
  • [53] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 1, 406 (1975).
  • [54] W.R. Hitchens i in., Appl. Phys. Lett. 27,245 (1975).
  • [55] Ż.I. Ałfiorow i in. "Półprzewodnikowy kwantowy generator optyczny", zgłoszenie patentowe nr 392875 [ZSRR], wniosek nr 1677436, 19 lipca 1971 r.
  • [56] H. Kogelnik, C.V. Shank, Appl. Phys. Lett. 18, 152 (1971).
  • [57] R.F. Kazarinow, R.A. Suris, Fiz. Tiech. Poluprowodno 6, 1359 (1972).
  • [58] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 8, 832 (1974).
  • [59] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 1,645 (1975).
  • [60] M. Nakamura i in., Appl. Phys. Lett. 22, 315 (1973).
  • [61] D.R. Scifres, R.D. Burnham, W. Streifer, Appl. Phys. Lett. 25, 203 (1974).
  • [62] H. Kroemer, G. G riffi.ths, IEEE Electron Dev. Lett. EDL-4, 1, 20 (1983).
  • [63] A.N. Baranow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 20, 2217 (1986).
  • [64] A.Y. Cho, J. Vac. SCl. Technol. 8, 31 (1971).
  • [65] A.Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 19, 467 (1971).
  • [66] H.M. Manasevit, Appl. Phys. Lett. 12, 156 (1968).
  • [67] R.D. Dupuis, P.D. Dapkus, Appl. Phys. Lett. 31, 466 (1977).
  • [68] R. Dingle, W. Wiegmann, C.H. Henry, Phys. Rev. Lett. 33, 827 (1974).
  • [69] L. Esaki, R. Tsu, IBM J. Res. Dev. 14, 61 (1970).
  • [70] L.W. Kiełdysz, Fiz. Twiord. Tiela 4, 2265 (1962).
  • [71] R.F. Kazarinow, R.A. Suris, Fiz. Tiech. Poluprowodno 5, 797 (1971).
  • [72] R.F. Kazarinow, R.A. Suris, Fiz. Tiech. Poluprowodn. 6, 148 (1972).
  • [73] R.F. Kazarinow, R.A. Suris, Fiz. Tiech. Poluprowodn. 7, 488 (1973).
  • [74] R. Tsu, L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 22, 562 (1973).
  • [75] G. Osbourn, J. Appl. Phys. 53, 1586 (1982).
  • [76] M. Ludowise i in., Appl. Phys. Lett. 42, 487 (1983).
  • [77] L.L. Chang i in., J. Vac. Sci. Technol. 10, 11 (1973).
  • [78] L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 24, 593 (1974).
  • [79] L. Esaki, L.L. Chang, Phys. Rev. Lett. 33,686 (1974).
  • [80] J .R. Schrieffer, w: Proceedings of the Conference on the Physics of Semiconductor Surfaces, Philadelphia, June 1956, red. R.H. Kingston (University of Pennsylvania, Philadelphia 1957), s. 68.
  • [81] A.B. Fowler i in., Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966).
  • [82] V.N. Lutskii, Phys. Status Solidi A 1, 199 (1970).
  • [83] R. Dingle i in., Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
  • [84] D. Delagebeaudeuf i in., Electron. Lett. 16, 667 (1980).
  • [85] T. Mimura i in., Jpn. J. Appl. Phys. 19, L225 (1980).
  • [86] J .P. van der Ziel i in., Appl. Phys. Lett. 26, 463 (1975) .
  • [87] R.D. Dupuis i in., Appl. Phys. Lett. 32, 295 (1978).
  • [88] W.T. Tsang, Appl. Phys. Lett. 40, 217 (1982).
  • [89] E. Rezek i in., Appl. Phys. Lett. 31, 534 (1977).
  • [90] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 19, 1108 (1985) .
  • [91] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 12, 1089 (1986) .
  • [92] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 12,210 (1986).
  • [93] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 21, 824 (1987).
  • [94] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 22, 1031 (1988).
  • [95] D.Z. Garbuzov i in., Technical Digest CLE O 1988, paper THU44, s. 396.
  • [96] D.Z. Garbuzov i in., Conference Digest 12th International Semiconductor Laser Conference, Davos, Switzerland, 1990, paper L-33, s. 238.
  • [97] Ż.I. Ałfiorow i in., Pisma Ż. Tiech. Fiz. 14, 1803 (1988).
  • [98] J. Faist i in., Science 264, 553 (1994).
  • [99] K. von Klitzing, G. Dorda, M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 45, 494 (1980).
  • [100] D.C. Tsui, H.L. Stormer, A.C. Gossard, Phys. Rev. Lett. 48, 1559 (1982).
  • [101] Y. Arakawa, H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982) .
  • [102] AJ. Ekimov, A.A. Onushchenko, JETP Lett. 34, 345 (1981).
  • [103] L. Goldstein i in., Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985).
  • [104] N.N. Ledentsov i in.-, w: Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada, 1994, red. D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore 1995), t. 3, s. 1855.
  • [105] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 30, 357 (1996).
  • [106] V.A. Shchukin i in., Phys. Rev. Lett. 75, 2968 (1995).
  • [107] Ż.I. Ałfiorow i in., Fiz. Tiech. Poluprowodn. 30, 351 (1996) .
  • [108] N. Kirstaedter i in., Electron. Lett. 30, 1416 (1994).
  • [109] G. Park i in., IEEE Photonics Technol. Lett. 33, 230 (2000).
  • [110] A.E. Zhukov i in., Electron. Lett. 35, 1845 (1999).
  • [111] L.V. Asryan, R.A. Suris, Semicond. Sci. Technol. 11, 554 (1996).
  • [112] A.E. Zhukov i in., Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4216 (1997).
  • [113] G. Park i in., Appl. Phys. Lett. 75, 3267 (1999).
  • [114] J.A. Lott i in., Electron. Lett. 33, 1150 (1997).
  • [115] J.A. Lott i in., Electron. Lett. 36, 1384 (2000).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BAT2-0001-1317
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.