Dziurowe nadprzewodnictwo w fulerenie [C60]

• Autorzy: Stankowski J.

Warianty tytułu

EN

Hole superconductivity in fullerene [C60]

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

EN

Recent discovery of high-temperature superconductivity in [C60] single crystals, induced by hole generation, is discussed. The construction of field-emission transistors based on this efFect and their applications are reviewed.

Słowa kluczowe

PL

fuleren C60; nadprzewodnictwo dziurowe; tranzystor nadprzewodzący z modulowaną temperaturą krytyczną [Tc]

• Wydawca: Polskie Towarzystwo Fizyczne
• Czasopismo: Postępy Fizyki
• Rocznik: 2001
• Tom: T. 52, z. 6
• Strony: 321--323
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz.,Rys., wykr.,

Twórcy

autor

Stankowski J.

• Prof. zw., czł. koresp. PAN ; fizyka, radiospektroskopia ciała stałego ; Instytut Fizyki Molekularnej PAN