High frequency voltage inverter with an additional resonant circuit

• Autorzy: Szychta E.

Warianty tytułu

PL

Falownik napięcia wysokiej częstotliwości z dodatkowym obwodem rezonansowym

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The article presents a resonant voltage inverter with MOSFET transistors, designed to operate at frequency of 2MHz. The main and additional resonant circuits have been analysed. The impact of output capacitances of transistors on the system operation and choice of control method has been discussed. The method of selecting elements of the additional resonant circuit has been presented. Results of inverter simulation tests using Simplorer software have been discussed.

PL

W artykule przedstawiono rezonansowy falownik napięcia z tranzystorami MOSFET przeznaczony do pracy z częstotliwością 2MHz. Podano analizę obwodu głównego i dodatkowego obwodu rezonansowego. Omówiono wpływ pojemności wyjściowych tranzystorów na działanie układu i wybór metody sterowania. Podano metodę doboru elementów dodatkowego obwodu rezonansowego. Przedstawiono wyniki badań symulacyjnych falownika w oparciu o program Simplorer.

Słowa kluczowe

EN

resonant inverter; MOSFET transistor; output capacitance

PL

rezonansowy falownik; tranzystor MOSFET; pojemność wyjściowa

• Wydawca: Akademia Górniczo-Hutnicza im. S. Staszica w Krakowie ; Politechnika Łódzka
• Czasopismo: Jakość i Użytkowanie Energii Elektrycznej
• Rocznik: 2004
• Tom: T. 10, z. 1/2
• Strony: 63--76
• Opis fizyczny: bibliogr. 9 poz.

Twórcy

autor

Szychta E.

• Technical University of Radom,

Bibliografia

• 1. Akagi H.: The State of the An of Power Electronics in Japan. IEEE Transactions on Power Electronics, vol.13, 1998, no.2.
• 2. Citko T., Tunia H., Winiarski B: Uklady rezonansowe w energoelektronice (Resonant systems in power electronics). Biatystok. 2001, Wydawnictwa Politechniki Bialostockiej.
• 3. Fujita H., Akagi H., Shinohara S .: A 2-MHz 6-kVA Voltage-Source Inverter Using Low-Profile MOSFET Module for Low-Temperature Plasma Generators. IEEE Transactions on Power Electronics, 1999, 14, 6.
• 4. Januszewski S.,Swiqlek H., Zymmer K..-.Półprzewodnikowe przyrządy mocy (Semi-conductor power equipment), Warsrawa, 1999, WKL.
• 5. Kazimierczuk M.K., Czarkowski D .: Resonant Power Converters. Singapure. 1995, A Wiley-lnterscience Publication. John Wiley and Sons. Inc. New York, Toronto.
• 6. MikoIajuk K..: Poditawy analizy obwodów energoelektronicznych (Basic analysis of power electronic circuits). Warszawa. 1998. PWN.
• 7. Szychla E.: Wpływ pojemności wyjściowych tranzystorów typu MOSFET na prace, jednofazowego szeregowego falownika napięcia (Impact of output capacitances of MOSFET transistors upon operation of one-phase series voltage inverter). Przegląd Elektrotechniczny, in the press.
• 8. Tunia H., Smirnow A., Nowak M., Barlik R.: Uklady energoelektroniczne. obliczanie, modelowanie, projektowanie (Power electronic systems, calculation, modelling, design). Warszawa. 1982, WNT.
• 9. The website www.diaiclcc.corn.