Wpływ impulsowych zakłóceń elektromagnetycznych na obwód z tranzystorem bipolarnym

• Autorzy: Fagiewicz K. , Witkowski S.

Warianty tytułu

EN

Influence of the impulse electromagnetic interference upon a circuit with a bipolar junction transistor

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zakłócenia impulsowe powstają w wyniku zaburzeń elektromagnetycznych towarzyszących m.in. procesom łączeniowym w obwodach z indukcyjnością, wyładowaniom elektrostatycznym będących skutkiem przebicia izolacji pomiędzy naładowanym elektrostatycznie obiektem a urządzeniem oraz wyładowaniom atmosferycznym w sieć zasilającą. Do środowiska urządzeń elektrycznych zakłócenia mogą przenikać przewodami sieci zasilającej lub poprzez układy sprzężeń występujące pomiędzy siecią lub innym obiektem a danym urządzeniem. W zależności od energii i liczby impulsów, ich amplitudy, przebiegu czasowego i toru sprzężenia, zakłócenia impulsowe mogą spowodować okresowo zablokowanie pracy tranzystora, a także parametryczne lub trwałe jego uszkodzenie [2]. Mając na uwadze wymagania w zakresie kompatybilności elektromagnetycznej, które powinny spełniać urządzenia zawierające tranzystory, badanie odporności elementów elektronicznych na zakłócenia impulsowe nabiera coraz większego znaczenia. Dlatego zajmują się nimi wyspecjalizowane laboratoria kompatybilności elektromagnetycznej, pracujące na potrzeby konstruktorów przyrządów półprzewodnikowych i układów energoelektronicznych, a także na użytek technik specjalnych. Badania zostały przeprowadzone w Katedrze Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych Politechniki Gdańskiej.

EN

Influence of the pulse interference caused by electromagnetic disturbances in the vicinity of the equipment in use upon a circuit with a bipolar junction transistor. Parameters of the disturbing impulses and testing procedure. Results of the examinations.

Słowa kluczowe

PL

zakłócenia elektromagnetyczne; tranzystor; tranzytor bipolarny

EN

electromagnetic interference; transistor; bipolar transistor

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 2001
• Tom: R. LXIX, nr 10
• Strony: 431--434
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr., rys.

Twórcy

autor

Fagiewicz K.

• Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych Politechniki Gdańskiej

autor

Witkowski S.

• Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych Politechniki Gdańskiej

Bibliografia

• [1] FAGIEWICZ K.: Kompatybilność elektromagnetyczna elektrycznych urządzeń okrętowych. Materiały konferencji „Napędy i sterowania' 97". Gdańsk 1997
• [2] FAGIEWICZ K.: Narażenia urządzeń energoelektronicznych impulsowymi zakłóceniami elektromagnetycznymi. I Sympozjum Naukowe „Aktualne problemy w metrologii" APM' 2000. Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej 2000 nr 14
• [3] PN-EN 50082-1 Kompatybilność elektromagnetyczna EMC. Wymagania ogólne dotyczące odporności na zakłócenia
• [4] PN-EN 50082-2 Kompatybilność elektromagnetyczna EMC. Wymagania ogólne dotyczące odporności na zaburzenia
• [5] RZENIAK M.: Kompatybilność elektromagnetyczna wyzwaniem w stosunku do urządzeń i obiektów elektroenergetycznych oraz elektronicznych. Automatyka Elektroenergetyczna 2000 nr 3
• [6] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Zastosowanie nowoczesnych materiałów w konstrukcji modułów energoelektronicznych. Wiadomości Elektrotechniczne 2000 nr 1