Przyczyny uszkodzeń przyrządów energoelektronicznych dużej mocy

• Autorzy: Januszewski S.

Warianty tytułu

EN

Causes of damage to high-power electronic devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przekształtniki półprzewodnikowe są urządzeniami o dużej niezawodności działania, co potwierdzono pozytywnymi doświadczeniami zgromadzonymi podczas wieloletniej ich eksploatacji, często w bardzo ciężkich warunkach środowiskowych (np. napędy trakcyjne lokomotyw kolejowych, przekształtniki systemów przesyłowych prądem stałym wysokiego napięcia - HVDC). Stosowane w przekształtnikach przyrządy półprzewodnikowe dużej mocy, o prądach znamionowych przekraczających kilkaset amperów, przy napięciach znamionowych większych od l kV, są na ogół również eksploatowane w bardzo ciężkich warunkach, jeżeli chodzi o poziom narażeń elektrycznych, cieplnych i mechanicznych. Aczkolwiek są to przyrządy o dużej niezawodności działania, to nie można zupełnie wykluczyć ich sporadycznych awarii, które mogą być groźne dla otoczenia, tj. dla obsługi i samych urządzeń energoelektronicznych.

EN

Properties of the casing of high-power semiconductor devices under break-down conditions. Mechanism of the damage to transistor units 16BT during short-circuits.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor; uszkodzenie; przekształtniki energii

EN

transistor; damage

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 2001
• Tom: R. LXIX, nr 5
• Strony: 200--205
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki Warszawa członek SEP

Bibliografia

• [1] HAGINO H. i in.: En Experimental and Numerical Study on the Forward Biased SOA of IGBT' s. IEEE Trans. on Electron Devices 1996 nr 3
• [2] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZER-BIK M., ŚWIĄTEK H., ŚWIĄTEK G.: Causes and Mechanisms of Semiconductor Device Failures in Power Converter Service Conditions. 6th European Conference on Power Electronics and Applications EPE' 95. Sept. 1995, Sevilla (Spain)
• [3] JANUSZEWSKI S., ŚWIĄTEK H., ZYMMER K.: Some Experiences Concerning of a Starting and Service of High Power IGBT Converters. EPE' 97. Sept. 1997, Trondheim
• [4] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M., ŚWIĄTEK H.: Some Observation Dealing with the Failures of IGBT Transistors in High Power Converters. Microelectronics Reliability 1998 nr 38
• [5] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M., ŚWIĄTEK H., ŚWIĄTEK G.: Semiconductor Device Failure in Power Converter Service Conditions. EPE Journal 1998 nr 3-4
• [6] JANUSZEWSKI S., ŚWIĄTEK H., ZYMMER K.: Półprzewodnikowe przyrządy mocy. Właściwości i zastosowania. WKiL, Warszawa 1999
• [7] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M., PYTLAK A., ŚWIĄTEK H., ZYMMER K.: Wpływ uszkodzeń półprzewodnikowych przy-rządów mocy na bezpieczeństwo urządzeń energoelektronicznych. Prace Instytutu Elektrotechniki 1999, z. 203
• [8] JANUSZEWSKI S.: Międzynarodowe sympozjum ISPSD ' 2000. Wiadomości Elektrotechniczne 2000 nr 12