Kryteria doboru dyskretnych przyrządów energoelektronicznych do wysokonapięciowych układów przekształtnikowych dużej mocy

• Autorzy: Januszewski S.

Warianty tytułu

EN

Criteria for selection of discrete power electronic devices for high-voltage, high-power converter systems

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W układzie energoelektronicznym półprzewodnikowy przyrząd mocy spełnia funkcję łącznika, dzięki któremu przez odpowiednie sterowanie można przekształcać parametry energii elektrycznej zgodnie z życzeniami użytkowników. Wymaga się, aby przyrząd działał szybko, ale bez wytwarzania nadmiernych sygnałów zakłócających, miał wystarczająco duże prądy i napięcia, aby nie było potrzeby łączenia równoległego lub/i szeregowego w celu uzyskania żądanej mocy wyjściowej układu, wykazywał wymaganą niezawodność działania oraz był bezpieczny dla obsługi przekształtnika i środowiska.

EN

Economic aspects of high-voltage power electronic devices. Limitations of improving power electronic devices. Basic criteria for selection of semiconductor devices for high-power converters. Profits resulting from an innovation of system solutions.

Słowa kluczowe

PL

energetyka; przyrząd energoelektroniczny; układ wysokonapięciowy; przekształtniki energii

EN

electronic devices; high-power; high voltage; converter systems

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 2001
• Tom: R. LXIX, nr 4
• Strony: 140--145
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., tab., wykr., rys.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie, członek SEP

Bibliografia

• [1] BALIGA B. J.: Trends in Power Discrete Devices. Proc. of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs ISPSD' 98. June 1998, Kyoto (Japan)
• [2] BERNET S., STEIMER P. K.: IGCTs in Soft Switching Power Converters. Proc. of EPE' 99. Sept. 1999, Lausanne (Switzerland)
• [3] JANUSZEWSKI S., ZYMMER K.: Overcurrent Protection Coordination in Converters with IGBT Transistors. Proc. of EPE' 99. Sept. 1999, Lausanne (Switzerland)
• [4] JANUSZEWSKI S., ŚWIĄTEK H., ZYMMER K.: Półprzewodnikowe przyrządy mocy - właściwości i zastosowania. WKŁ, Warszawa 1999
• [5] JANUSZEWSKI S.: Udoskonalone dyskretne wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne 2000 nr 6
• [6] JANUSZEWSKI S.: Some Choice Criteria of Semiconductor Devices for High Power Converters. XVI Symposium „Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits - EPNC ' 2000". Sept. 2000, Kraków
• [7] LORENZ L.: System Integration - New Milestone for Future Power Electronic Systems. Proc. of PCIM'98. May 1998, Nürnberg (Germany)
• [8] LOCKWOOD G., WAKEMANN F.: Bond-free Pressure Contact IGBTs. PCIM Europe 1999 nr 12
• [9] MATSUDA H.: New Advanced Power Semiconductors. Proc. of PCIM' 98. May 1998, Nürnberg
• [10] MAYNARD T.A.: High Power Converter Topologies. Proc. of PCIM' 98. May 1998, Nürnberg
• [11] PETER J.M.: Main Future Trends for Power Semiconductors from the State of Art to Future Trends. Proc. of Power Conversion - PCIM' 99. June 1999, Nürnberg
• [12] SCHRÓDER D.: Emerging Power Electronic Devices, Physical Modelling and CAE. Proc. of PEMC '98. Sept. 1998, Prague (Czech Republic)
• [13] ZELLER H.: High Power Components - from the State of the to Future Trends. Proc. of Power Conversion - PCIM' 98. May 1998, Nürnberg
• [14] ZYMMER K., SAKOWICZ S., JANUSZEWSKI S.: High Power Semiconductor Device Thermal Stresses during Short-Circuit States. Proc. of 9th International Conference on Power Electronics and Motion Control - EPE-PEMC' 2000. Sept. 2000, Kośice (Slovak Republic)