Węglik krzemu - półprzewodnik dla wysokotemperaturowych przyrządów energoelektronicznych

• Autorzy: Januszewski S.

Warianty tytułu

EN

Silicon carbide - a semiconductor for high temperature power electronic devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Krzem już ponad 40 lat jest podstawowym materiałem półprzewodnikowym przeznaczonym do produkcji przyrządów energoelektronicznych. Jednak stale wzrastające zapotrzebowanie na przyrządy półprzewodnikowe zdolne do jednoczesnego działania przy wysokim napięciu i w wysokiej temperaturze powoduje, że ciągle badane są właściwości innych materiałów półprzewodnikowych. Właściwości krzemu i arsenku galu (GaAs), z których wykonuje się przyrządy dużych mocy, ulegają degradacji w podwyższonych temperaturach występujących w niektórych zastosowaniach, takich jak motoryzacja, przemysł chemiczny i techniki kosmiczne. Dzięki szerokiemu pasmu zabronionemu i dużemu krytycznemu natężeniu pola powodującemu przebicie, węglik krzemu (SiC) jest uznawany za najbardziej obiecujący dla tych zastosowań.

EN

Properties of silicon carbide. Details of semiconductor devices based on SiC, their housings and thermal resistance.

Słowa kluczowe

PL

krzem; arsenek galu; półprzewodniki

EN

silicon carbide; semiconductor; thermal resistance

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 2001
• Tom: R. LXIX, nr 3
• Strony: 106--110
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., tab., wykr., rys.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki Warszawa
• czzłoinek SEP

• Instytut Elektrotechniki Warszawa

Bibliografia

• [1] ASANO K. i in.: High Temperature Static and Dynamie Characteristics of 3,7 kV High Voltage 4H-SiC JBS. Proc. of ISPSD'2000. May 2000, Toulouse (France)
• [2] BALIGA B. J.: Trends in Power Semiconductor Devices. IEEE Trans. on Electron Devices 1996 nr 10
• [3] FRIEDRICHS P. i in.: SiC Power Devices with Low on-Resistance for Fast Switching Applications. Proc. of ISPSD'2000. May 2000, Toulouse (France)
• [4] JANUSZEWSKI S.: Węglik krzemu (SiC) - perspektywiczny półprzewodnik. XIV Beskidzkie Seminarium Elektryków - BSE' 2000. Istebna, wrzesień 2000
• [5] KHEMKA V. i in.: Static and Dynamic Charac-teristics of a 1100 V, Double-lmplanted, Planar, 4H-SiC PiN Rectifier. Proc. of ISPSD' 1999. June 1999, Toronto (Canada)
• [6] KIMOTO T. i in.: Performance Limiting Surface Defects in SIC Epitaxial P-N Junction Diodes. IEEE Trans. on Electron Devices 1999 nr 3
• [7] MATSUNAMI H.: Progress in Wide Bandgap Semiconductor SiC for Power Devices. Proc. of ISPSD'2000. May 2000, Toulouse (France)
• [8] PETERS D. i in.: Characterization of Fast 4,5 kV SiC P-N Diodes. Proc. of ISPSD' 2000. May 2000, Toulouse (France)
• [9] PETERS D. i in.: An 1800 V Triple Implanted Vertical 6H-SiC MOSFET. IEEE Trans. on Electron Devices 1999 nr 3
• [10] SESHADRI S. i in.: Tum-off Characteristics of 1000 V SiC Gate-Turn-off Thyristors. Proc. of ISPSD' 1998. June 1998, Kyoto (Japan)
• [11] SUGAWARA Y. i in.: 4,5 kV Novel High Voltage High Performance SiC-FET „SIAFET". Proc. of ISPSD' 2000. May 2000, Toulouse (France)
• [12] WANG J., WILLIAMS B.W.: Evolution of High Voltage 4H-SiC Switching Devices. IEEE Trans. on Electron Devices 1999 nr 3
• [13] WONDRAK W: Physical Limits and Lifetime Limitation of Semiconductor Devices at High Temperatures. Microelectronics Reliability 1999 t. 39, ss. 1113-1120