Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice

Barlik, R.; Rąbkowski, J.; Nowak, M.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice

Autorzy

Barlik R. , Rąbkowski J. , Nowak M.

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma

http://pe.org.pl/

Identyfikatory

Warianty tytułu

Silicon carbide (SiC) semiconductor devices in power electronics

Języki publikacji

Abstrakty

W artykule przedstawiono podstawowe właściwości węglika krzemu (SiC) jako nowego materiału przydatnego do budowy przyrządów półprzewodnikowych mocy, znajdujących zastosowanie w energoelektronice. Zaprezentowano wyniki badań laboratoryjnych łącznika półprzewodnikowego, złożonego z krzemowego tranzystora IGBT i diody Schottky'ego z węglika krzemu oraz łącznika, złożonego z krzemowego tranzystora IGBT i krzemowej diody szybkiej. Porównanie wyników tych badań wyraźnie wskazuje na korzystne właściwości węglika krzemu jako materiału półprzewodnikowego, który zastępując krzem, stwarza możliwości budowy układów energoelektronicznych o nieosiągalnych dotychczas właściwościach, takich jak wysoka gęstość mocy, małe gabaryty, wysoka sprawność energetyczna, wysoka temperatura pracy, niski poziom zakłóceń elektromagnetycznych, wysoka częstotliwość przełączeń.

The paper describes basic properties of silicon carbide (SiC), new semiconductor material suitable for built devices for power electronic. Experimental investigations results of switch consisting silicon (Si) IGBT and SiC Schottky diode or Si ultrafast diode are presented. Comparison shows very positive properties of SiC, which makes possible construction of power electronics converters with unavailable before features as high power density, small dimensions, high efficiency, high operating temperature, low EMI emission, high switching frequency.

Słowa kluczowe

węglik krzemu półprzewodnikowe przyrządy mocy dioda Schottky'ego

silicon carbide semiconductor devices Schottky diode

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Przegląd Elektrotechniczny

Rocznik

2006

Tom

R. 82, nr 11

Strony

1--8

Opis fizyczny

Bibliogr. 13 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Barlik R.

autor

Rąbkowski J.

autor

Nowak M.

Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej

Bibliografia

[1] Garcia O., Zumael P., Castro A., Cobos J.: Automotive DC- DC Bidirectional Corwerter Made With Many Interleaved Buck Stages. IEEE Transactions on Power Electronics, Vol.21, No.3, May 2006, s.578-586
[2] Kola r J. W.: Use of SiC Components in Power Electronic Systems - Overview. SiC User Forum - Potential of SiC in Power Electronic Applications, ECPE European Center for Power Electronics, 14-15 March 2006, Nuremberg, Germany
[3] Friedrichs P.: SiC Transistors - characteristics, technology, development status and outlook. SiC User Forum - Potential of SiC in Power Electronic Applications, ECPE European Center for Power Electronics, 14-15 March 2006, Nuremberg, Germany
[4] Gerber M., Ferreira J.A., Silinger, Hofsajer: Integral 3-D Thermal, Electrical and Mechanical Design of an Automotive DC/DC Converter. IEEE Transactions on Power Electronics, Vol.20, No.3,May 2005,pp.566-575
[5] Liang Z., Lu B., Van Wyk J.D., Lee F.C.: Integrated Cool MOS FET/SiC - Diode Module for High Performance Power Switching. IEEE Transactions on Power Electronics, Vol.20, No.3, May 2005, pp.679-686
[6] Allebrand B.: On SiC JFET converters: components, gate drives and main-circuit considerations. Doctoral Thesis. Royal Institute of Technology. Department of Electrical Engineering Electrical Machines and Power Technology. Stockholm, Sweden 2005
[7] Elasser A., Kheraluwala M.H., Ghezzo M., Steigerwald R.L., Evers N.A., Kretchmer J., Chow T.P.: A Comparative Evaluation of New Silicon Carbide Diodes for Power Electronics Applications. IEEE Transactions on Industry Applications, Vol.39, No.4,July/August 2002, pp.915-921
[8] Kolessar R.: Compact Modeling of Si and SiC Power Diodes. Doctoral Dissertation. Royal Institute of Technology. Department of Electrcal Engineering Electrical Machines and Power Electronics. Stockholm, Sweden 2001
[9] Richmond J. :Hard Switched Silicon IGBTs? Cut Switching Losses in Half with Silicon Carbide Schottky Diodes, Application Note VPWR-AN03, CREE Inc.
[10] O'Neill M.: SiC Puts New Spin On Motor Drives. Power Electronics Technology Magazine, January 2005
[11] www.infineon.com
[12] www.cree.com
[13] www.rsc.rockwell.com./siliconcarbide/index.html

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BAR0-0021-0055