Nano SiC doping of MgB2 bulk made by high inert gas pressure mixing and isostatic sintering

• Autorzy: Morawski A. , Łada T. , Presz A. , Mazur T. , Diduszko R. , Zaleski A. , Bodoardo S. , Dellarocca V. , Przybylski K.

Warianty tytułu

PL

Domieszkowanie MgB2 nanokrystalicznym SiC przy zastosowaniu mieszania w wysokim ciśnieniu gazu obojętnego i spiekania izostatycznego

• Konferencja: Seminarium i Warsztaty Naukowe "Zastosowania Nadprzewodników ZN-5"
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The effect of the nano-powder SiC doping on the MgB2 bulk superconducting properties was investigated. Powders were mixed by a high gas pressure ultrasonic reactor. Synthesis were performed at inert gas at pressure of up to 1 GPa at temperature from 1500 K to 1550 K, in the high pressure gas trap system, at the equilibrium magnesium vapor pressure. As obtained samples all were superconducting with Tc over 39K. The highest known Tc = 42.6 K for bulk was recorded for the sample doped with 1.5 at % of the 6nm SiC.

PL

Zbadano wpływ domieszkowania MgB2 nanokrystalicznym SiC. Proszki mieszano w reaktorze ultradźwiękowym w wysokim ciśnieniu argonu. Syntezę przeprowadzono w ciśnieniu Ar do 1 GPa w temperaturze od 1500 do 1550 K przy zastosowaniu syfonowego układu tygli. Temperatura krytyczna przewyższała 39 K, osiągając rekordową wartość 42,6 K dla próbki domieszkowanej 6 nm SiC w ilości 1.5 at %.

Słowa kluczowe

EN

doping; superconducting properties; isostatic sintering

PL

domieszkowanie; właściwości nadprzewodnikowe; spiekanie izostatyczne

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2004
• Tom: R. 80, nr 11
• Strony: 1125--1128
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Morawski A.

• High Pressure Research Center “Unipress” Polish Academy of Sciences, Warszawa, Poland

autor

Łada T.

• High Pressure Research Center “Unipress” Polish Academy of Sciences, Warszawa, Poland

autor

Presz A.

• High Pressure Research Center “Unipress” Polish Academy of Sciences, Warszawa, Poland

autor

Mazur T.

• High Pressure Research Center “Unipress” Polish Academy of Sciences, Warszawa, Poland

autor

Diduszko R.

• Institute of Electronic Materials Technology, Warszawa

autor

Zaleski A.

• Institute of Low Temperature and Structure Research, Wrocław, Poland

autor

Bodoardo S.

• Politecnico di Torino - Dipartimento di Scienze dei Materiali e Ingegneria Chimica, C.so Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy

autor

Dellarocca V.

• Politecnico di Torino - Dipartimento di Scienze dei Materiali e Ingegneria Chimica, C.so Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy

autor

Przybylski K.

• Faculty of Materials Science and Ceramics, Dept. of Solid State Chemistry, University of Science and Technology (AGH), Kraków, Poland

Bibliografia

• [1] Nagamatsu J., Nakagawa N., Muranaka T., Zanitani Y., Akimitsu J., Nature, 410 (2001) 63
• [2] Cava R.J., Zandbergen H.W., Inumaru K., Physica C, 385 (2003) 8-15
• [3] Ribeiro R.A., Bud‟ko S.L., Petrovic C., Canfield P.C., Physica C, 385, (2003) 16-23
• [4] Przybylski K. and Morawski A., Preparation of Extra High Tc Materials – Microstructure and Properties of Hg-Ba-Ca-Cu-O and Tl-Ba-Ca-Cu-O Single Crystals and Films, ISBN 963 420 695 6
• [5] Lee S., Physica C, 385, (2003) 21-41
• [6] Liu Z.K., Schlom D.G., Li Q., Xi X.X., Appl. Phys. Letters 78 (2001) 3678
• [7] Zeng X.H., Pogrebnyakov A.V., Kotcharov A., Jones J.E., Xi X.X., Lysczek E.M., Redwing J.M., Xu S.Y., Li Q., Lettieri J., Schlom D.G., Tian W., Pan X.Q., Zhong Y. and Liu Z.K., In situ epitaxial MgB2 thin films for superconducting electronics, Nature Materials, 1 (2002), 35-38
• [8] Larbalestier D.C., Rikel M.O., Cooley L.D., Polyanskii A.A., Jiang J.Y., Patnaik S., Cai X.Y., Feldmann D.M., Gurevich A., Squitieri A.A., Naus M.T., Eom C.B., Hellstrom E.E., Cava R.J., Regan K.A., Rogado N., Hayward M.A., He T., Slusky J.S., Khalifah P., Inumaru K., Haas M., Strongly linked current flow in polycrystalline forms of the new superconductor MgB2, condmat/0102216