Identyfikatory
Warianty tytułu
Time-lag effect due to semiconductor switches on disturbances in power engineering electronic systems
Języki publikacji
Abstrakty
W artykule przedstawiono problematykę wpływu opóźnień wnoszonych przez łączniki półprzewodnikowe na charakterystyki widmowe napięć zaburzeń elektromagnetycznych powstających w układach energoelektronicznych. Zaprezentowano widma impulsów zaburzających dla przypadku przebiegów opisanych funkcją wykładniczą. Określono napięcia zaburzeń z uwzględnieniem właściwości łącznika i porównano je z zaburzeniami zmierzonymi w obwodzie z tyrystorem.
The paper presents the effect of connection processes due to semiconductor switches on voltage spectrum of electromagnetic disturbances occurring in power electronic systems. Disturbance pulse spectra relating to cases described by exponential function are given. The disturbance voltages occurring while engaging the switch have been determined and compared with the disturbances measured in the thyristor circuit.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
959--961
Opis fizyczny
Bibliogr. 3 poz., rys.
Twórcy
autor
- Politechnika Gdańska, Wydział Elektrotechniki i Automatyki, Katedra Enegoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Bibliografia
- [1] Fagiewicz K. Napięcia zakłóceń w obwodach łączników półprzewodnikowych. Zeszyty naukowe Politechniki Łódzkiej. Elektryka. Łódź Konferencja EMC'03 s. 39-48, rys. 4, bibliog. 7 poz. ISSN 037
- [2] Fagiewicz K. Zaburzenia elektromagnetyczne w obwodach łączników półprzewodnikowych. Badania statutowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej 2003r. Nie publikowane.
- [3] Polska Norma PN-CISPR 16-1 Wymagania dotyczące urządzeń i metod pomiarów zaburzeń radioelektrycznych i odporności na zaburzenia radioelektryczne
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BAR0-0007-0014
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.