Węglik krzemu : wczoraj, dziś, jutro

Kurcz, M.; Huczko, A.

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Węglik krzemu : wczoraj, dziś, jutro

Autorzy

Kurcz M. , Huczko A.

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma

https://przemyslchemiczny.com/

Identyfikatory

Warianty tytułu

Silicon carbide : yesterday, today, tomorrow

Języki publikacji

Abstrakty

Dzięki swym specyficznym i unikatowym właściwościom fizykochemicznym węglik krzemu jest najważniejszym materiałem z grupy tzw. wysokoogniotrwałej ceramiki specjalnej. Przestawiono historię odkrycia SiC oraz jego charakterystykę, a następnie skoncentrowano się na obecnych i perspektywicznych zastosowaniach tego węglika. Szczególną rolę zaczyna on odgrywać w nowoczesnej mikroelektronice, która poszukuje nowych materiałów mogących zastąpić krzem. Dokonano również przeglądu patentowego w obszarze SiC. Osobny rozdział poświęcono nanostrukturalnemu węglikowi krzemu, który wykazuje dodatkowe ciekawe właściwości.

A review, with 72 refs., of methods for prodn., properties and uses of SiC in electronics, photovoltaics, sensorics, lithography and material science (protective layers, composites, nanocomposites).

Słowa kluczowe

węglik krzemu

silicon carbide

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Przemysł Chemiczny

Rocznik

2012

Tom

T. 91, nr 6

Strony

1152--1159

Opis fizyczny

Bibliogr. 72 poz., rys., tab., wykr

Twórcy

autor

Kurcz M.

Uniwerytet Warszawski

autor

Huczko A.

ahuczko@chem.uw.edu.pl

Wydział Chemii, Uniwersytet Warszawski, ul. Pasteura 1, 02-093 Warszawa

Bibliografia

1. L. Stobierski, Ceramika węglikowa, AGH, Uczelniane Wydawnictwa Naukowo-Dydaktyczne, Kraków 2005 r.
2. J.J. Berzelius, Ann. Phys., Leipzig 1824, 77, 169.
3. E.G. Acheson, Pat. bryt. 17911 (1892); Pat. USA 492767 (1892).
4. E.G. Acheson, J. Farad. Soc. 1893, 194.
5. K.H. Mehrwald, Ber. DKG 1992, 69, 72.
6. J.A. Lely, Berichte der Deutschen Keramischen Gesellschaft e.V 1955, 32, 229.
7. H. Matsunami, S. Nishino, H. Ono, IEEE Trans. Electron. Devices 1981, ED-28, 1235.
8. L. Stobierski, Węglik krzemu, budowa, właściwości i otrzymywanie, Polski Biuletyn Ceramiczny 10, Polskie Towarzystwo Ceramiczne, Kraków 1996 r.
9. T.L. Daulton, T.J. Bernatowicy, R.S. Lewis, S. Messenger, F.J. Stadermann, S. Amari, Science 2002, 296, 1852.
10. http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/semi_en/kap_a/basics/ba_1_1.html
11. A. Lebedev, C. Sbruev, Elektronika (ros.) 2006, nr 5, 28.
12. H.J. Round, Electrical World 1907, 19, 309.
13. R. Madar, Nature 2004, 430, 974.
14. D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamaguchi, T. Ito, A. Okamoto, H. Kondo, S. Onda, K. Takatori, Nature 2004, 430, 1009.
15. J.B. Casady, R.W. Johnson, Solid State Electr. 1996, 39, 1409.
16. P. Caban, W. Strupiński, J. Szmidt, Elektronika 2010, 3, 145.
17. J. Edmond, H. Kong, A. Suvorov, D. Waltz, C. Carter, Phys. Stat. Sol. (a) 1997, 162, 481.
18. F.B. McLean, J.M. McGarrity, C.J. Scozzie, C.W. Tipton, W.M. DeLancey, IEEE Trans. Nuclear Sci. 1994, 41, 1884.
19. D. Chen, S.P. Wong, W.Y. Cheung, J.B. Xu, Solid State Commun. 2003, 128, 435.
20. Z. Yu, I. Pereyra, M.N.P. Carreno, Solar Energy Materials & Solar Cells 2001, 66, 155.
21. K. Sugita, M. Itoh, A. Masuda, H. Matsumura, Thin Solid Films 2003, 430, 170.
22. F. Finger, O. Astakhova, T. Brongera, R. Cariusa, T. Chena, A. Dasguptaa, A. Gordijna, L. Houbenb, Y. Huanga, S. Kleina, M. Luysbergb, H. Wanga, L. Xiaoa, Thin Solid Films 2009, 517, 3507.
23. T. Seyller, Appl. Phys. A 2006, 85, 371.
24. E. Janzen, O. Kordina, A. Henry, W.M. Chen, N.T. Son, B. Monemar, E. Sorman, P. Bergman, C.I. Harris, R. Yakimova, M. Tuominen, A.O. Konstantinov, C. Hallin, C. Hemmingsson, Physica Scripta 1994, T54, 283.
25. N.G. Wright, A.B. Horsfall, K. Vassilevski, Materials Today 2008, 11, 16.
26. S. Dimitrijev, Microelectronic Eng. 2006, 83, 123.
27. W.K. Chen, The VLSI handbook, CRC Press LLC, Retired, Freemont, California, USA, 2006 r., rozdział P.G. Neudeck Silicon Carbide technology.
28. S. Saddow, A. Agarwal, Advances in silicon carbide processing and applications, Artech House, Inc, Boston, London 2004 r.
29. C.Y. Chang, Y.K. Fang, C.F. Huang, B.S. Wu, J. Electrochem. Soc. 1985, 132, 418.
30. L.S. Chang, P.L. Gender, J.-H. Jou, J. Mater. Sci. 1991, 26, 1882.
31. X. Qiang, H. Li,Y. Zhang, Q. Fu, J. Wei, S. Tian, Corrosion Sci. 2011, 53, 523.
32. Q.G. Fu, H. Xue, H. Wu, H.J. Li, K.Z. Li, J. Tao, Ceramics Int. 2010, 36, 1463.
33. Y.H. Chu, Q.G. Fu, C.W. Cao, H.J. Li, K.Z. Li, Q. Lei, Surface Coat. Technol. 2010, 205, 413.
34. Y. Ogura, T. Morimoto, J. Electrochem. Soc. 2002, 149, J47.
35. H.E. Eaton, G.D. Lindsey, J. Eur. Ceram. Soc. 2002, 22, 2741.
36. D.E. Glass, 15th AIAA Space Planes and Hypersonic Systems and Technologies Conference, “Ceramic Matrix Composite (CMC) Thermal Protection Systems (TPS) and Hot Structures for Hypersonic Vehicles”, 2008 r., AIAA-2008-2682.
37. N. Igawa, T. Taguchi, T. Nozawa, L.L. Snead, T. Hinoki, J.C. McLaughlin, Y. Katoh, S. Jitsukawa, A. Kohyama, J. Phys. Chem. Solid. 2005, 66, 551.
38. R.H. Jones, L. Giancarli, A. Hasegawa, Y. Katoh, A. Koyama, B. Riccardi, L.L. Snead, W.J. Weber, J. Nucl. Mater. 2002, 307-311, 1057.
39. A. Hasegawa, A. Kohayama, R.H. Jones, L.L. Snead, B. Riccardi, P. Fenici, J. Nucl. Mater. 2000, 283-287, 128.
40. T. Allen, J. Busby, M. Meyers, D. Petti, Materials Today 2010, 12,14.
41. E.J. Connolly, B. Timmer, H.T.M. Pham, J. Groeneweg, P.M. Sarro, W. Olthuis, P.J. French, Sensors Actuators B 2005, 109, 44 (czujnik, 1D) “A porous SiC ammonia sensor”.
42. D.M. Brown, E. Downey, J. Kretchmer, G. Michon, E. Shu, D. Schneider, Solid-State Electronics 1998, 42, 755.
43. M.A. Fraga, H. Furlan, M. Massi, I.C. Oliveira, L. Lkoberstein, Procedia Eng. 2010, 5, 609.
44. G. Bertuccio, S. Binetti, S. Caccia, R. Casiraghi, A. Castaldini, A. Cavallini, C. Lanzieri, A.L. Donne, F. Nava, S. Pizzini, L. Rigutti, G. Verzellesi, E. Vittone, Mat. Sci. Forum 2005, 483-485, 1015.
45. A. Jean, M. Chsker, Y. Diawara, P.K. Leung, E. Gat, P.P. Mercier, H. Pepin, S. Gujrathi, G.G. Ross, J.C. Kieffer, J. Appl. Phys. 1992, 72, 3110.
46. S. Xie, V. Savu, W. Tang, O. Vazquez-Mena, K. Sidler, H. Zhang, J. Brugger, Microelectron. Eng. 2010, doi:10.1016/j.mee.2010.11.056.
47. Y. Chen, Y. Zhou, G. Pan, E. Huq, B.R. Lu, S.Q. Xie, J. Wan, Z. Shu, X.P. Qu, R. Liu, S. Banu, S. Birtwell, L. Jiang, Microelectronic Eng. 2008, 85, 1147.
48. A. Kubiak, M. Sochacki, Z. Lisik, J. Szmidt, A. Konczakowska, R. Barlik, Mat. Sci. Eng. B 2009, 165, 18.
49. pl.espacenet.com
50. J. Landin, Pat. bryt. 189804033 (7 maja 1898 r.).
51. E.G. Acheson, Pat. bryt. 190227179 (12 lutego 1903 r.).
52. S. Iijima, Nature 1991, 354, 56.
53. D.H. Feng, T.Q. Jia, X.X. Li, Z.Z. Xu, J. Chen, S.Z. Deng, Z.S. Wu, N.S. Xu, Solid State Commun. 2003, 128, 295.
54. X.T. Zhou, N. Wang, H.L. Lai, H.Y. Peng, I. Bello, N.B. Wong, C.S. Lee, S.T. Lee, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3942.
55. F.L. Wang, L.Y. Zhang, Y.F. Zhang, Nanoscale Res. Lett. 2009, 4, 153.
56. J.J. Niu, J.N. Wang, Appl. Phys. A 2009, 94, 613.
57. A. Huczko, M. Osica, A. Rutkowska, M. Bystrzejewski, H. Lange, S. Cudziło, J. Phys. Cond. Matt. 2007, 19, 395022.
58. H. Goldschmidt, Pat. niem. 96317 (1895).
59. M. Soszyński, A. Dąbrowska, M. Bystrzejewski, A. Huczko, Cryst. Res. Technol. 2010, 45, 1241.
60. N.I. Cho, Y. Choi, S.J. Noh, Current Appl. Phys. 2006, 6, 161.
61. H.S. Kim, Y.J. Park, I.H. Choi, Y-J. Baik, Thin Solid Films 1999, 34, 42.
62. Dong S. Kim, Young H. Lee, Thin Solid Films 1996, 283, 109.
63. I. Lin, M.S. Wu, Semicond. Sci. Technol. 1992, 7, 233.
64. H. ElGazzar, E. Abdel-Rahman, H.G. Salem, F. Nassar, Appl. Surf. Sci. 2010, 256, 2056.
65. E.W. Wong, P.E. Sheehan, C.M. Lieber, Science 1997, 277, 1971.
66. Y.Q. Zhu, W.B. Hu, W.K. Hsu, M. Terrones, N. Grobert, J.P. Hare, H.W. Kroto, D.R.M. Walton, H. Terrones, J. Mater. Chem. 1999, 9, 3173.
67. Y. Zhang, M. Nishitani-Gamo, C. Xiao, T. Ando, J. Appl. Phys. 2002, 91, 6066.
68. H.C. Lo, D. Das, J.S. Hwang, K.H. Chen, C.H. Hsu, C.F. Chen, L.C. Chen, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1420.
69. K.W. Wong, X.T. Zhou, F.C.K. Au, H.L. Lai, C.S. Lee, S.T. Lee, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 2918.
70. A. Mavrandonakis, G.E. Frouakis, A. Andriotis, M. Menon, J. Appl. Phys. 2006, 89, 123126.
71. C. Pham-Huu, N. Keller, G. Ehret, M.J. Ledoux, J. Catal. 2001, 200, 400.
72. N. Keller, C. Pham-Huu, G. Ehret, V. Keller, M.J. Ledoux, Carbon 2003, 41, 2131.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-AGHM-0050-0030