Otrzymywanie wybranych materiałów termoelektrycznych metodą krystalizacji kierunkowej i ich charakterystyka

• Autorzy: Schmidt M , Zybała R. , Wojciechowski K.T.

Warianty tytułu

EN

Properties of thermoelectric materials prepared by directional crystallization

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Celem pracy było otrzymanie monokryształów związków AgSbSe2, Ag0,9Sb1,1Se2 oraz BiSbTe3 metodą Bridgmana. Materiały otrzymywano dwoma wariantami metody różniącymi się wytwarzanym gradientem temperatur w obszarze frontu krystalizacji. Obserwacje mikrostrukturalne oraz składu chemicznego przeprowadzono skaningowym mikroskopem elektronowym (SEM) z analizatorem dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS) oraz za pomocą emisyjnej spektroskopii atomowej (AES). Badania jednorodności właściwości termoelektrycznych przeprowadzono za pomocą mikrosondy Seebecka w temperaturze pokojowej. Stwierdzono, że współczynnik Seebecka dla materiału AgSbSe2 zmienia się monotonicznie w zakresie od 250 do 1000 μVK-1. Dla związku Ag0,9Sb1,1Se2 współczynnik Seebecka wynosi od -500 do -750 μVK-1. Monokryształy BiSbTe3 cechują się małymi zmianami wartości współczynnika Seebecka w przedziale od 200 do 280 μVK-1.

EN

The aim of this work was to prepare single crystals of AgSbSe2, Ag0,9Sb1,1Se2 and BiSbTe3 by the Bridgman method. Materials were prepared by means of two variants of this method, differing in temperature gradients in the area of the crystallization front. Microstructural and chemical analysis were done using Scanning Electron Microscope (SEM) with Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS) and Atomic Emission Spectroscopy (AES). Analysis of homogeneity of thermoelectric properties was carried out using the Seebeck microprobe at room temperature. It was found that the Seebeck coefficient for AgSbSe2 changed monotonically in the range from 250 to 1000 μVK-1. For Ag0,9Sb1,1Se2, the Seebeck coefficient is in range from -500 to -750 μVK-1. Single crystals of BiSbTe3 exhibit small changes of the Seebeck coefficient in the range from 200 to 280 μVK-1.

Słowa kluczowe

PL

hodowla monokryształów; półprzewodniki; właściwości termoelektryczne

EN

single crystals preparation; semiconductors; thermoelectric properties

• Wydawca: Polskie Towarzystwo Ceramiczne
• Czasopismo: Materiały Ceramiczne
• Rocznik: 2010
• Tom: T. 62, nr 1
• Strony: 56--59
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Schmidt M

autor

Zybała R.

autor

Wojciechowski K.T.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, al. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków,

Bibliografia

• [1] Wojciechowski K., Toboła J., Schmidt M., Zybała R.: J. Phys. Chem. Solids, 69, 11, (2008), 2748-2755.
• [2] Wojciechowski K., Schmidt M.: Phys. Rev. B, 79, (2009), 184202.
• [3] Geller S., Wernik J.H.: Acta Crystallogr., 12, (1959), 46.
• [4] Wernick H., Benson K.E.: Phys. Chem. Solids, 3, (1957), 157.
• [5] Wolfe R., Wernick J.H., Haszko E.: J. Appl. Phys., 31, (1960), 1959.
• [6] Wang K., Steimer C., Detemple R., Wamwangi D., Wutting M.: Appl. Phys., A81, (2005), 1601-1605.
• [7] Xu J., Liu B., Song Z., Feng S.: Chen B., Mater. Sci. Eng B, 127, (2006), 228-232.
• [8] Zayed H.A., Ibrahim A.M., Soliman L.I.: Vacuum, 47, 1, (1996), 49-51.
• [9] Soliman H.S., AbdelHady D., Ibrahim E.: J. Phys. Condens. Matter, 10, (1998), 847-856.
• [10] Wand K., Steimer C., Wutting M.: J. Ovonic Res., 2, 4, (2006), 61-65.
• [11] Patel A.R., Lakshminarayana D.: Thin Solid Films, 98, (1982), 59-63.
• [12] Abdelghany A., Elsayed S.N., Abdelwahab D.M., Abou El Ela A.H., Mousa N.H.: Mater. Chem. Phys., 44, (1996), 277-280.
• [13] Patel A.R., Lakshminarayana D., Rao K.V.: Thin Solids Film, 98, (1982), 51-57.
• [14] Desai C.F., Chourasia N.C., Dhar S.N.: Mater. Lett., 45, (2000), 116-119.
• [15] Ivanowa L.D., Petrova L.I., Granarkina Yu.V. Zemskov V.S.: Inorg. Mater., 43, 9, (2007), 933-937.
• [16] Desai C.F., Dhar S.N.: Phil. Mag. Lett., 80, 6, (2000), 435-440.