Wpływ utleniania na właściwości elektryczne TiN, (x = 0,9 i x =1,0)

• Autorzy: Baś B. , Ziemnicka M. , Sobaś P. , Stobierski L. , Rękas M.

Warianty tytułu

EN

Effect of oxidation on electrical properties of tinx (x = 0.9 & x = 1.0)

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Metoda van der Pauwa została wykorzystana do określenia rezystywności elektrycznej ceramiki TiN i TiN0,9 w zakresie temperatur 300-1000 K. Stwierdzono, że w zależności od składu chemicznego pokazuje ona albo właściwości metaliczne albo półprzewodnikowe. Procesowi utleniania towarzyszą przejścia metal —> półprzewodnik (w przypadku TiN) i półprzewodnik --> metal (w przypadku TiN0,9).

EN

The van der Pauw method has been applied to determine electrical resistivity of TiN and TiN0.9 ceramics in the temperature range of 300-1000 K. It was found, that depending on Chemical composition materials show either metallic or semiconducting properties. Transitions metal --> semiconductor (for TiN) and semiconductor --> metal (case TiN0.9) accompany to the oxidation process.

Słowa kluczowe

PL

tlenoazotki tytanu; utlenianie; właściwości elektryczne; przejście półprzewodnik-metal

EN

titanium oxynitrides; electrical properties; semiconductor - metal transition

• Wydawca: Polskie Towarzystwo Ceramiczne
• Czasopismo: Materiały Ceramiczne
• Rocznik: 2009
• Tom: T. 61, nr 3
• Strony: 182--185
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Baś B.

autor

Ziemnicka M.

autor

Sobaś P.

autor

Stobierski L.

autor

Rękas M.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Katedra Chemii Analitycznej, al.Mickiewicza 30, 30-059 Kraków,

Bibliografia

• [1] Barsani M., Vanzetti L, Sbetti M., Anderle M.: Appl. Surf. Sci., 144-145, (1999), 301.
• [2] Franchy R.: Surf. Sci. Rep., 38, (2000), 195.
• [3] Venkataraj S., Kapperfz O., Jayavel R., Wutting M.: J. Appl. Phys.,92, (2002), 2461.
• [4] Martin N., Sanjines R., Takadoum J., Levy R: Surf. Coat. Techn.,142-144, (2001), 615.
• [5] Probst J., Gbureck U., Thull R.: Surf. Coat. Technol., 148, (2001), 226.
• [6] Asahi R., Morikawa T., Ohwaki T., Aoki K., Taga Y.: Science, 293, (2001), 269.
• [7] Khan S.U.M., Al-Shahry M., Ingler W.B. Jr: Science, 297, (2002), 2243.
• [8] Mohamed S.H., Kappertz O., Niemeir T., Drese R., Wakkad M.M., Wuttig M.: Thin Solid Films, 468, (2004), 48.
• [9] Michalow K.A., Longvinovich D., Weidenkaff A., Amberg M. Fortunatto G., Heel A., Graule T., Rekas M.: Catal. Today, (w druku).
• [10] US Patent 7,186,392, Georgia Tech.Research Corp., Atlanta GA, USA, 6 Mar 2007.
• [11] Churpina V.G., Shalya I.M., Zenkov V.S.: Powder Metallurg & Metal Ceram., 45, (2006), 82, 168; 46, (2007), 182.
• [12] Yas'kiv O.I., Pohrelyuk I.M., Fedriko V.M., Bonchyk O.Yu, Kravchyshyn T.M.: Mater. Sci., 43, (2007), 370.
• [13] Pohrelyuk IM., Fedriko V.M., Tkachuk O.V.: Mater. Sci., 44, (2008), 64.
• [14] Ziemnicka M., Baś B., Stobierski L., Rękas M.: Mater. Ceram./ Ceram. Mater., 61, [2], (2009), 125.
• [15] vander PauwL.J.: Philips Res.Rep., 13, (1958), 1.
• [16] Weiss J.D., Kaplar R.J., Kambour K.E.: Solid State Electronics, 52, (2008), 91.
• [17] Baś B., Ziemnicka M., Sobaś P., Stobierski L, Rękas M.: Mater. Ceram./Ceram. Mater., 61, [3], (2009) 179-181.