Obrazowanie obszarów implantowanych w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem nieniszczącej techniki radiometrii w podczerwieni

• Autorzy: Chrobak Ł. , Maliński M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.08.24

Warianty tytułu

EN

Visualization of the implanted areas in semiconductor materials with the use of the nondestructive infrared photothermal radiometry technique

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawione zostały zagadnienia dotyczące możliwości wykorzystania nieniszczącej techniki radiometrii w podczerwieni PTR (PhotoThermal Radiometry) do wizualizacji obszarów implantowanych w krzemie. Przedstawiony został szczegółowy opis zrealizowanego stanowiska eksperymentalnego. Zaprezentowano przykładowe wyniki badań, w formie mapy, rozkładu oraz przekroju amplitudy i fazy sygnału PTR, uzyskanych dla zbadanej implantowanej próbki krzemowej.

EN

This paper presents issues connected with possibilities of the usage of the nondestructive infrared photothermal radiometry technique PTR (PhotoThermal Radiometry) for visualization of the implanted areas in silicon. Detailed description of the realized experimental set-up has been presented. Example results in the form of the maps and profiles of the amplitude and phase of the PTR signal obtained for the investigated sample have been presented.

Słowa kluczowe

PL

badania nieniszczące; radiometria w podczerwieni; krzem; parametry rekombinacyjne; czas życia nośników; implantacja jonowa; obrazowanie

EN

nondestructive testing; photothermal radiometry; silicon; recombination parameters; minority carrier lifetime; ion implantation; visualization

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 8
• Strony: 92--94
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys.

Twórcy

autor

Chrobak Ł.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki, ul. JJ Śniadeckich 2, 75-453 Koszalin

autor

Maliński M.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki, ul. JJ Śniadeckich 2, 75-453 Koszalin

Bibliografia

• [1] Salnik A., Mandelis A., Ruda H., Jean C., Relative sensitivity of photomodulated reflectance and photothermal infrared radiometry to thermal and carrier plasma waves in semiconductors, J. Appl. Phys. 82(4) (1997), 1853-1859
• [2] Salnic A., Mandelis A., Jean C., Noncontact measurement of transport properties of long-carrier-lifetime wafers using photothermal radiometry, Appl. Phys. Lett. 69(17) (1996), 2522-2524
• [3] Mandelis A., Laser infrared photothermal radiometry of semiconductors: principles and applications to solid state electronics, Solid - State Electronics 42(1) (1998), 1-15
• [4] Chrobak Ł., Maliński M., Badania wybranych materiałów optoelektronicznych z wykorzystaniem fototermicznej radiometrii w podczerwieni, Przegląd Elektrotechniczny 92(9) (2016), 122-124
• [5] Chrobak Ł., Maliński M., Pawlak M., Measurements of the Optical Absorption Coefficient of Ar+8 Ion Implanted Silicon Layers Using the Photothermal Radiometry and the Modulated Free Carrier Absorption Methods, Infrared Physics & Technology 67 (2014), 604–608
• [6] Maliński M., Pawlak M., Chrobak Ł., Pal S., Ludwig A., Monitoring of Amorfization of the Oxygen Implanted Layers in Silicon Wafers Using Photothermal Radiometry and Modulated Free Carrier Absorption, Applied Physics A - Materials Science & Processing 118(3) (2015), 1009-1014
• [7] Pawlak M., Maliński M., Chrobak Ł., Pal S., Ludwig A., Wykorzystanie fal plazmowych i techniki C-V do charakteryzacji warstw implantowanych jonami O+6 w krzemie, Elektronika - technologie, konstrukcje, zastosowania 55(9) (2014), 70-72

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).