Formowanie i stabilizacja rozkładu pola optycznego w płaszczyźnie złącza w diodach laserowych dużej mocy

• Autorzy: Sobczak G. , Dąbrowska E. , Teodorczyk M. , Krzyżak K. , Dąbrowski A. , Maląg A.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2015.9.4

Warianty tytułu

EN

Shaping and stabilization of optical field distribution in the junction plane of high-power laser diodes

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (14 ; 08-12.06.2015 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Niska stabilność wiązki optycznej emitowanej przez lasery półprzewodnikowe wysokiej mocy w znaczący sposób ogranicza ich stosowalność w precyzyjnych układach. W artykule przedstawiono wyniki modelowania numerycznego oraz eksperymentalne charakterystyki diod laserowych, w których uzyskano emisję wiązki optycznej o podwyższonej stabilności.

EN

Poor stability of the beam emitted by high-power laser diodes limits their applicability in high-precision systems. In this paper, the laser diodes which emit a beam of better quality are presented. The numerical and experimental results are shown.

Słowa kluczowe

PL

diody laserowe; rozkłady modów; formowanie wzmocnienia

EN

laser diodes; mode distribution; gain shaping; optical field shaping

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2015
• Tom: Vol. 56, nr 9
• Strony: 20--23
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Sobczak G.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Zakład Optoelektroniki, Warszawa
• Politechnika Warszawska, Wydział Fizyki

autor

Dąbrowska E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Zakład Optoelektroniki, Warszawa

autor

Teodorczyk M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Zakład Optoelektroniki, Warszawa

autor

Krzyżak K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Zakład Optoelektroniki, Warszawa

autor

Dąbrowski A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Zakład Optoelektroniki, Warszawa

autor

Maląg A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Zakład Optoelektroniki, Warszawa

Bibliografia

• [1] J. Piprek, „Self-consistent far-field blooming analysis for high-power Fabry-Perot laser diodes”, Proc. SPIE, vol. 8619, p. 861910, Feb. 2013.
• [2] G. Sobczak, E. Dąbrowska, M. Teodorczyk, K. Krzyżak, J. Kalbarczyk, A. Maląg, „The concept and the realization of the high-power laser diodes with multi-stripe-gain distribution”, Phot. Lett. Poland., vol. 5, no. 3, pp. 88–90, 2013.
• [3] G. Sobczak, E. Dąbrowska, M. Teodorczyk, K. Krzyżak, A. Maląg, „Improvement to the lateral mode stability in high-power laser diodes by multistripe-gain distribution”, IEEE J. Quantum Electron., vol. 50, no. 11, pp. 890–897, Nov. 2014.
• [4] A. Maląg, E. Dąbrowska, M. Teodorczyk, G. Sobczak, A. Kozłowska, J. Kalbarczyk, „Asymmetric heterostructure with reduced distance from active region to heatsink for 810-nm range high-power laser diodes”, IEEE J. Quantum Electron., vol. 48, no. 4, pp. 465–471, Apr. 2012.
• [5] J. Martin-Regaldo, S. Balle, N. B. Abraham, “Spatio-temporal dynamics of gain-guided semiconductor laser arrays”, IEEE J. Quantum Electron., vol. 32, no. 2, pp. 257–276, Feb. 1996.

Uwagi

PL

Badania realizowane były częściowo w ramach grantu nr UMO-2011/01/B/ST7/03333 finansowansowanego przez Narodowe Centrum Nauki oraz częściowo w ramach prac statutowych Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych.