Azotkowe lasery typu VCSEL

• Autorzy: Sarzała R. P. , Piskorski Ł. , Nakwaski W.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-203

Warianty tytułu

EN

Nitride vertical-cavity surfaceemitting lasers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Półprzewodnikowe lasery azotkowe o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową (tzw. lasery VCSEL) ze względu na swoje specyficzne wlasności mogą stanowić w wielu zastosowaniach dobrą alternatywę dla klasycznych laserów z krawędziową emisją promieniowania (tzw. laserów EEL). Niestety mimo dużego postępu w wytwarzaniu azotkowych laserów EEL dopiero niedawno udało się wytworzyć pierwsze elektrycznie zasilane azotkowe lasery VCSEL, a ich parametry pozostawiają wiele do życzenia. W pracy omówiono podstawowe problemy związane z wytwarzaniem azotkowych laserów VCSEL. Przedstawiono ostatnie osiągnięcia w tej dziedzinie na świecie oraz podano wstępne wyniki symulacji tych struktur.

EN

Nitride semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) due to their specific properties offer an attractive alternative to the classical edge-emitting lasers (EELs). However, despite considerable progress in developing nitride-based EELs there has been no significant improvement in manufacturing electrically pumped VCSELs until recent years. Moreover, the operating parameters of the latter are not satisfactory. In this work the key problems with designing nitride VCSELs are discussed and both the latest development in this field and initial results of computer analysis of their different structures are presented.

Słowa kluczowe

PL

GaN; laser półprzewodnikowy; Laser VCSEL; modelowanie

EN

GaN; semiconductor laser; VCSEL; numerical modelling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 11
• Strony: 104--107
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Sarzała R. P.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki

autor

Piskorski Ł.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki

autor

Nakwaski W.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki

Bibliografia

• [1] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamata, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, “Room-temperature continuous- wave operation of InGaN multi-quantum-well structure laser diodes”, Appl. Phys. Lett., 69, pp. 4056–8, 1996.
• [2] N. Suzuki, K. Morimoto, “10 W CW blue-violet diode laser array on the microchannel cooler”, Proceeding of SPIE, vol. 8241, p. 82410J, 2012.
• [3] K. E. Waldrip, J. Han, J. J. Figel, H. Zhou, E. Makarona, A. V. Nurmikko, “Stress engineering during metalorganic chemical vapor deposition of AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors”, Appl. Phys. Lett., 78, pp. 3205–7, 2001.
• [4] T.-C. Lu, S.-W. Chen, T.-T. Wu, P.-M. Tu, C.-K. Chen, C.-H. Chen, Z.- Y. Li, H.-C. Kuo, S.-C. Wang, “Continuous wave operation of current injected GaN vertical cavity surface emitting lasers at room temperature”, Appl. Phys. Lett. 97, 071114, 2010.
• [5] G. Cosendey, A Castiglia, G. Rossbach, J.-F. Carlin, N. Grandjean, “Blue monolithic AlInN-based vertical cavity surface emitting laser diode on free-standing GaN substrate”, Appl. Phys. Lett. 101, pp. 151113, 2012.
• [6] D. Kasahara, D. Morita, T. Kosugi, K. Nakagawa, J. Kawamata, Y. Higuchi, H. Matsumura, and T. Mukai, „Demonstration of Blue and Green GaN-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers by Current Injection at Room Temperature”, Applied Physics Express 4, p. 072103, 2011.
• [7] R. P. Sarzała, Ł. Piskorski, P. Szczerbiak, R. Kudrawiec, W. Nakwaski, “An attempt to design long-wavelength (> 2 μm) InP-based GaInNAs diode lasers”, Applied Physics A, 108, No 3, pp. 521–528, 2012.
• [8] M. Kuc, R. P. Sarzała, W. Nakwaski, „Thermal crosstalk in arrays of III-N-based Lasers”, Materials Science and Engineering: B, vol. 178, no. 20, pp. 1395–1402, 2013.

Uwagi

PL

Praca częściowo finansowana z projektu badawczego nr UDAPOIG. 01.03.01-00-159/08 (InTechFun).