PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
SiC Bipolar Power Transistors
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Artykuł dotyczy bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z węglika krzemu. Scharakteryzowano wybrane właściwości węglika krzemu. Przedstawiono historię rozwoju tych przyrządów jak również ich status komercyjny oraz stan literatury dotyczący tych tranzystorów. Zwrócono uwagę na mankamenty w zakresie modelowania rozważanej klasy przyrządów półprzewodnikowych z wykorzystaniem programu SPICE.
EN
The paper deals with the bipolar power transistors made of silicon carbide (SiC-BJTs). The selected features of silicon carbide, the history of SiC-BJTs development and their commercial status are described. Additionally, the short overview of literature concerning the considered class of SiC devices is presented. The special attension is paid to shortcoming in the range of SiC-BJTs modeling with the use of SPICE.
Rocznik
Strony
43--46
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
  • Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej
autor
  • Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej
Bibliografia
  • [1] Zarębski J. – “Tranzystory MOS mocy”, Polska Akademia Nauk, Komitet Elektroniki i Telekomunikacji, 2007.
  • [2] Seyezhai R. – “Modeling and Simulation of Silicon Carbide (SiC) Based Bipolar Junction Transistor” International Journal of Engineering Research and Applications (IJERA), 1, (4), 2011, 1652–1657.
  • [3] http://www.genesicsemi.com.
  • [4] Miyake H., Kimoto T., Suda J. “4H-SiC BJTs With Record Current Gains of 257 on (0001) and 335 on (0001), Electron Device Letters, 32, (7), 2011, 841–843.
  • [5] Miyake H., Okuda T., Niwa H., et al. - “21-kV SiC BJTs With Space-Modulated Junction Termination Extension”, Electron Device Letters, 33, (11), 2012.
  • [6] Górecki K., Zarebski J., „The nonlinear compact thermal model of power MOS transistors”,International Conference on Microelectronics, 2008, 196–199.
  • [7] Gachovska T., Hudgins J.L., Bryant A., et al. – “Modeling, Simulation, and Validation of a Power SiC-BJT”, Transactions on Power Electronics, 27, (10), 2012, 4338–4346.
  • [8] http://www.semiconductor-today.com/news_items/2008/MAY/ TRANSIC_130508.htm.
  • [9] http://ntrs.nasa.gov/archive/nasa/casi.ntrs.nasa.gov/20060045067.pdf.
  • [10] http://www.divaportal.org/smash/get/diva2:14846/FULLTEXT01.pdf.
  • [11] http://www.divaportal.org/smash/get/diva2:9720/FULLTEXT01.pdf.
  • [12] Lanni L., “Silicon Carbide Bipolar Integrated Circuits for High Temperature Applications”, School of Information and Communication Technology, Royal Institute of Technology, 2012.
  • [13] http://www.ict.kth.se/MAP/EKT/WOV/.
Uwagi
PL
Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-a8b2d2b5-bdb9-449a-ae48-b1751da3e5ef
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.