Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu

Zarębski, J.; Patrzyk, J.

doi:10.15199/13.2016.1.8

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu

Autorzy

Zarębski J. , Patrzyk J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2016.1.8

Warianty tytułu

SiC Bipolar Power Transistors

Języki publikacji

Abstrakty

Artykuł dotyczy bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z węglika krzemu. Scharakteryzowano wybrane właściwości węglika krzemu. Przedstawiono historię rozwoju tych przyrządów jak również ich status komercyjny oraz stan literatury dotyczący tych tranzystorów. Zwrócono uwagę na mankamenty w zakresie modelowania rozważanej klasy przyrządów półprzewodnikowych z wykorzystaniem programu SPICE.

The paper deals with the bipolar power transistors made of silicon carbide (SiC-BJTs). The selected features of silicon carbide, the history of SiC-BJTs development and their commercial status are described. Additionally, the short overview of literature concerning the considered class of SiC devices is presented. The special attension is paid to shortcoming in the range of SiC-BJTs modeling with the use of SPICE.

Słowa kluczowe

węglik krzemu tranzystory bipolarne modelowanie SPICE

silicon carbide bipolar transistors modeling SPICE

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2016

Tom

Vol. 57, nr 1

Strony

43--46

Opis fizyczny

Bibliogr. 13 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Zarębski J.

Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

autor

Patrzyk J.

Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

[1] Zarębski J. – “Tranzystory MOS mocy”, Polska Akademia Nauk, Komitet Elektroniki i Telekomunikacji, 2007.
[2] Seyezhai R. – “Modeling and Simulation of Silicon Carbide (SiC) Based Bipolar Junction Transistor” International Journal of Engineering Research and Applications (IJERA), 1, (4), 2011, 1652–1657.
[3] http://www.genesicsemi.com.
[4] Miyake H., Kimoto T., Suda J. “4H-SiC BJTs With Record Current Gains of 257 on (0001) and 335 on (0001), Electron Device Letters, 32, (7), 2011, 841–843.
[5] Miyake H., Okuda T., Niwa H., et al. - “21-kV SiC BJTs With Space-Modulated Junction Termination Extension”, Electron Device Letters, 33, (11), 2012.
[6] Górecki K., Zarebski J., „The nonlinear compact thermal model of power MOS transistors”,International Conference on Microelectronics, 2008, 196–199.
[7] Gachovska T., Hudgins J.L., Bryant A., et al. – “Modeling, Simulation, and Validation of a Power SiC-BJT”, Transactions on Power Electronics, 27, (10), 2012, 4338–4346.
[8] http://www.semiconductor-today.com/news_items/2008/MAY/ TRANSIC_130508.htm.
[9] http://ntrs.nasa.gov/archive/nasa/casi.ntrs.nasa.gov/20060045067.pdf.
[10] http://www.divaportal.org/smash/get/diva2:14846/FULLTEXT01.pdf.
[11] http://www.divaportal.org/smash/get/diva2:9720/FULLTEXT01.pdf.
[12] Lanni L., “Silicon Carbide Bipolar Integrated Circuits for High Temperature Applications”, School of Information and Communication Technology, Royal Institute of Technology, 2012.
[13] http://www.ict.kth.se/MAP/EKT/WOV/.

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-a8b2d2b5-bdb9-449a-ae48-b1751da3e5ef