Hodowanie kryształu azotku galu (GaN) na szafirze dzięki odłożonej w niskiej temperaturze warstwie buforowej i stworzenie GaN typu p poprzez domieszkowanie i następnie napromieniowywanie wiązką niskoenergetycznych elektronów

Amano, Hiroshi

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Hodowanie kryształu azotku galu (GaN) na szafirze dzięki odłożonej w niskiej temperaturze warstwie buforowej i stworzenie GaN typu p poprzez domieszkowanie i następnie napromieniowywanie wiązką niskoenergetycznych elektronów

Autorzy

Amano Hiroshi

Treść / Zawartość

Pełne teksty:

Pobierz

Identyfikatory

Warianty tytułu

Języki publikacji

Abstrakty

Jest to osobista historia jednego z japońskich badaczy zaangażowanych w rozwijanie metod hodowania kryształów azotku galu (GaN) na podłożu szafirowym, torujących drogę do stworzenia inteligentnej telewizji i układów wyświetlaczy wykorzystujących niebieskie diody LED. Najważniejsza część pracy została wykonana od połowy do końca lat osiemdziesiątych XX w. Przypomniane zostaną okoliczności, w jakich autor prowadził badania i ciąg wydarzeń, w wyniku którego powstała technologia umożliwiająca hodowanie kryształów GaN i stworzenie GaN typu p.

Słowa kluczowe

metody hodowania kryształów azotku galu GaN typu p program jądrowy

Wydawca

Polskie Towarzystwo Fizyczne

Czasopismo

Postępy Fizyki

Rocznik

2019

Tom

T. 70, z. 4

Strony

20--26

Opis fizyczny

Bibliogr. 62 poz., rys.

Twórcy

autor

Amano Hiroshi

Department of Electrical Engineering and Computer Science, Venture Business Laboratory, Akasaki Research Center, Nagoya University, Japan

tłumacz

Chankowski Piotr

Bibliografia

1. http://gaming.wikia.com/wiki/History_of_handheld _game_consoles
2. http://en.wikipedia.org/wiki/Mobile_phone
3. P. Schlotter, R. Schmidt and J. Schneider, Appl. Phys., A64 (1997) 417.
4. http://news.bbc.co.uk/2/hi/business/5085630.stm
5. http://www.notablebiographies.com/Ho-Jo/JobsSteve.html
6. http://www.maximizingprogress.org/2012/03/ platform-wars-history-of-emergent.html
7. S. Porowski and I. Grzegory, J. Cryst. Growth, 178 (1997) 174.
8. F. P. Bundy, H. T. Hall, H. M. Strong and R. H. Wentorf, Nature, 176 (1955) 51.
9. W. C. Johnson, J. B. Parsons and M. C. Crew, J. Phys. Chem., 6 (1932) 7.
10. H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett., 15 (1969) 327.
11. For example, F. C. Frank and J. H. van der Merwe, Proc. R. Soc. London, Ser. A 198 (1949) 205.
12. J. I. Pankove, E. A. Miller, D. Richman and J. E. Berkeyheiser, J. Lumin., 4 (1971) 63.
13. For example, G. Mandel, Phys. Rev. A, 134 (1964) 1073.
15. I. Akasaki and M. Hashimoto, Solid State Commun., 5 (1967) 851.
16. Y. Ohki,Y. Toyoda, H. Kobayashi and I.Akasaki,Inst. Phys. Conf. Ser., 63 (1982) 479.
17. For example, http://www.mext.go.jp/english/ whitepaper/1302651.htm
18. M. Hashimoto, H. Amano, N. Sawaki and I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 68 (1984) 163.
19. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett., 48 (1986) 353.
20. T. Nishinaga and T. Mizutani, Jpn. J. Appl. Phys., 14 (1975) 753.
21. H. Amano, I. Akasaki, K. Hiramatsu, N. Koide and N. Sawaki, hin Solid Films, 163 (1988) 415.
22. H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., 27 (1988) L1384.
23. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki, J. Cryst. Growth, 98 (1989) 209.
24. H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., 29 (1990) L205.
25. K. Hiramatsu, H. Amano, I. Akasaki, H. Kato, N. Koide and K. Manabe, J. Cryst. Growth, 107 (1991) 509.
26. K. Hiramatsu, S. Itoh, H. Amano, I. Akasaki, N. Kuwano, T. Shiraishi and K. Oki, J. Cryst. Growth, 115 (1991) 628.
27. N. Kuwano, T. Shiraishi, A. Koga, K. Oki, K. Hiramatsu, H. Amano, K. Itoh and I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 115 (1991) 381.
28. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 30 (1991) 1620.
29. H. Murakami, T. Asahi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki and I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 115 (1991) 648.
30. J. N. Kuznia, M. A. Khan, D. T. Olson, R. Kaplan and J. Freitas, J. Appl. Phys., 73 (1993) 4700.
31. S. T. Kim, H. Amano, I. Akasaki and N. Koide, Appl. Phys. Lett., 64 (1994) 1535.
32. T. Sasaoka and T. Matsuoka, J. Appl. Phys., 77 (1995) 192.
33. Y.M. Le Vaillant, R. Bisaro, J. Oliver, O. Durand, J.Y. Duboz, S. Ruòenach-Clur, O. Briot, B. Gil and R.L. Aulombard, Mater. Sci. Eng., B50 (1997) 32.
34. M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., 37 (1998) L316.
35. Y.M. Le Vaillant, R. Bisaro, J. Olivier, O. Durand, J-Y. Duboz, S. Ruòenach-Clur, O. Briot, B. Gil, and R.L. Aulombard, J. Cryst. Growth, 189/190 (1998) 282.
36. Y. Kobayashi, T. Akasaki and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., 37 (1998) L1208.
37. T. Ito, K. Phtsuka, K. Kuwahara, M. Sumiya, Y. Takano and S. Fuke, J. Cryst. Growth, 205 (1999) 20.
38. H. Amano, I. Akasaki, T. Kozawa, K. Hiramatsu, N. Sawaki, K. Ikeda and Y. Ishii, J. Lumin., 40–41 (1988) 121.
39. G.V. Saparin, S.K. Obyden, M.V. Chukichev, S.J. Popov, J. Lumin. 31 & 32 (1984), 684.
40. J. C. Phillips, Bonds and Bands in Semiconductors, 1st edition, Academic Press 1973.
41. H. P. Maruska, W. C. Rhines and D. A. Stevenson, Mater. Res. Bull., 7 (1972) 777.
42. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., 28 (1989) L2112.
43. H. Amano, M. Kitoh, K. Hiramatsu and I. Akasaki, J. Electrochem. Soc., 137 (1990) 1639.
44. I. Akasaki, H. Amano, M. Kito and K. Hiramatsu, J. Lumin., 48 & 49 (1991) 666.
45. I. Akasaki, H. Amano, H. Murakami, M. Sassa, H. Kato and K. Manabe, J. Cryst. Growth, 128 (1993) 379.
46. S. Nakamura, M. Senoh and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., 30 (1991) L1708.
47. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., 31 (1992) 1258.
48. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys., 31 (1992) L139.
49. J. A. Van Vechten, J. D. Zook, R. D. Horning and B. Goldenberg, Jpn. J. Appl. Phys., 31 (1992) 3662.
50. T. Kozawa, Master’s hesis, Nagoya University, 1987.
51. T. Matsuoka, H. Tanaka, T. Sasaki and A. Katsui, Inst. Phys. Conf. Ser., 106 (1990) 141.
52. N. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki and A. Katsui, Appl. Phys. Lett., 59 (1991) 2251.
53. A. Koukitu, N. Takahashi, T. Taki and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996) L673.
54. A. Koukitu, T. Taki, N. Takahashi and H. Seki, J. Cryst. Growth, 197 (1999) 99.
55. S. Nakamura, M. Senoh and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., 32 (1993) L8.
56. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., 34 (1995) L797.
57. H. Amano and I. Akasaki, Ext. Abst. Int. Conf. Solid State Devices and Materials, V-7 (1995) 683.
58. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., 36 (1997) L382.
59. http://www.enecho.meti.go.jp/category/electricity_ and_gas/nuclear/001/pdf/001_02_001.pdf(in Japanese)
60. U.S. Department of Energy, Energy Savings Potential of Solid-State Lighting in General Illumination Applications, Jan. 2012, (2012) 4. (http://apps1. eere.energy.gov/buildings/publications/pdfs/ssl/ssl_ energy-savings-report_jan-2012.pdf)
61. Fuji Chimera Research Institute, Inc., 2014 LED Related Market Survey, (2014) 41.
62. http://earthobservatory.nasa.gov/Features/Night Lights/page3.php

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2020).

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-a8a01965-e93a-4015-b0f7-c256739b8774