Wpływ tylnej warstwy typu p+ na parametry ogniwa słonecznego na bazie krzemu typu p na podstawie obliczeń wykonanych programem komputerowym PC-1D

• Autorzy: Panek P. , Drabczyk K. , Socha R. P. , Zięba P.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-111

Warianty tytułu

EN

The influence of p+ type back layer on the parameters of the Si p-type based solar cell calculated using PC-1D computer program

• Konferencja: Sympozjum "Fotowoltaika i Transparentna Elektronika : Perspektywy Rozwoju" (5 ; 24-27.04.2014 ; Świeradów Zdrój ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki obliczeń dokonanych programem komputerowym PC-1D, dotyczące wpływu dodatkowej warstwy p+ na parametry ogniwa słonecznego na bazie krzemu krystalicznego typu p. Do obliczeń użyto parametrów o typowych wartościach charakteryzujących wytwarzane przemysłowo ogniwa słoneczne. Jak wynika z uzyskanych zależności, zlokalizowana na tylnej stronie ogniwa dodatkowa warstwa typu p+ wpływa przede wszystkim na wzrost jego wartości napięcia obwodu otwartego, co ma szczególne znaczenie dla ogniw o grubości poniżej 250 μm. Dla ogniwa na bazie krzemu typu p o rezystywności 1 Ωcm domieszka tylnego obszaru bazy powinna wynosić 1x10¹⁹atom/cm³. Alternatywą dla tej dodatkowej warstwy p+ jest warstwa pasywująca na tylnej stronie ogniwa, redukująca prędkość rekombinacji powierzchniowej poniżej 500 cm/s.

EN

This paper reports the results of computer simulations with the use of PC-1D program that concern an influence of the additional p+ layer on the parameters of a solar cell based on the Si p-type. We intend to base our calculation on the use of parameters relevant for industrial solar cells. According to the obtained results, an additional layer of p+ type, located on the rear side of the cell, specifically effects an increase of the open circuit voltage, which is particularly important for the cells with a thickness lower than 250 microns. In the cell fabricated on the p-type silicon with the resistivity of 1 Ωcm, admixture of the rear area of the base should be on the level of 1x10¹⁹ cm ^-3. An alternative to this additional p+ layer is a rear side passivation coating that reduces surface recombination velocity to less than 500 cm/s.

Słowa kluczowe

PL

program komputerowy PC-1D; krzemowe ogniwo słoneczne

EN

computer program PC-1D; silicon solar cell

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 8
• Strony: 67--69
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Panek P.

• Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN w Krakowie

autor

Drabczyk K.

• Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN w Krakowie

autor

Socha R. P.

• Instytut Katalizy i Fizykochemii Powierzchni PAN w Krakowie

autor

Zięba P.

• Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN w Krakowie

Bibliografia

• [1] Basore P. A., Numerical Modeling of Textured Silicon Solar Cells Using PC-1D, IEEE Trans. on Electron Devices, 37, (1990), p. 337–343.
• [2] www.engineering.unsw.edu.au.
• [3] Panek P., Zięba P., Lipiński M., Drabczyk K., Bełtowska-Lehman E., Crystalline Silicon Solar Cells, Proceedings of the IX Electron Technology Conference, ELTE 2007, 4-7.09.2007, Kraków, Poland, p. 101-104.
• [4] Brendle W., Nguyen V. X., Grohe A., Schneiderlöchner E., Rau U., Palfinger G., Werner J. H., 20.5% Efficient Silicon Solar Cell with a Low Temperature Rear Side Process Using Laser-Fired Contacts, Prog. in Photovolt.: Res. and Appl., 14, (2006), p. 653–662.
• [5] Hofmanm M., Janz S., Schmidt C., Kambor S., Suwito D., Kohn N., Rentsch J., Preu R, Glunz S.W., Recent Developments in Rear-surface Passivation at Fraunhofer ISE, Solar Energy Materials and Solar Cells, 93, (2009), p. 1074-1078.

Uwagi

PL

Publikacja współfinansowana ze środków funduszy norweskich w ramach Programu Polsko-Norweska Współpraca Badawcza realizowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju. Umowa Nr POL-NOR/199380/89/2014.