A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors

• Autorzy: Fatyga K. , Kwaśny Ł. , Stefańczak B.

Identyfikatory

DOI

10.5604/01.3001.0012.0715

Warianty tytułu

PL

Badania porównawcze sprawności układów DC/DC z tranzystorami Si IGBT oraz tranzystorami SiC typu MOSFET

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.

PL

W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT

Słowa kluczowe

EN

IGBT; SiC; transistor; MOSFET; DC/DC converter

PL

IGBT; SiC; tranzystor; MOSFET; przekształtnik DC/DC

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
• Czasopismo: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
• Rocznik: 2018
• Tom: T. 8, nr 2
• Strony: 68--71
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys.

Twórcy

autor

Fatyga K.

• Lublin University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Computer Science, Department of Electrical Drives and Machines

autor

Kwaśny Ł.

• Lublin University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Computer Science, Department of Electrical Drives and Machines

autor

Stefańczak B.

• Lublin University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Computer Science, Department of Electrical Drives and Machines

Bibliografia

• [1] Barlik R., Nowak M., Grzejszczak P.: Power transfer analysis in a single phase dual active bridge. Bulletin of the Polish Academy of Sciences, Technical Sciences 61(4), 809–828.
• [2] Dobrzański D.: Overview and characteristics of the EV fast charging connector systems. Maszyny Elektryczne: Zeszyty problemowe 3/2017, 91–96.
• [3] Fatyga K., Mroczek B.: Charakterystyki pracy dwukierunkowej przetwornicy DC/DC do pojazdów elektrycznych i architektura jej komunikacji w systemie operatora sieci elektroenergetycznej. Maszyny Elektryczne: Zeszyty problemowe 3/2017 83-89.
• [4] Inoue S., Akagi H.: A bi-directional isolated DC/DC converter as a core circuit of the next-generation medium-voltage power conversion system. 37th IEEE Power Electronics Specialists Conference – Jeju, 2006, 1–7.
• [5] Zdanowski M., Rąbkowski J., Barlik R.: Design issues of the high-frequency interleaved DC/DC boost converter with Silicon Carbide MOSFETs. 16th European Conference on Power Electronics and Applications, 2014.
• [6] Zhao B., Song Q., Liu W., Sun Y.: Overview of Dual-Active-Bridge Isolated Bidirectional DC–DC Converter for High-Frequency-Link Power-Conversion System. IEEE Transactions on Power Electronics 29(8), 4091–4106.
• [7] Zieliński D., Tokovarov M.: Simulation and comparison of selected fast charger topologies. Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska – IAPGOŚ 3/2017, 23-28.