PL
 |
EN

PL EN

Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Department of Micro- and Nanotechnology of Wide Bandgap Semiconductors

Autorzy
Piotrowska A.
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
Słowa kluczowe
EN
PL
Wydawca
Instytut Technologii Elektronowej
Czasopismo
Prace Instytutu Technologii Elektronowej
Rocznik
2014
Tom
z. 1/2
Strony
62--97
Opis fizyczny
Bibliogr. 108 poz., il., wykr.
Twórcy
autor
Piotrowska A.
ania@ite.waw.pl
  • Institute of Electron Technology, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
Bibliografia
  • Publication’2013
  • [P1] AMARASINGHE V. P., WIELUNSKI L., BARCZ A., FELDMAN L. C., CELLER G. K.: Optimization of H+ Implantation Parameters for Exfoliation of 4H-SiC Films. 12th Int. Symp. on Semiconductor Wafer Bonding 12: Science, Technology, Application. [In] ECS Transactions, Honolulu, 2013 vol. 57 p. 341-348.
  • [P2] BOROWICZ P., KUCHUK A., ADAMUS Z., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., LATEK M.: Structure of Carbonic Layer in Ohmic Contacts: Comparison of Silicon Carbide/Carbon and Carbon/Silicide Interfaces. ISRN Physic. Chem. 2013 vol. 2013 p. 1-11.
  • [P3] BOROWICZ P., KUCHUK A., ADAMUS Z., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., LATEK M.: The Role of Carbon Structures in Ohmic Contacts Studied by Raman Spectroscopy. Analysis of Carbon Film Structure Observed for Silicon Carbide/Carbon and Silicide//Carbon Interfaces. Proc. of the Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems inElectron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013, p. 204-209.
  • [P4] BOROWICZ P., KUCHUK A., ADAMUS Z., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., LATEK M.: Structural Changes and Migration of Carbon in Nickel-Based Ohmic Contacts on Silicon Carbide. Application of Visible and Deep-Ultraviolet Raman Spectroscopy. Proc. of the XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013, p. 357-358.
  • [P5] BORYSIEWICZ M., BARANOWSKA-KORCZYC A., EKIELSKI M., WZOREK M., DYNOWSKA E., WOJCIECHOWSKI T., KAMIŃSKA E., FRONC K., ELBAUM D., WOJTOWICZ T., PIOTROWSKA A.: Synthesis and Properties of Nanocoral ZnO Structures. Nanostructured Metal Oxide for Advanced Application. Symp. S. 2013 MRS Spring Meet. [In] Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2013 vol. 1552 p. 13-1552-s04.
  • [P6] BORYSIEWICZ M., WOJCIECHOWSKI T., DYNOWSKA E., WIELGUS M., BAR J., WOJTOWICZ T., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Nanocoral ZnO Films Fabricated on Flexible Poly(vinyl Chloride) Using a Carrier Substrate. Thin Solid Films (submit. to print).
  • [P7] BORYSIEWICZ M., WZOREK M., WOJCIECHOWSKI T., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Photoluminescence of Nanocoral ZnO Films. J. of Lumin. (submit to print).
  • [P8] EKIELSKI M., JUCHNIEWICZ M., PIOTROWSKA A.: Fabricating Periodic GaN Nanostructures via Nanoimprint Lithography. Prz. Elektrotech. 2013 vol. 89 no. 10 p. 57-60 (in Polish).
  • [P9] EKIELSKI M., JUCHNIEWICZ M., PIOTROWSKA A.: Fabricating Periodic GaN Nanostructures via Nanoimprint Lithography. Proc. of the XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013, p. 584-589 (in Polish).
  • [P10] GOŁASZEWSKA-MALEC K., KRUSZKA R., MYŚLIWIEC M., EKIELSKI M., JUNG W., PIOTROWSKI T., JUCHNIEWICZ M., BAR J., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SARZAŁA R. P., DEMS M., WOJTAS J., MĘDRZYCKI R., PRYSTAWKO P.: GaN-Based Light Emitting Diodes with Surface Photonic Crystals. Elektronika 2013 vol. LIV no. 9 p. 46-49 (in Polish).
  • [P11] GOŁASZEWSKA-MALEC K., KRUSZKA R., MYŚLIWIEC M., EKIELSKI M., JUNG W., PIOTROWSKI T., JUCHNIEWICZ M., BAR J., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SARZAŁA R. P., DEMS M., WOJTAS J., MĘDRZYCKI R., PRYSTAWKO P.: GaN-Based Light Emitting Diodes with Surface Photonic Crystals. Proc. of the XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013, p. 662-668 (in Polish).
  • [P12] GUZIEWICZ M., ŁASZCZ A., DOMAGAŁA J., GOŁASZEWSKA-MALEC K., RATAJCZAK J., KRUSZKA R., JUCHNIEWICZ M., CZERWIŃSKI A., SŁYSZ W.: Structural Analysis of Epitaxial NbTiN Films. Electron Technology Conf. 2013. [In] Proc. of SPIE 2013 vol. 8902 p. 89022S-1-6.
  • [P13] GUZIEWICZ M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., KRUSZKA R., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., DYNOWSKA E., MYCIELSKI A., DYBKO K., SZOT M., STORY T.: Comparative Study on Au and RuSi Metallization for Ohmic Contacts to Pb(Te,S). Proc. of the 37th Int. Microelectronics a. Packaging IMAPS-CPMT Poland Conf. Krakow, Poland, 22-25.09.2013, p. 1-4.
  • [P14] GUZIEWICZ M., ŁASZCZ A., DOMAGAŁA J., GOŁASZEWSKA-MALEC K., RATAJCZAK J., CZERWIŃSKI A., SŁYSZ W.: Structural Analysis of Epitaxial NbTiN Films. Proc. of the XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013, p. 411-412 (in Polish).
  • [P15] JUNG W., JASIK A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., MACIEJEWSKA E.: Determination of Carrier Concentration in VECSEL Lasers. Electron Technology Conf. 2013. [In] Proc. of SPIE 2013 vol. 8902 p. 89021F-1-7.
  • [P16] JUNG W., JASIK A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., MACIEJEWSKA E.: Determination of Carrier Concentration in VECSEL Lasers. Proc. of the XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013, p. 217-218 (in Polish).
  • [P17] JUSZCZYK J., KRZYWIECKI M., KRUSZKA R., BODZENTA J.: Application of Scanning Thermal Microscopy for Investigation of Thermal Boundaries in Multilayered Photonic Structures. Ultramicroscopy 2013 vol. 135 p. 95-98.
  • [P18] KACZMARSKI J., TAUBE A., DYNOWSKA E., DYCZEWSKI J., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Fabrication and Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Material and Transistors. Acta Phys. Pol. A 2013 vol. 124 no. 5 s. 855-857.
  • [P19] KACZMARSKI J., TAUBE A., DYNOWSKA E., DYCZEWSKI J., EKIELSKI M., PUCICKI D., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: In-Ga-Zn-O Amorphous Thin Films for Transparent Electronics. Proc. of the XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013, p. 401-402.
  • [P20] KACZMARSKI J., TAUBE A., DYNOWSKA E., DYCZEWSKI J., EKIELSKI M., PUCICKI D., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: In-Ga-Zn-O Amorphous Thin Films for Transparent Electronics. Electron Technology Conf. 2013. [In] Proc. of SPIE 2013 vol. 8902 p. 8902N-1-8.
  • [P21] KLATA P., GUZIEWICZ M., RZODKIEWICZ W., KRUSZKA R., DOMAGAŁA J., JUCHNIEWICZ M., SŁYSZ W.: Characterization of Ultrathin Layers of NbN and Nb(Ti)N. Proc. of the XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013, p. 407-408 (in Polish).
  • [P22] KŁOSEK K., SOBAŃSKA M., ŻYTKIEWICZ Z. R., WIERZBICKA A., KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K., SETKIEWICZ M., PUSTELNY T.: Using GaN Nanowire on Si Substrates in Chemical Sensors. Proc. of the XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013, p. 715-717 (in Polish).
  • [P23] KOCHANOWSKA D., WITKOWSKA-BARAN M., MYCIELSKI A., SZADKOWSKI A., WITKOWSKA B., KALISZEK W., DOMAGAŁA J., JAKIEŁA R., NOWAKOWSKI P., DUŻYŃSKA A., ŁACH P., KAMIŃSKA A., SUCHOCKI A., RESZKA A., KOWALSKI B., WOJTOWICZ T., WIATER M., KAMINSKI P., KOZŁOWSKI R., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., KAMIŃSKA E.: Growth and Characterization of (Cd, Mn)Te. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 2013 vol. 60 no. 5 p. 3805-3814.
  • [P24] KRÓL K., SOCHACKI M., STRUPIŃSKI W., TUREK M., ŻUK J., PRZEWŁOCKI H. M., TAUBE A., SZMIDT J.: Characterization of Slow States Using Modified Capacitance Technique in Thermal Oxides Fabricated on Nitrogen Implanted 4H-SiC(0001). Proc. of the Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013, p. 50.
  • [P25] KRÓL K., SOCHACKI M., TUREK M., ŻUK J., PRZEWŁOCKI H. M., GUTT T., BOROWICZ P., GUZIEWICZ M., SZUBER J., KWOKA M., KOŚCIELNIAK P., SZMIDT J.: Influence of Nitrogen Implantation on Electrical Properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS Structure. Mater. Sci. Forum 2013 vol. 740-742 p. 733-736.
  • [P26] KUCHUK A., KLADKO V.P., ADAMUS Z., WZOREK M., BORYSIEWICZ M., BOROWICZ P., BARCZ A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., PIOTROWSKA A.: Influence of Carbon Layer on the Properties of Ni-Based Ohmic Contact to n-Type 4H-SiC. ISRN Electron. 2013 vol. 2013 p. I-5 ID 27165.
  • [P27] ŁAWNICZAK-JABŁOŃSKA K., KLEPKA M., DYNOWSKA E., WOLSKA A., BORYSIEWICZ M., PIOTROWSKA A.: Complementary Characterization of Ti-Si-C Films by X-Ray Diffraction and Absorption. Radiat. Phys. a. Chem. 2013 vol. 93 p. 168-173.
  • [P28] MANDIC I., AFFOLDER A., ALEEV A., ALLPORT P. P., ANDRICEK L., ARTUSO M., BARABASH L., BARBER T., BARCZ A. et al.: Silicon Sensors for HL-LHC Tracking Detectors. Nucl. Instr. & Methods in Phys. Res. A 2013 vol. 732 p. 126-129.
  • [P29] MATYS M., ADAMOWICZ B., ŻYTKIEWICZ Z. R., KRUSZKA R., TAUBE A., PIOTROWSKA A.: Study of the Surface Photovoltage for Passivated GaN Surfaces. Appl. Surface Sci. (submit. To print.).
  • [P30] MYŚLIWIEC M., GUZIEWICZ M., KISIEL R.: Aspects of SiC Diode Assembly using Ag Technology. Electron Technology Conf. 2013. [In] Proc. of SPIE 2013 vol. 8902 p. 89020T-1-3.
  • [P31] PATORSKI K., WIELGUS M., EKIELSKI M., KAŹMIERCZAK P.: AFM Nanomoire Technique with Phase Multiplication. Measur. Sci. a. Technol. 2013 vol. 24 p. 035402-9.
  • [P32] SARZAŁA R. P., KUC M., SOKÓŁ A., WASIAK M., KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K.: Modelling of Thermal and Electric Processes in Ultraviolet Electroluminesce Diode. Elektronika 2013 vol. LIV no. 9 p. 29-32 (in Polish).
  • [P33] SARZAŁA R. P., KUC M., SOKÓŁ A., WASIAK M., KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K.: Modelling of Thermal and Electric Processes in Ultraviolet Electroluminesce Diode. Proc. of the XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013, p. 648-653 (in Polish).
  • [P34] SOCHACKI M., KWIETNIEWSKI N., TAUBE A., KRÓL K., SZMIDT J.: Critical Design and Technological Parameters and Their Impact on the Electrical Characteristics of Power SiC MOSFETs. Elektronika 2013 vol. LIV no. 9 p. 40-43 (in Polish).
  • [P35] SOCHACKI M., KWIETNIEWSKI N., TAUBE A., KRÓL K., SZMIDT J.: Critical Design and Technological Parameters and Their Impact on the Electrical Characteristics of Power SiC MOSFETs. Proc. of the XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013, p. 655-661 (in Polish).
  • [P36] STRUK P., PUSTELNY T., GOŁASZEWSKA-MALEC K., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Hybrid Photonics Structures with Grating and Prism Couplers Based on ZnO Waveguides. Elektronika 2013 vol. LIV no. 9 p. 43-45 (in Polish).
  • [P37] STRUK P., PUSTELNY T., GOŁASZEWSKA-MALEC K., KAMIŃSKA E., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., PIOTROWSKA A.: Hybrid Photonics Structures with Grating and Prism Couplers Based on ZnO Waveguides. Opto-Electron. Rev. 2013 vol. 21 no. 4 p. 376-381.
  • [P38] STRUK P., PUSTELNY T., GOŁASZEWSKA-MALEC K., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: ZnO-Based Hybrid and Sensor Structures. Proc. of the XII Polish Conf. On Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013, p. 707-712 (in Polish).
  • [P39] STRUK P., PUSTELNY T., GOŁASZEWSKA-MALEC K., BORYSIEWICZ M., PIOTROWSKA A.: Gas Sensors Based on ZnO Structures. Acta Phys. Pol. A 2013 vol. 124 no. 3 p. 567-569.
  • [P40] TAUBE A., GUTT T., GIERAŁTOWSKA S., ŁASZCZ A., WZOREK M., SOCHACKI M., KRÓL K., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Effect of SiO2 and Al2O3 Buffer Layer on the Properties of HfO2 Gate Dielectric Stacks on 4H-SiC. Proc. of the Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013, p. 44.
  • [P41] TAUBE A., KACZMARSKI J., EKIELSKI M., PUCICKI D., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Fabrication and Characterization of Thin-Film Transistors with Amorphous In-Ga-Zn-O Layers. Electron Technology Conf. 2013. [In] Proc. of SPIE 2013 t. 8902 p. 89020N-1.
  • [P42] TAUBE A., KACZMARSKI J., EKIELSKI M., PUCICKI D., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Fabrication and Characterization of Thin-Film Transistors with Amorphous In-Ga-Zn-O Layers. Proc. of the XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013, p. 169-170 (in Polish).
  • [P43] TAUBE A., KOZUBAL M., KACZMARSKI J., JUCHNIEWICZ M., BARCZ A., DYCZEWSKI J., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E., BORYSIEWICZ M., PRYSTAWKO P., JASIŃSKI J., BOROWICZ P., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: High Resistivity Isolation for AlGaN/GaN HEMT Using Al Double-Implantation. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Boston, USA, 1-6.12.2013 (submit. to print.).
  • [P44] TAUBE A., SOCHACKI M., SZMIDT J., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN HEMT with p-GaN Gate. Elektronika 2013 vol. LIV no. 9 p. 36-39 (in Polish).
  • [P45] TAUBE A., SOCHACKI M., SZMIDT J., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN HEMT with p-GaN Gate. Proc. of the XII Polish Conf. On Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013, p. 701-706 (in Polish).
  • [P46] WIELGUS M., KOGUCIUK D., SUNDERLAND Z., PATORSKI K., PIOTROWSKA A.: Enhanced Measurements of Displacements and Strains in Quasiperiodic Nanostructures. Measurements for Atomic Arrangements and Local Vibration in Nanostructural Materials. Symp. U. 2013 MRS Spring Meet. [In] Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2013 vol. 1554 p. 13-1554-u04.
  • [P47] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., BORYSIEWICZ M., KUCHUK A., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Microstructure Characterization of Si/Ni Contact Layers on n-Type 4H-SiC by TEMS and XEDS. Mater. Sci. Forum (submit. to print.).
  • Conferences’2013
  • [C1] ADAMOWICZ B., MATYS M., UCKA R., DOMANOWSKA A., ŻYTKIEWICZ Z. R., SOBAŃSKA M., KŁOSEK K., TAUBE A., KRUSZKA R.: UV Photodetectors Based on Metal/Insulator/GaN and AlGaN//GaN Structures. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (paper, in Polish).
  • [C2] ADHIKARI R., STEFANOWICZ W., GROIS A., DEVILLERS T., FAINA B., STEFANOWICZ S., GRABECKI G., GOŁASZEWSKA-MALEC K., JUCHNIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., SAWICKI M., DIETL T., BONANNI A.: Magneto-Electric Characterization of (Ga,Mn)N Based Spin Filter Structures. 42nd Int. School & Conf. on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013". Wisła, Poland, 22-27.06.2013 (poster).
  • [C3] AMARASINGHE V. P., LIU G., WIELUNSKI L., BARCZ A., FELDMAN L.C., CELLER G. K.: Improved 4H-SiC Layer Exfoliation for Monolithic Integration of SiC Devices with Si Circuits and for Reduced Cost Device-Quality SiC Substrates. The Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials. Miyazaki, Japan, 29.09-04.10.2013 (commun.).
  • [C4] BOROWICZ P., KUCHUK A., ADAMUS Z., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., LATEK M.: Structural Changes and Migration of Carbon in Nickel-Based Ohmic Contacts on Silicon Carbide. Application of Visible and Deep-Ultraviolet Raman Spectroscopy. XI Sci. Conf. "Electron Technology”. Ryn, Poland, 16-20.04.2013 (poster).
  • [C5] BOROWICZ P., KUCHUK A., ADAMUS Z., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., LATEK M.: The Role of Carbon Structures in Ohmic Contacts Studied by Raman Spectroscopy. Analysis of Carbon Film Structure Observed for Silicon Carbide/Carbon and Silicide/Carbon Interfaces. Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013 (poster).
  • [C6] BORYSIEWICZ M., BARANOWSKA-KORCZYC A., EKIELSKI M., WZOREK M., DYNOWSKA E., WOJCIECHOWSKI T., KAMIŃSKA E., FRONC K., ELBAUM D., WOJTOWICZ T., PIOTROWSKA A.: Synthesis and Properties of Nanocoral ZnO Structures. Mat. Res. Soc. Spring Meet. 1554. San Francisco, USA, 1-5.04.2013 (poster).
  • [C7] BORYSIEWICZ M., BARANOWSKA-KORCZYC A., WZOREK M., DYNOWSKA E., WOJCIECHOWSKI T., KAMIŃSKA E., FRONC K., ELBAUM D., WOJTOWICZ T., PIOTROWSKA A.: Reactive Sputter Deposited Nanocoral ZnO for Biosensors. 19 Int. Vacuum Congress. Paris, France, 8-14.09.2013 (poster).
  • [C8] BORYSIEWICZ M., BARANOWSKA-KORCZYC A., STRUK P., WZOREK M., KOLKOVSKY V., WOJCIECHOWSKI T., WIELGUS M., DYNOWSKA E., GOŁASZEWSKA-MALEC K., KAMIŃSKA E., BAR J., PUSTELNY T., FRONC K., ELBAUM D., WOJTOWICZ T., PIOTROWSKA A.: Nanocoral ZnO Growth and Physicochemical Properties. 42nd Int. School & Conf. on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013". Wisła, Poland, 22-27.06.2013 (paper).
  • [C9] BORYSIEWICZ M., MYŚLIWIEC M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Ti2AlN-Based Thermally and Chemically Stable Ohmic Contact Metallizations to n-GaN. 42nd Int. School & Conf. on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013". Wisła, Poland, 22-27.06.2013 (poster).
  • [C10] BORYSIEWICZ M., MYŚLIWIEC M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Thermal Stability of Multilayer Ti2AlN-Based Ohmic Contacts to n-GaN in Ambient Air. Mater. for Advanced Metallizations. Leuven, Belgium, 10-12.03.2013 (poster).
  • [C11] BORYSIEWICZ M., MYŚLIWIEC M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E.: Thermally and Chemically Stable Ohmic Contacts to n-GaN Based on MAX Phases. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (poster, in Polish).
  • [C12] DOMANOWSKA A., UCKA R., MATYS M., ADAMOWICZ B., SOCHACKI M., ŻYTKIEWICZ Z. R., SOBAŃSKA M., KŁOSEK K., TAUBE A., KRUSZKA R., ŻYWICKI J.: Auger Electron Spectroscopy of Passivating Layers on GaN, AlGaN and SiC. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (poster, in Polish).
  • [C13] BORYSIEWICZ M., WOJCIECHOWSKI T., DYNOWSKA E., WIELGUS M., BAR J., WOJTOWICZ T., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Nanoporous ZnO Films Fabricated on a Flexible Substrate Using a Transfer Process. Mat. Res. Soc. Fall Meet. 2013. Boston, USA, 1-6.12.2013 (paper).
  • [C14] BRODA A., MUSZALSKI J., GUTOWSKI P., SANKOWSKA I., KUBACKA-TRACZYK J., JASIK A., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., TRAJNEROWICZ A., GOŁASZEWSKA-MALEC K.: Switchable, Two Wavelength Emitting VECSEL. V Workshop on Physics a. Technology of Semiconductor Lasers. Krakow, Poland, 17-20.11.2013 (paper).
  • [C15] DORADZIŃSKI R., ZAJĄC M., IWIŃSKA M., KUCHARSKI R., DWILIŃSKI R., SIERZPUTOWSKI L., KRUSZEWSKI P., PRYSTAWKO P., LESZCZYŃSKI M., LITWIN-STASZEWSKA E., PIOTRZKOWSKI R., KRUPKA J., JUCHNIEWICZ M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., TAUBE A.: Highly Resistive AMMONO-GaN Substrates for Microwave Transistors. 10th Int. Conf. on Nitride Semiconductors. Washington, USA, 25-30.08.2013 (inv. lect.).
  • [C16] EKIELSKI M., BORYSIEWICZ M., WZOREK M., KAMIŃSKA E., WOJTOWICZ T., PIOTROWSKA A.: Selective Top-Down Fabrication of GaN Nanorods Using ICP Etching and a Sacrificial Mask. Mat. Res. Soc. Spring Meet. 1554. San Francisco, USA, 1-5.04.2013 (poster).
  • [C17] EKIELSKI M., JUCHNIEWICZ M., PIOTROWSKA A.: Fabricating Periodic GaN Nanostructures via Nanoimprint Lithography. Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (inv. lect., in Polish).
  • [C18] GOŁASZEWSKA-MALEC K., KRUSZKA R., MYŚLIWIEC M., EKIELSKI M., JUNG W., PIOTROWSKI T., JUCHNIEWICZ M., BAR J., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SARZAŁA R. P., DEMS M., WOJTAS J., MĘDRZYCKI R., PRYSTAWKO P.: GaN-Based Light Emitting Diodes with Surface Photonic Crystals. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (paper, in Polish).
  • [C19] GUZIEWICZ M., DOMAGAŁA J., JUNG W., KRUSZKA R., PIOTROWSKA A., SNIGURENKO D., KRAJEWSKI T., GUZIEWICZ E.: Heteroepitaxial ZnO Film on SiC - from Growth to n-p Diode. E-MRS Fall Meet. 2013 Symp. F: Novel Materials for Electronic, Optoelectronic, Photovoltaic a. Energy Saving Applications. Warsaw, Poland, 16-20.09.2013 (commun.).
  • [C20] GUZIEWICZ M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., KRUSZKA R., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., DYNOWSKA E., MYCIELSKI A., DYBKO K., SZOT M., STORY T.: Comparative Study on Au and RuSi Metallization for Ohmic Contacts to Pb(Te,S). 37th Int. Microelectronics a. Packaging IMAPS-CPMT Poland Conf. Krakow, Poland, 22-25.09.2013 (poster).
  • [C21] GUZIEWICZ M., JUNG W., KRUSZKA R., PIOTROWSKA A., DOMAGAŁA J., KRAJEWSKI T., GUZIEWICZ E.: ALD n-ZnO/p-SiC Heterojunction - Structural and Electronic Properties. 13th Int. Conf. on Atomic Layer Deposition. San Diego, USA, 28-31.07.2013 (poster).
  • [C22] GUZIEWICZ M., ŁASZCZ A., DOMAGAŁA J., GOŁASZEWSKA-MALEC K., RATAJCZAK J., CZERWIŃSKI A., SŁYSZ W.: Structural Analysis of Epitaxial NbTiN Films. XI Sci. Conf. "Electron Technology”. Ryn, Poland, 16-20.04.2013 (poster, in Polish).
  • [C23] GUZIEWICZ M., ŁASZCZ A., DOMAGAŁA J., GOŁASZEWSKA-MALEC K., CZERWIŃSKI A., SŁYSZ W.: Advantage of NbTiN over NbN in Superconducting Properties of Ultra-Thin Films. AVS 60th Int. Symp. a. Exh. Los Angeles/Long Beach, USA, 27.10.2013 (poster).
  • [C24] JUCHNIEWICZ M., EKIELSKI M., BORYSIEWICZ M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Nanoimprinting Applied in the Fabrication of Photonic Structures in ZnO. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (poster, in Polish).
  • [C25] JUNG W., JASIK A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., MACIEJEWSKA E.: Determination of Carrier Concentration in VECSEL Lasers. XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013 (poster, in Polish).
  • [C26] KACZMARSKI J., TAUBE A., DYNOWSKA E., DYCZEWSKI J., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Fabrication and Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Material and Transistors. 42nd Int. School & Conf. on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013". Wisła, Poland, 22-27.06.2013 (poster).
  • [C27] KACZMARSKI J., TAUBE A., DYNOWSKA E., DYCZEWSKI J., EKIELSKI M., PUCICKI D., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: In-Ga-Zn-O Amorphous Thin Films for Transparent Electronics. XI Sci. Conf. "Electron Technology”. Ryn, Poland, 16-20.04.2013 (poster).
  • [C28] KAŹMIERCZAK P., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., WYSMOŁEK P.: Second Order Raman Modes Observed in Few-Layer Graphene Formed on Nickel on Sic. VI Polish Conf. on Nanotechnology NANO 2013. Szczecin, Poland, 9-12.07.2013 (poster).
  • [C29] KLATA P., GUZIEWICZ M., RZODKIEWICZ W., KRUSZKA R., DOMAGAŁA J., JUCHNIEWICZ M., SŁYSZ W.: Characterization of Ultrathin Layers of NbN and Nb(Ti)N. XI Sci. Conf. "Electron Technology”. Ryn, Poland, 16-20.04.2013 (poster, in Polish).
  • [C30] KLIMOV A., PUZNIAK P., DZIAWA P., SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., JUCHNIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., KRUSZKA R., WĘGRZECKI M., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., SOBOLEWSKI R.: Superconductor/Ferromagnet NbN/NiCu and NbTiN/NiCu Bilayers for Nanostructured Single Photon Detectors. 8th Solid State Surfaces a. Interfaces. Smolenice, Czech Republic, 25-28.11.2013 (poster).
  • [C31] KŁOSEK K., SOBAŃSKA M., ŻYTKIEWICZ Z. R., WIERZBICKA A., RESZKA A., KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K., SETKIEWICZ M., PUSTELNY T.: Using GaN Nanowire on Si Substrates in Chemical Sensors. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (poster, in Polish).
  • [C32] KŁOSEK K., SOBAŃSKA M., ŻYTKIEWICZ Z. R., WIERZBICKA A., KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K., SETKIEWICZ M., PUSTELNY T.: MBE Growth of GaN Nanowires on Si(111) Substrates for Gas Sensor Applications. 17th Int. Conf. on Crystal Growth a. Epitaxy. Warsaw, Poland, 11-16.08.2013 (poster).
  • [C33] KOBA M., SUFFCZYŃSKI J., EKIELSKI M., JUNG W., GOŁASZEWSKA-MALEC K., KAMIŃSKA E., JAKIEŁA R., NAVARRO-QUEZADA A., LI C., DIETL T., BONANNI A.: Electrical and Optical Properties of a p-n Junction with GaFeN/AlGaN Quantum Wells. 42nd Int. School & Conf. on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013". Wisła, Poland, 22-27.06.2013 (paper).
  • [C34] KOSIEL K., SZERLING A., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., SANKOWSKA I., KUBACKA-TRACZYK J., SAKOWICZ M., PŁUSKA M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., JAKIEŁA R., JUREŃCZYK J.: Epitaxy of AlGaAs/GaAs Structures for THz Quantum-Cascade Lasers. V Workshop on Physics a. Technology of Semiconductor Lasers. Krakow, Poland, 17-20.11.2013 (poster).
  • [C35] KRAJEWSKI T., GUZIEWICZ M., ŁUKA G., DOMAGAŁA J., GOŚCIŃSKI K., WACHNICKI L., SNIGURENKO D., ASCHENBRENNER T., HOMMEL D., GUZIEWICZ E., GODLEWSKI M.: High Performance Rectifying Junctions with Zinc Oxide Thin Films Obtained by Atomic Layer Deposition. 42nd Int. School & Conf. on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013". Wisła, Poland, 22-27.06.2013 (poster).
  • [C36] KRÓL K., SOCHACKI M., STRUPIŃSKI W., TUREK M., ŻUK J., PRZEWŁOCKI H. M., TAUBE A., SZMIDT J.: Characterization of Slow States Using Modified Capacitance Technique in Thermal Oxides Fabricated on Nitrogen Implanted 4H-SiC(0001). Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013 (paper).
  • [C37] ŁASZCZ A., GUZIEWICZ M., SŁYSZ W., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., KĄTCKI J.: HRTEM Studies of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors. Microscopy Conf. Regensburg, Germany, 25-30.09.2013 (poster).
  • [C38] MATYS M., ADAMOWICZ B., ŻYTKIEWICZ Z. R., KRUSZKA R., TAUBE A., PIOTROWSKA A.: Study of the Surface Photovoltage for Passivated GaN Surfaces. VIII Int. Workshop on Semiconductor Surface Passivation. Krakow, Poland, 8-12.09.2013 (poster).
  • [C39] MUSZALSKI J., BRODA A. , WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., GUTOWSKI P., JASIK A., TRAJNEROWICZ A., SANKOWSKA I., KUBACKA-TRACZYK J., GOŁASZEWSKA-MALEC K.: Current State of the VECSEL Development in ITE. 1st An. Conf. of COST Action MP1204 & Int. Conf. on Semiconductor Mid-IR Materials a. Optics. Warsaw, Poland, 27.02-2.03.2013 (paper).
  • [C40] PIOTROWSKA A., MIHALOVITS P.: InTechFun: Presentation of the Project and Recent Achievements. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (paper, in Polish).
  • [C41] SARZAŁA R. P., KUC M., SOKÓŁ A., WASIAK M., KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K.: Modelling of Thermal and Electric Processes in Ultraviolet Electroluminesce Diode. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (paper, in Polish).
  • [C42] SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., DOMAGAŁA J., JUCHNIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., KRUSZKA R., RATAJCZAK J., KOLKOVSKY V., BAR J., WĘGRZECKI M., PANAS A., WĘGRZECKA I., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., SOBOLEWSKI R.: NbTiN Superconducting Nanostructures with Ultrahigh Critical Current Densities for Single-Photon Detectors. SPIE Europe Optics a. Optoelectronics 2013. Prague, Czech Republic, 15-18.04.2013 (poster).
  • [C43] SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., KLIMOV A., PEPE G., PARLATO L., JUCHNIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., KRUSZKA R., WĘGRZECKI M., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., SOBOLEWSKI R.: Proximitized NbN/NiCu and NbTiN/NiCu Superconductor/Ferromagnet Nano-Bilayers for Single Photon Detection. XVI Nation. Conf. of Superconductivity. Zakopane, Poland, 7-11.11.2013 (poster).
  • [C44] SOCHACKI M., KWIETNIEWSKI N., TAUBE A., KRÓL K., SZMIDT J.: Critical Design and Technological Parameters and Their Impact on the Electrical Characteristics of Power SiC MOSFETs. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (paper, in Polish).
  • [C45] STRUK P., PUSTELNY T., GOŁASZEWSKA-MALEC K., BORYSIEWICZ M., EKIELSKI M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Hybrid Photonics Structures with Grating and Prism Couplers Based on ZnO Waveguides. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (poster, in Polish).
  • [C46] SZERLING A., KARBOWNIK P., KOSIEL K., TRAJNEROWICZ A., MACIEJEWSKA E., GOŁASZEWSKA-MALEC K., ŁASZCZ A., WALCZAKOWSKI M., PAŁKA N.: Ultrathin Metallic Layers for IR-Emitters Technology. V Congr. of Polish Vacuum Soc. Krakow, Poland, 12-15.09.2013 (inv. lect.).
  • [C47] SZERLING A., KOSIEL K., SAKOWICZ M., WÓJCIK-JEDLIŃSKA A., SANKOWSKA I., KUBACKA-TRACZYK J., TRAJNEROWICZ A., ŁASZCZ A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., PŁUSKA M., JAKIEŁA R., WASILEWSKI Z.: Epitaxy and Device Fabrication for AlGaAs/GaAs THz Quantum-Cascade Lasers. Int. Conf. on THz and Mid Infrared Radiation and Applications to Cancer Detection Using Laser Imaging jointly with the Workgroup Meet. of COST ACTIONs MP1204 a. BM1205. Sheffield, Great Britain, 10-11.10.2013 (poster).
  • [C48] SZERLING A., KOSIEL K., WASILEWSKI Z., SAKOWICZ M., TRAJNEROWICZ A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., WALCZAKOWSKI M., PAŁKA N.: Terahertz Quantum Cascade Laser: Selected Technological Problems. GDR-I and GDR Workshop. Montpellier, France, 9-11.12.2013 (poster).
  • [C49] SZERLING A., KOSIEL K., WASILEWSKI Z., SAKOWICZ M., TRAJNEROWICZ A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., WALCZAKOWSKI M., PAŁKA N.: Fabrication of Terahertz Quantum Cascade Laser. V Workshop on Physics a. Technology of Semiconductor Lasers. Krakow, Poland, 17-20.11.2013 (poster).
  • [C50] TAUBE A., GUTT T., GIERAŁTOWSKA S., ŁASZCZ A., WZOREK M., SOCHACKI M., KRÓL K., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Effect of SiO2 and Al2O3 Buffer Layer on the Properties of HfO2 Gate Dielectric Stacks on 4H-SiC. Conf. Microtherm 2013. Microtechnol. a. Thermal Problems in Electron. Lodz, Poland, 25-28.06.2013 (paper).
  • [C51] TAUBE A., JASTRZĘBSKI C., JUDEK J., DUŻYŃSKA A., ZDROJEK M.: Fabrication and Characterization of Molybdenum Disulfide Monolayers. 15th Int. Conf. on Defects Recognition, Imaging a. Physics in Semiconductors. Warsaw, Poland, 15-19.09.2013 (poster).
  • [C52] TAUBE A., KACZMARSKI J., EKIELSKI M., PUCICKI D., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Fabrication and Characterization of Thin-Film Transistors with Amorphous In-Ga-Zn-O Layers. XI Sci. Conf. "Electron Technology". Ryn, Poland, 16-20.04.2013 (poster, in Polish).
  • [C53] TAUBE A., KACZMARSKI J., KOPYT P., WOJTASIAK W., SOCHACKI M., PRYSTAWKO P., GWAREK W., ŻYTKIEWICZ Z. R., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Modeling and Characterization of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors. E-MRS Fall Meet. 2013 Symp. F: Novel Materials for Electronic, Optoelectronic, Photovoltaic and Energy Saving Applications. Warsaw, Poland, 16-20.09.2013 (inv. lect.).
  • [C54] TAUBE A., KOZUBAL M., KACZMARSKI J., JUCHNIEWICZ M., BARCZ A., DYCZEWSKI J., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E., BORYSIEWICZ M., PRYSTAWKO P., JASIŃSKI J., BOROWICZ P., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: High Resistivity Isolation for AlGaN/GaN HEMT Using Al Double-Implantation. Mater. Res. Soc. Fall Meet. 2013. Boston, USA, 1-6.12.2013 (poster).
  • [C55] TAUBE A., SOCHACKI M., SZMIDT J., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN HEMT with p-GaN Gate. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (poster, in Polish).
  • [C56] TOMKIEWICZ P., SZUBER J., MIERA A., BORYSIEWICZ M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SETKIEWICZ M.: Demonstrator of Toxic Gas Sensor Based on Surface Photovoltage Effect. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (poster, in Polish).
  • [C57] WIELGUS M., KOGUCIUK D., SUNDERLAND Z., PATORSKI K., PIOTROWSKA A.: Enhanced Measurements of Displacements and Strains in Quasiperiodic Nanostructures. Mater. Res. Soc. Spring Meet. 1554. San Francisco, USA, 1-5.04.2013 (paper).
  • [C58] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., BORYSIEWICZ M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Characterization of Ti-Si-C Layers Deposited By Means of High-Temperature Magnetron Sputtering. XII Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 10-13.06.2013 (poster, in Polish).
  • [C59] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., BORYSIEWICZ M., KUCHUK A., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Microstructure Characterization of Si/Ni Contact Layers on n-4H-SiC by TEM and XEDS. The Int. Conf. on Silicon Carbide a. Related Materials. Miyazaki, Japan, 29.09-4.10.2013 (poster).
  • Patents’2013
  • [PA1] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J.: A Method to Fabricate a Semiconductor Layer of Zinc Oxide. Pat. no. 215571 (co-ownership agreement with IP PAS) (in Polish).
  • [PA2] BORYSIEWICZ M.: A Method to Fabricate a Porous, Highly Resistive ZnO Layer on a Flexible Substrate. Pat. Appl. no. P403202 (in Polish).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-a4ee7241-f84d-4849-bd2f-933f13b0ac7b
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.