Tytuł artykułu
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Electrical Parameters of GaN PolHEMT transistors – the results of the I stage of the PolHEMT project
Języki publikacji
Abstrakty
Celem projektu PolHEMT jest opracowanie nowego typu tranzystora mikrofalowego na pasmo S z wykorzystaniem struktur AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z półizolacyjnego monokrystalicznego GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną (Ammono). Referat stanowi krótkie podsumowanie pierwszego etapu projektu w formie zestawienia parametrów elektrycznych struktur GaN PolHEMT i komercyjnych tranzystorów GaN HEMT produkowanych przez wiodące firmy.
The aim of the PolHEMT project is to develop a new type of microwave transistor for S-band using the structures of AlGaN/GaN grown on a uniques type of material – a semi-insulating monocrystalline GaN substrate manufactured by ammonotermal method (Ammono). The paper provides a brief summary of the first phase of the project. It presents a report on obtained electrical parameters of GaN structures and compares them against the parameters of commercial GaN HEMT transistors manufactured by leading companies.
Słowa kluczowe
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
211--215
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
- Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa
autor
- Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa
autor
- Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
autor
- Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Bibliografia
- [1] Taube A. i inni, Ion Implantation for Isolation of AlGaN/GaN HEMTs Using C or Al,. Journal Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science. Phys. Status Solidi A, 1–8 (2015) / DOI 10.1002/pssa.201431724
- [2] http://www.cree.com/RF/Products
- [3] http://www.triquint.com/products/all/discrete-transistors/ganhemts
- [4] Wojtasiak W., Gryglewski D., A 100 W SiC MESFET Amplifier for L-band T/R Module of APAR, Int. Journal of Electronics and Telecommunications 2011, no. 3, vol. 57, 135-140
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-a2df9885-a127-4b81-89a3-1d0a377893b9