Parametry tranzystorów GaN HEMT – wyniki I etapu projektu PolHEMT

• Autorzy: Wojtasiak W. , Gwarek W. , Piotrowska A. , Kamińska E.

Warianty tytułu

EN

Electrical Parameters of GaN PolHEMT transistors – the results of the I stage of the PolHEMT project

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Celem projektu PolHEMT jest opracowanie nowego typu tranzystora mikrofalowego na pasmo S z wykorzystaniem struktur AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z półizolacyjnego monokrystalicznego GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną (Ammono). Referat stanowi krótkie podsumowanie pierwszego etapu projektu w formie zestawienia parametrów elektrycznych struktur GaN PolHEMT i komercyjnych tranzystorów GaN HEMT produkowanych przez wiodące firmy.

EN

The aim of the PolHEMT project is to develop a new type of microwave transistor for S-band using the structures of AlGaN/GaN grown on a uniques type of material – a semi-insulating monocrystalline GaN substrate manufactured by ammonotermal method (Ammono). The paper provides a brief summary of the first phase of the project. It presents a report on obtained electrical parameters of GaN structures and compares them against the parameters of commercial GaN HEMT transistors manufactured by leading companies.

Słowa kluczowe

PL

mikrofala; GaN; HEMT; tranzystor; modelowanie; układ aktywny

EN

microwave; GaN; HEMT; transistor; modeling; active device

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 9
• Strony: 211--215
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Wojtasiak W.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

autor

Gwarek W.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

autor

Piotrowska A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Kamińska E.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

Bibliografia

• [1] Taube A. i inni, Ion Implantation for Isolation of AlGaN/GaN HEMTs Using C or Al,. Journal Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science. Phys. Status Solidi A, 1–8 (2015) / DOI 10.1002/pssa.201431724
• [2] http://www.cree.com/RF/Products
• [3] http://www.triquint.com/products/all/discrete-transistors/ganhemts
• [4] Wojtasiak W., Gryglewski D., A 100 W SiC MESFET Amplifier for L-band T/R Module of APAR, Int. Journal of Electronics and Telecommunications 2011, no. 3, vol. 57, 135-140