Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem

• Autorzy: Szyszka Adam , Wośko Mateusz , Paszkiewicz Regina

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2019.09.33

Warianty tytułu

EN

Characterization of the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on a silicon substrate by scanning capacitance and scanning surface potential microscopy

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wstępne wyniki charakteryzacji elektrycznych właściwości heterostruktur AlGaN/GaN, osadzonych na podłożu krzemowym, wykonane skaningową mikroskopią pojemnościową oraz mikroskopią potencjału powierzchniowego przy jednoczesnym wykorzystaniu pobudzania optycznego próbki. Dzięki takiemu podejściu osiągnięto rozdzielczość przestrzenną rzędu dziesiątki nanometrów (typową dla pomiarów SPM) lecz jednocześnie możliwe było uzyskanie znacznie większej ilości użytecznych informacji o właściwościach struktury.

EN

The paper presents preliminary results of the characterization of the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on a silicon substrate by scanning capacitance microscopy and scanning surface potential microscopy using the optical stimulation of a sample. Owing to such an approach, spatial resolution of tens of nanometers (typical for SPM measurements) was achieved, but at the same time it was possible to obtain much more useful information about material properties than using scanning probe microscopy alone, without illumination.

Słowa kluczowe

PL

azotek galu; AlGaN/GaN; skaningowa mikroskopia pojemnościowa; skaningowa mikroskopia potencjału powierzchniowego; SCM; SSPM; SPM

EN

gallium nitride; AlGaN/GaN/Si; scanning potential microscopy; scanning capacitance microscopy; SCM; SSPM; SPM

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2019
• Tom: R. 95, nr 9
• Strony: 157--160
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Szyszka Adam

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, ul. Janiszewskiego 11/17, 50- 372 Wrocław

autor

Wośko Mateusz

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

autor

Paszkiewicz Regina

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

Bibliografia

• [1] Giannazzo F., Mirabella S., Raineri V., De Salvador D., Napolitani E., Terrasi A., Carnera A., Drigo A.V., Priolo F., Two-dimensional interstitial diffusion in silicon monitored by scanning capacitance microscopy, Materials Science and Engineering B 10 (2203) 2148 – 151
• [2] Szyszka A., Dawidowski W., Stafiniak A., Prażmowska J., Ściana B., Tłaczała M., Cross-sectional scanning capacitance microscopy characterization of GaAs based solar cell structures. Crystal Research and Technology. 52 (2017), n.6, art. 1700019, s. 1-5,
• [3] Szyszka A., Paszkiewicz B., Macherzyński W., Paszkiewicz R., Tłaczała M., Microscale characterisation of optical and electrical parameters of UV GaN planar detectors. Journal of Electrical Engineering-Elektrotechnický Časopis. 60 (2009), n.5, s. 283-286
• [4] Szyszka A., Wośko M., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R. Surface electrical characterization of defect related inhomogeneities of AlGaN/GaN/Si heterostructures using scanning capacitance microscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 94 (2019), s. 57-63.
• [5] Stafiniak A., Szyszka A.,. Prażmowska J, Boratyński B., Baranowska-Korczyc A., Fronc K., Elbaum D., Tłaczała M., Surface potential measurements of a single ZnO nanofiber. Proceeding of The Ninth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2012, Smolenice, Slovakia, (2012) s. 271-274,
• [6] Bhushan B. (Ed.) Scanning Probe Microscopy in Nanoscience and Nanotechnology 2, Springer International Publishing AG, (2011)
• [7] Szyszka A., Paszkiewicz R., Szymański T., Tłaczała M., Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą. Przegląd Elektrotechniczny. R. 94 (2018) nr.8, s. 21-24
• [8] Szymański T., Wośko M., Wzorek M., Paszkiewicz B.,. Paszkiewicz R. Origin of surface defects and influence of an in situ deposited SiN nanomask on the properties of strained AlGaN/GaN heterostructures grown on Si(111) using metal–organic vapour phase epitaxy” CrystEngComm, 18 (2016) 8747

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).