Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu

• Autorzy: Król K. , Sochacki M. , Kwietniewski N. , Gierałtowska S. , Wachnicki Ł.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.08.28

Warianty tytułu

EN

Application of high-k dielectric films in silicon carbide power devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono zalety zastosowania warstw dielektrycznych o wysokim współczynniku przenikalności elektrycznej osadzanych techniką ALD (ang. Atomic Layer Deposition) i praktyczne aspekty ich wykorzystania w przyrządach mocy typu MOSFET wytwarzanych w technologii węglika krzemu (SiC).

EN

This article describes the benefits of high-k dielectrics’ application in silicon carbide (SiC) technology aimed for production of power MOSFETs. The importance of the finding a new dielectric material for SiC MIS structures is explained and the main application problems are disscussed. The stacked dielectric layers of Al2O3/SiO2 and ZrO2/SiO2 manufactured by atomic layer deposition technique (ALD) on 4H-SiC substrates are then investigated by means of electrical methods useful in power device technology.

Słowa kluczowe

PL

high-k; węglik krzemu; SiC; MOSFET; przyrządy mocy

EN

high-k; silicon carbide; SiC; MOSFET; power device

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 8
• Strony: 106--109
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Król K.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Sochacki M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Kwietniewski N.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Gierałtowska S.

• Instytut Fizyki PAN, al. Lotników 32/46, 02-688 Warszawa

autor

Wachnicki Ł.

• Instytut Fizyki PAN, al. Lotników 32/46, 02-688 Warszawa

Bibliografia

• [1] Wright N.G., Poolamai N., Vassilevski K., Horsfall A.B., Johnson C.M., Benefits of High-k Dielectrics in 4H-SiC Trench MOSFETs, Materials Science Forum, Vols. 457-460 (2004), 1433-1436
• [2] Clark R.D., Emerging Applications for High K Materials in VLSI Technology, Materials, vol. 7 (2014), 2913-2944
• [3] Lipkin L.A., Palmour J.W., Insulator Investigation on SiC for Improved Reliability, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 46 (1999), No. 3
• [4] Lenzlinger M., Snow E.H., Fowler‐Nordheim Tunneling into Thermally Grown SiO2, Journal of Applied Physics, Vol. 40 (1969), 278
• [5] Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R., Warren W.L., Schwank J.R., Meisenheimer T.L., Winokur P.S., Border traps: issues for MOS radiation response and long-term reliability, Microelectron. Reliab., v.35 (1995), No 3, 403

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).