Spektroskopia ramanowska grafenu

• Autorzy: Grodecki K.

Warianty tytułu

EN

Raman spectroscopy of graphene

• Języki publikacji: PL EN

Abstrakty

PL

Grafen jest obecnie materiałem niezwykle popularnym zarówno w środowisku naukowym, jak i w mediach. Jego unikatowe właściwości pozwalają myśleć o nim jako o następcy krzemu w elektronice. Polska ma swój wkład w badaniach tego materiału, między innymi poprzez opracowanie nowatorskiej techniki wzrostu grafenu na SiC- polegającej na osadzaniu warstw węglowych z propanu. Spektroskopia ramanowska jest uznaną i nieniszczącą techniką badań struktur węglowych, w tym grafenu. W sierpniu 2012 r. w ITME został zakupiony spektrometr ramanowski optymalizowany do badań grafenu. W artykule zostaną przedstawione podstawy spektroskopii ramanowskiej i omówione pokrótce podstawowe techniki wytwarzania grafenu. Główny nacisk został położony na przedstawienie możliwości badawczych przy użyciu spektroskopii ramanowskiej.

EN

Graphene is a material that has recently become very popular with both the representatives of the scientific world and the media. The unique properties of graphene make it a successor to silicon in a new generation of electronics. Poland has contributed to the study of this material, among others by developing an innovative technique of graphene growth on SiC layers by chemical vapor deposition. Raman spectroscopy is a fast and non-destructive technique to analyze and characterize graphene. In August 2012 a new Raman spectrometer dedicated to the study of graphene was bought. In this article the basics of Raman spectroscopy and the graphene production technique are presented. However, the main goal is to show the capabilities and basic techniques of Raman spectroscopy in relation to graphene characterization and analysis.

Słowa kluczowe

PL

grafen; spektroskopia ramanowska

EN

graphene; Raman spectroscopy

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2013
• Tom: T. 41, nr 1
• Strony: 47--53
• Opis fizyczny: Bibliogr. 22 poz., rys.

Twórcy

autor

Grodecki K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa; e-mail: [e-mail]
• Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki ul. Hoża 69, 00-681 Warszawa

Bibliografia

• [1] Geim A. K., Novoselov K. S.: Nat. Mater., 2007, 183
• [2] Wallace P. R.: Phys. Rev.. 1947, 71, 622
• [3] Lee D. S., Riedl C., Krauss B., von Klitzing K., Starke U., and Smet J. H.: Nano Letters, 2008, 8, 4320
• [4] Lei Liao, Yung-Chen Lin, Mingqiang Bao, Rui Cheng, Jingwei Bai, Yuan Liu, Yongquan Qu, Kang L. Wang, Yu Huang, Xiangfeng Duan, Nature, 2010, 467, 305
• [5] Kuzmenko A. B., van Heumen E., Carbone F., van der Marel D.: Phys. Rev. Lett., 2008, 100, 117401
• [6] Bai J., Zhong X., Jiang S., Huang Y. and Duan X.: Nature Nanotechnology, 2010, 5, 190
• [7] Strupinski W., Grodecki K., Wysmolek A., Stepniewski R., Szkopek T., Gaskell P. E., Grüneis A., Haberer D. , Bozek R., Krupka J., and Baranowski J. M.: Nano Lett., 2011, 11 (4)
• [8] Poh H. L., Senek F., Ambrosi A., Zhao G., Sofer Z., Pumera M.: Nanoscale, 2012, 4, 3515
• [9] Marcano D. C., Kosynkin D. V., Berlin J. M., Sinitskii A., Sun Z., Slesarev A., Alemany L. B., Lu W., Tour J. M.: Nano, 2010, 4, 4806
• [10] Liu C., Hu G., Gao H.: J. Supercrit. Fluids, 2012, 63, 99
• [11] McCreery R. L.: Raman spectroscopy for chemical analysis, John Wiley & Sons, Chichester, West Sussex, 2001
• [12] Malard L. M., Pimenta M. A., Dresselhaus G., Dresselhaus M. S.: Phys. Rep., 2009, 473, 51
• [13] F errari A. C., Meyer J. C., Scardaci V., Casiraghi C., Lazzeri M., Mauri F., Piscanec S., Jiang D., Novoselov K. S., Roth S., Geim A. K.: Phys. Rev. Lett. 97, 187401
• [14] Ni Z. H., Chen W., Fan X. F., Kuo J. L., Yu1 T., Wee A. T. S., Shen Z. X.: Phys. Rev., 2008, B 77, 115416
• [15] F augeras C., Nerrière A., Potemski M., Mahmood A., Dujardin E., Berger C., de Heer W. A.: Appl. Phys. Lett., 2008, 92, 011914
• [16] Hass J., Varchon F., Millán-Otoya J. E., Sprinkle M., Sharma N., de Heer W. A., Berger C., First P. N., Magaud L., Conrad E. H.: Phys. Rev. Lett., 2008, 100, 125504
• [17] Gao L., Guest J. R. Guisinger N. P.: Nano letters, 2010, 10, 3512
• [18] Mohiuddin T. M. G., Lombardo A., Nair R. R., Bonetti A., Savini G., Jalil R., Bonini N., Basko D. M., Galiotis C., Marzari N., Novoselov K. S., Geim A. K., Ferrari A. C., Phys. Rev. B, 2009, 79, 205433
• [19] Yan J., Zhang Y. B., Kim P., Pinczuk A., Phys. Rev. Lett., 2007, 98, 166802
• [20] Pimenta M. A., Dresselhaus G., Dresselhaus M. S., Cancado L. G., Jorio A., Saito R.: Chem. Phys. 2007, 9, 1276
• [21] Grodecki K., Bozek R., Strupinski W., Wysmolek A., Stepniewski R., Baranowski J. M.: Appl. Phys. Lett., 2012, 100, 261604
• [22] Mooradian A., Phys Rev Lett, 1969, 5, 185