PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Adsorption induced hole transport in thin layers of non-ordered tetracene

Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Transport dziurowy wzmocniony absorpcją w nieuporządkowanych warstwach tetracenu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Additional disorder induced by adsorption processes by the molecule of ambient are responsible for deep modulation of conductivity. Observations confirmed the dominated role of the increase of the free carrier concentration due to the increse the shallow trap concentration, for modulation of the conductivity.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu poddanych oddziaływaniu powietrza. Badania przeprowadzone za pomocą metody czasu przelotu (TOF), której wyniki posłużyły jako wsadowe do obliczeń parametrów elektrycznych warstw przy wykorzystaniu metody różniczkowej analizy prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym, wykazały koncentrację pułapek Nt = 1,6·1020 cm-3, porównywalną do całkowitej gęstości stanów Nv = 3,3·1021 cm-3; może to świadczyć o nasilonej dyfuzji masy w głąb warstwy.
Rocznik
Tom
Strony
39--47
Opis fizyczny
Bibliogr. 12 poz., 1 rys., wykr.
Twórcy
autor
  • Institute of Physics, Lodz University of Technology, ul. Wólczańska 219, 93-005, Łódź, Poland
  • Centre of Mathematics and Physics, Lodz University of Technology, Al. Politechniki 11, 90-924 Łódź, Poland
autor
  • Centre of Mathematics and Physics, Lodz University of Technology, Al. Politechniki 11, 90-924 Łódź, Poland
  • The Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Jan Długosz University in Częstochowa, Al. Armii Krajowej 13/15, 42-218 Częstochowa, Poland
Bibliografia
  • [1] Kania S., Kuliński J. 2011. Activation of thin layers of two aromatic hydrocarbons. Chem. Met. Alloys. 4: 31-37.
  • [2] Kania S., Kondrasiuk J., Bąk G.W. 1999. Influence of ambient atmosphere on charge transport in thin films of low–molecular weight organic compounds. Mol. Phys. Reports. 25: 93-98.
  • [3] Mycielski W.E. 1980. Evidence of hopping conduction among localized states in disordered systems of simple aromatic compounds. J. Non-Crystalline Solids. 37: 267-271.
  • [4] Kania S. 2004. The magnitude of the order and the hole transport in the tetracene films. Sci. Bull. Tech. Univ. Lodz, Physics. 24: 47-60.
  • [5] Kania S. 2007. Charge carrier transport in the tetracene layers with a different structural order. Visnyk of Lviv Univ. Series Physical. 40: 322-336.
  • [6] Lampert M.A., Mark P. 1970. Current injection in solids, New York: Academic Press.
  • [7] Scher H., Montroll E.W. 1975. Anomalous transit-time dispersion in amorphous solids. Phys. Rev. B 12: 2455-2477.
  • [8] Bagratishvili G.D., Dzhanelidze R.B., Jishishvili D.A., Piskanovskii L.V., Zyuganov A.N., Mikhelashvili V.N., Smertenko P.S. 1981. Mechanism of charge flow through the M-Ge3N4-GaAs Structure. Phys. stat. sol. (a) 65: 701-707.
  • [9] Mikhelashvili V., Eisenstein G. 2001. Effect of annealing conditions on optical and electrical characteristics of titanium dioxide films deposited by electron beam evaporation. J. Appl Phys. 89: 3256-3269.
  • [10] Dacuňa J., Salleo A. 2011. Modeling space–charge limited currents in organic semiconductors: exctracting trap density and mobility. Physical Review B 84: 195209-1 - 195209-9.
  • [11] Kania S., Kuliński J. 2011. Absorbtion enhanced currents in thin layers of low dimentional organics. Sci. Bull. Tech. Univ. Lodz, Physics 32: 23-30.
  • [12] Rühle V., Lukyanov A., Falk M., Schrader M., Vehoff T., Kirkpatrick J., Baumeier B., Andrienko D. 2011. Microscopic simulations of charge transport in disordered organic semiconductors. J. Chem. Theory Comput. 7: 3335-3345.
Uwagi
Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-9f2b45f0-6e4a-415e-b8bf-189091cc90c6
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.